问基本和，或，非，NAND，NOR，XOR，XNOR门的延迟时间有什么不同？

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如果你看看这些不同的门是如何构造的，你会发现一些差异的原因。逆变器由一个拉下晶体管和一个拉下晶体管组成.这是最简单的门，因此可能是最快的。NAND有两个串联的拉下器件和两个并联的拉出晶体管.NOR与NAND基本上是相反的。是的，而且通常只是NAND +逆变器。

当两个晶体管串联在一起时，路径的导通电阻会更高(使之变慢)，连接到单个节点的晶体管数目将增加捕获负载(使其变慢)。你可以通过使用更大的晶体管(电阻更低)来使事情更快，但这会增加驱动它的任何单元的负载，从而减缓电池的速度。

这是一个很大的优化问题，你可能不应该试图自己解决。这就是EDA工具的用途。

对于一个典型的fpga (基于LUT的逻辑元素)，根本没有区别。单细胞可以基于其产生的真值表实现一个复杂的函数，多个表达式可能折叠到单个单元格中，因此您甚至找不到单独的和/或/或“门”。

对ASIC来说可能不一样我不知道。但是在一个典型的fpga中，你没有门，有基于内存的查找表，实现其输入的复杂功能-- 4-6个输入，而不仅仅是2个。

您会发现，在足够大的设计中，路由成本比单个逻辑单元中的延迟要高得多。