问闪存(NOR/NAND)上的哪些操作会影响闪存编程/擦除(P/E)周期
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Stack Overflow用户

提问于 2016-05-31 14:16:31

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我想实现一个计数器，可以通过电源循环保存值，所以我应该使用闪存(我可以选择NOR或NAND)，但由于我的计数器值将频繁增加。我想优化擦除的数量(只考虑擦除，即使位0到1将影响闪存寿命)。

为此，我想实现滴答计数器，其中字节序列(大约KBytes，取决于我的计数器最大值，通常等于块大小)分配给计数器，对于每个增量，连续的比特将从MSB开始设置为1到0。我将编写自定义闪存驱动程序来处理计数器操作。

例如：

Val0: 1111 1111 1111 ....Val1: 0111 1111 1111 1111 ....Val2: 0011 1111 1111 1111 ....优势节拍计数器：

仅当我们想将计数器设置为零时，才需要擦除。

但是，是否有可能在不擦除(NAND/NOR)的情况下将位从1编程到0，如果是，则影响P/E周期是否算数？

发布于 2016-11-24 08:08:50

这取决于所使用的部件。我见过一些NOR闪存部件，支持在擦除之前覆盖单个单元多达四次。超过覆盖能力可能会损坏单元。我见过NAND闪存部件，制造商要求一个页面在擦除之前只能写入一次。我见过一些较旧的NAND和NOR闪存部件，但没有指定。最好检查一下你的数据表。

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原文链接：

https://stackoverflow.com/questions/37538137

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