问ARM缓存行为：“清除”或“无效”是刷新缓存内存的正确命令吗？

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这可能是一个愚蠢的问题，但我对ARM CMSIS Cache操作函数的措辞有些拘泥。

ARM CMSIS公开了可以“清除”缓存的函数、可以“失效”缓存的函数以及一组同时执行这两种功能的函数。

这些实际上做了什么还不清楚，而且arm文档坦率地让我感到困惑：

• 您可以在一次操作中使整个数据缓存(刷新数据缓存)失效，而无需回写脏数据。
• 您可以在不回写任何脏数据(刷新数据缓存单个条目)的情况下使单个行无效。
• 你可以逐行进行清洗.只有当遇到脏行时，数据才会通过写缓冲区写回，并且已清除的行保留在缓存中(清洁数据缓存单个条目)。您可以使用数据缓存中的索引或内存中的地址来清理缓存行。
• 您可以在一次操作中清理和刷新单个行，使用数据缓存中的索引或内存中的地址。

我的理解是，缓存中的“刷新”数据将导致将其写回主内存，而缓存中的“无效”数据将导致处理器在下一次访问有关数据的尝试中重新读取主内存。

然而，ARM文档似乎在暗示一个刷新操作实际上是一个无效操作，而我一直在想的是一个刷新操作实际上是一个“干净”操作。

我想我只是严重曲解了文件。有人能给我指明正确的方向吗？

我专门为皮层M7开发，如果它是相关的话。