(STM32)擦除闪存和写入闪存会导致HAL_FLASH_ERROR_PGP错误(使用HAL)
试图写入闪存以存储某些配置。我使用的是一个STM32F446ze，其中我想使用最后的16 an扇区作为存储。
当我擦除VOLTAGE_RANGE_3扇区时，我指定了。VOLTAGE_RANGE_3映射到：
#define FLASH_VOLTAGE_RANGE_3 0x00000002U /*!< Device operating range: 2.7V to 3.6V */当我使用FLASH_TYPEPROGRAM_WORD写闪存时，我收到了一个错误。错误是HAL_FLASH_ERROR_PGP。阅读参考手册，我读到，这与使用错误的并行/电压级别有关。
从参考手册上我可以读到
此外，在参考手册中，我可以读到：
编程错误:不允许将数据编程到跨越128位行边界的Flash内存中。在这种情况下，不执行写操作，并且在FLASH_SR寄存器中设置程序对齐错误标志(PGAERR)。写访问类型(字节、半字、字或双字)必须对应所选择的并行性类型(x8、x16、x32或x64)。如果不执行，则不执行写入操作，并在FLASH_SR寄存器中设置程序并行错误标志(PGPERR)。
所以我想：
- 我在电压范围3中擦除了扇区
- 这给了我2.7到3.6v的规格
- 这给了我x32并行化的大小
- 我应该能写单词来闪现。
但是，这一行给了我一个错误(在解锁闪存之后)。
uint32_t sizeOfStorageType = ....; // Some uint I want to write to flash as test
HAL_StatusTypeDef flashStatus = HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, address++, (uint64_t) sizeOfStorageType);
auto err= HAL_FLASH_GetError(); // err == 4 == HAL_FLASH_ERROR_PGP: FLASH Programming Parallelism error flag
while (flashStatus != HAL_OK)
{
}但是当我开始写字节的时候，它会变的很好。
uint8_t *arr = (uint8_t*) &sizeOfStorageType;
HAL_StatusTypeDef flashStatus;
for (uint8_t i=0; i<4; i++)
{
flashStatus = HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_BYTE, address++, (uint64_t) *(arr+i));
while (flashStatus != HAL_OK)
{
}
}我的问题：
- 我是否正确地理解了在删除一个扇区之后，我只能写一个
TYPEPROGRAM？因此，擦除后，我只能写字节，或，半字，或，字，或双字？ - 在上述情况下，我遗漏了什么/做错了什么。为什么我只能写字节，而我用
VOLTAGE_RANGE_3擦除
回答 1
Stack Overflow用户
发布于 2021-06-27 12:50:58
这看起来像是一个数据对齐错误，但是不--参考手册中提到的与128位闪存行相关的错误。这个词可能只与双字书写有关，与你的情况无关。
如果您想一次编程4个字节，那么您的address需要对齐字，这意味着它需要被4整除。此外，address不是一个uint32_t* (指针)，它是一个原始uint32_t，因此address++将它增加1，而不是4。据我所知，Cortex M4核心会将总线上未对齐的访问自动转换为多个较小大小的对齐访问，但这违反了闪存并行规则。
顺便说一句，只要正确对齐，执行字节、半字和字写的混合操作是完全有效的。另外，与F0、F1和F3系列的flash硬件不同，您可以尝试覆盖以前编写的位置，而不会导致错误。0->1位更改被忽略.
https://stackoverflow.com/questions/68151043
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