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## DDR的发展历程


SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，现在已经发展到DDR5 SDRAM。
- DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(双数据率同步动态随机存储器)的简称，为第二代SDRAM标准。其常见标准有DDR 266、DDR 333和DDR 400。其对于SDRAM，主要它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能实现双倍的SDRAM速度，例如DDR266内存与PC133 SDRAM内存相比，工作频率同样是133MHz，但在内存带宽上前者比后者高一倍。这种做法相当于把单车道更换为双车道，内存的数据传输性能自然可以翻倍。
- DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)开发的第三代SDRAM内存技术标准，1.8v工作电压，240线接口，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，同样采用在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即4bit数据读预取能力)，其常见的频率规范有DDR2 400\533\667\800\1066\1333等，总线频率553MHz的DDR2内存只需133MHz的工作频率
- DDR3 SDRAM相比起DDR2具备更低的工作电压(1.5v)，240线接口，支持8bit预读，只需133MHz的工作频率便可实现1066MHz的总线频率。其频率从800MHz起跳，常见频率有DDR3 800\1066\1333\1600\1866\2133等。DDR3是当前流行的内存标准，Intel酷睿i系列(如LGA1156处理器平台)、AMD AM3主板及处理器的平台都是其“支持者”。
- DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。


DDR到DDR5的主要变化，我们可以看到，为了配合整体行业对于性能，容量和省电的不断追求，规范的工作电压越来越低，芯片容量越来越大，IO的速率也越来越高。

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除了电压，容量和IO的速率变化之外，上表还列出了Bank，Bank Group，Prefetch和Burst Length的演进，bank数越来越多，到DDR4出现bank group，prefetch也从2n增加到4n，8n。虽然我们说现在DDR4的最大速率是3200MT/s, 但是这是指的DDR4的IO频率，即DDR4和memroy controller之间的接口数据传输速率。那么DRAM是怎么实现用比较低的核心传输频率来满足日益高涨的高速IO传输速率的需求呢？这就是靠prefetch来实现的。
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- 从DDR开始到DDR3很好理解，Prefetch相当于DRAM core同时修了多条高速公路连到外面的IO口，来解决IO速率比内部核心速率快的问题，IO数据速率跟核心频率的倍数关系就是prefetch。
- burst length的长度跟CPU的cache line大小有关。Burst length的长度有可能大于或者等于prefetch。但是如果prefetch的长度大于burst length的长度，就有可能造成数据浪费，因为CPU一次用不了那么多。所以从DDR3到DDR4，如果在保持DDR4内存data lane还是64的前提下，继续采用增加prefetch的方式来提高IO速率的话，一次prefetch取到的数据就会大于一个cache line的大小 （512bits），对于目前的CPU系统，反而会带来性能问题。
- DDR4出现了Bank Group,这就是DDR4在不改变prefetch的情况下，能继续提升IO速率的秘密武器。DDR4利用Bank group的interleave，实现IO速率在DDR3基础上进一步提升。


## 内存原理

从外观上就可以看出来小张的内存条由很多内存颗粒组成。
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从内存控制器到内存颗粒内部逻辑，笼统上讲从大到小为：channel＞DIMM＞rank＞chip＞bank＞row/column，如下图：
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一个现实的例子是：
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在这个例子中，一个i7 CPU支持两个Channel（双通道），每个Channel上可以插俩个DIMM，而每个DIMM由两个rank构成，8个chip组成一个rank。由于现在多数内存颗粒的位宽是8bit，而CPU带宽是64bit，所以经常是8个颗粒可以组成一个rank。所以小张的内存条2R X 8的意思是由2个rank组成，每个rank八个内存颗粒。由于整个内存是4GB，我们可以算出单个内存颗粒是256MB。

这次我们来看看rank和Chip里面有什么，如下图：
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这是个DDR3一个Rank的示意图。我们把左边128MB Chip拆开来看，它是由8个Bank组成，每个Bank核心是个一个存储矩阵，就像一个大方格子阵。这个格子阵有很多列（Column）和很多行（Row），这样我们想存取某个格子，只需要告知是哪一行哪一列就行了，这也是为什么内存可以随机存取而硬盘等则是按块存取的原因。

实际上每个格子的存储宽度是内存颗粒（Chip）的位宽，在这里由8个Chip组成一个Rank，而CPU寻址宽度是64bit,所以64/8=8bit，即每个格子是1个字节。选择每个格子也不是简单的两组信号，是由一系列信号组成，以这个2GB DDR3为例：
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其引脚按照功能可以分为7类：前3类为电源、地、配置
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后4类为：控制信号、时钟信号、地址信号、数据信号
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电源、地、配置信号的功能很简单，在此不赘述。DDR4中最重要的信号就是地址信号和数据信号。

如上DDR4芯片有20根地址线（17根Address、2根BA、1根BG），16根数据线。在搞清楚这些信号线的作用以及地址信号为何还有复用功能之前，我们先抛出1个问题。假如我们用20根地址线，16根数据线，设计一款DDR，我们能设计出的DDR寻址容量有多大？

