忆阻器(memristor)是一种能够模拟存在于神经突触中的钙离子行为的电子元件,它有可能导致类脑计算机出现重大进展。
据美国马萨诸塞州立大学的Joshua Yang教授介绍:突触可塑性的再生是创造类脑计算机的关键。通过将银纳米粒子簇嵌入两个电极间的氮氧化硅膜,Yang的团队制造出了一种新的扩散式忆阻器(diffusive memristor)。当施加一个电压脉冲时,纳米粒子通过氮氧化硅膜进行扩散,形成一条导电丝,将电流从一个电极传导到另一个电极。该扩散式忆阻器也可以与漂移忆阻器(drift memristor)结合使用,后者依赖于电场,并针对存储应用进行了优化。
Yang教授表示,扩散忆阻器能够帮助漂移型忆阻器以类似于真正神经突触的方式运作。将这两种忆阻器结合,可以获得一个关于“尖峰时刻相关可塑性”的自然展示,这是一种非常重要的长期可塑性学习规则。Yang的团队采用了与存储公司现有工艺相似的制造工艺来扩大忆阻器生产规模。虽然理论上该忆阻器的体积可以小于人类的神经突触,但实际系统往往需要更大的忆阻器。