观海微电子
南京观海微电子---MOS栅极-源极的下拉电阻作用
原创
关注作者
腾讯云
开发者社区
文档
建议反馈
控制台
登录/注册
首页
学习
活动
专区
圈层
工具
MCP广场
文章/答案/技术大牛
搜索
搜索
关闭
发布
观海微电子
社区首页
>
专栏
>
南京观海微电子---MOS栅极-源极的下拉电阻作用
南京观海微电子---MOS栅极-源极的下拉电阻作用
观海微电子
关注
发布于 2025-12-12 14:04:22
发布于 2025-12-12 14:04:22
224
0
举报
概述
当MOSFET关断时,米勒电容的存在,会使MOS管的Vds产生一个电压从接近0(饱和压降)到母线的变化过程,这个电压变化率就是“dv/dt”,然而电容就是电压变化发生作用的器件,电压在电容两端变化,即产生电流“i”。
原创声明:本文系作者授权腾讯云开发者社区发表,未经许可,不得转载。
如有侵权,请联系
cloudcommunity@tencent.com
删除。
嵌入式
原创声明:本文系作者授权腾讯云开发者社区发表,未经许可,不得转载。
如有侵权,请联系
cloudcommunity@tencent.com
删除。
嵌入式
评论
登录
后参与评论
0 条评论
热度
最新
推荐阅读
领券
问题归档
专栏文章
快讯文章归档
关键词归档
开发者手册归档
开发者手册 Section 归档
0
0
0
推荐