Size（max）=(2^20) * 16 = 2048 KB =2 MB。

但是事实上，该DDR最大容量可以做到1GB，比传统的单线编码寻址容量大了整整512倍，它是如何做到的呢？答案很简单，分时复用。我们把DDR存储空间可以设计成如下样式：

首先将存储空间分成两个大块，分别为BANK GROUP0和BANK GROUP1，再用1根地址线（还剩19根），命名为BG，进行编码。若BG拉高选择BANK GROUP0，拉低选择BANK GROUP1。（当然你也可以划分成4个大块，用2根线进行编码）。
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再将1个BANK GROUP区域分成4个BANK小区域，分别命名为BANK0、BANK1、BANK2、BANK3。然后我们挑出2根地址线（还剩余17根）命名为BA0和BA1，为4个小BANK进行地址编码。
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此时，我们将DDR内存颗粒划分成了2个BANK GROUP，每个BANK GROUP又分成了4个BANK，共8个BANK区域，分配了3根地址线，分别命名为BG0，BA0，BA1。然后我们还剩余17根信号线，每个BANK又该怎么设计呢？这时候，就要用到分时复用的设计理念了。

剩下的17根线，第一次用来表示行地址，第二次用来表示列地址。即传输2次地址，再传输1次数据，寻址范围最多被扩展为2GB。虽然数据传输速度降低了一半，但是存储空间被扩展了很多倍。这就是改善空间。所以，剩下的17根地址线，留1根用来表示传输地址是否为行地址。过程如下：
- 在第1次传输时，行地址选择使能，剩下16根地址线，可以表示行地址范围，可以轻松算出行地址范围为2^16=65536个=64K个。
- 在第2次传输时，行地址选择禁用，剩下16根地址线，留10根列地址线表示列地址范围，可以轻松表示的列地址范围为2^10=1024个=1K个，剩下6根用来表示读写状态/刷新状态/行使能、等等复用功能。
- 这样，我们可以把1个BANK划分成64K*1K个=64M个地址编号。
- 所以1个BANK可以分成64K行，每行1K列，每个存储单元16bit。


最后理一下：

每行可以存储1K *16bit=2KB。每行的存储的容量称为Page Size。
单个BANK共64K行，所以每个BANK存储容量为64K *2KB=128MB。
单个BANK GROUP共4个BANK，每个BANK GROUP存储容量为512MB。
单个DDR4芯片有2个BANK GROUP，故单个DDR4芯片的存储容量为1024MB=1GB。

至此，20根地址线和16根数据线全部分配完成，我们用正向设计的思维方式，为大家讲解了DDR4的存储原理以及接口定义和寻址方式。
但是细心的同学发现一个问题，对于每一个bank，按照正常的10位数据，那么col应该是1024，而现在是128，是什么原因呢？
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那么问题又来了，为什么Column Address的寻址能力只有128呢？请继续看下图
![image](https://developer.qcloudimg.com/http-save/yehe-11936724/1de3acdd14c6be34cd095ae057e00fd2.png)


在上图中，可以清晰地发现，10bits的Column Address只有7bits用于列地址译码，列地址0,1,2并没有用！列地址0,1,2,这3bits被用于什么功能了？或者是DDR的设计者脑残，故意浪费了这三个bits？在JESD79-3规范中有如下的这个表格：
![image](https://developer.qcloudimg.com/http-save/yehe-11936724/dce4d889f1896031bcc40513467cd965.png)


可以发现，Column Address的A2，A1，A0三位被用于Burst Order功能，并且A3也被用于Burst Type功能。由于一般情况，我们采用的都是顺序读写模式（即{A2,A1,A0}={0,0,0}），所以此时的A3的取值并无直接影响，CA[2:0]的值决定了一次Burst sequence的读写地址顺序。
比如一次Burst Read的时候如果CA[2:0]=3’b001表示低三位从地址1开始读取，CA3=0的时候按顺序读取1，2，3，0，5，6，7，4，CA3=1的时候交错读取1，0，3，2，5，4，7，6。
对于Prefetch而言，正好是8N Prefetch，对于Burst而言对应BL8。BC4其实也是一次BL8的操作，只是丢弃了后一半的数据。
更形象地理解就是对于一个Bank里面的Memory Array，每个Memory Cell可以看作是一个Byte的集合体。CA[9:3]选中一行中的一个特定Byte，再由CA[2:0]选择从这个Byte的哪个位置开始操作。CA3既参与了列地址译码，也决定Burst是连续读取还是交错读取。Prefetch也决定了I/O Frequency和SDRAM Core Frequency之间的关系。

SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，现在已经发展到DDR5 SDRAM。

南京观海微电子----DDR的工作原理——DDR接口专栏（一）

硬件

网络与通信

DDR内存从SDRAM发展到DDR5，工作电压逐步降低，带宽持续提升。DDR采用双沿数据传输技术，DDR2引入4bit预读取，DDR3支持8bit预读，DDR4实现16bit预读并采用BankGroup技术提升性能。内存颗粒内部采用Bank结构，通过行列地址分时复用实现大容量寻址。DDR4典型设计包含2个BankGroup，每个含4个Bank，单个芯片容量可达1GB。

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