问如何在安全的σ内部物理卷- MS-DOS (FAT32)磁盘上恢复文件？

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我认为格式操作在这里几乎可以肯定是一条红鲱鱼。

为了了解这里可能发生的事情，了解闪光电池背后的电子设备是很有帮助的。闪存卡内的闪存单元通常基于浮栅MOSFET原理。

MOSFET通常有三个连接:一个栅极、一个漏极和一个源。

一旦栅极电压超过源电压一定量，称为栅极阈值，或简称Vgs(th)，则允许电流从漏极流向源。MOSFET的栅极就像一个微小的电容器。一个电荷积聚在大门内，这就是最终控制一个电流是否可以穿过排水和源的东西。

因此，如果你把电压连接到栅极上并累积电荷，然后断开栅极，使它浮起(即不连接到任何东西)，栅处的电荷就没有地方可去，MOSFET继续工作，就好像你把它连接到一个电压源一样。如果你稍后将栅极连接回0V (地面)，栅上的电荷就会消散，MOSFET就会关闭。如果你在卸货后断开大门，就没有办法在大门上重新充电，这样它就不会再开了。

闪存细胞利用它作为一种记忆。闪光灯单元是通过将栅极连接到正电压或接地而写入的，然后再断开栅极。通过观察MOSFET是否将电压“拉”到地面来读取闪光灯。我把交互式仿真放在一起，让您来探索这一点：

这个模拟中的电容器表示存储在MOSFET栅极上的电荷，因为Falstad的晶体管模型不包括栅电容或电荷。

若要读取单元格，请单击并保持标记为" read“的开关。从单元格(1或0)读取的值将显示在右边。若要写入单元格，请单击左侧的输入，将其设置为1或0，然后按“写”开关。

当按下“读”开关时，10k电阻和MOSFET形成一个分压器。如果MOSFET栅被充电，则MOSFET是"on“的，因此它具有相对较低的电阻。这会使输出电压降至0V。如果MOSFET栅不充电，则MOSFET是“关”的，因此它具有较高的电阻。10k电阻器将电压提高到5V。

通过反转此输出(即0Vout意味着1，5Vout意味着0)，您将得到写入单元格中的原始值(1或0)。在实践中，这种反转通常是在写入时间而不是读取时间进行的，即您通过给门充电来写0位，而通过耗尽门电荷来写1位。

问题是MOSFET的栅极不是完全绝缘的。即使你完全断开它，少量的电荷也会在很长一段时间内“漏”进或漏出大门。过了一段时间，一个带电荷的栅极可能会失去如此多的电荷，以致于MOSFET在读取时不再有足够强的开关来降低电压，因此存储的1会退化为0(或者相反，这取决于具体的设计)。

闪光灯电池是专门设计的，以尽量减少栅电荷泄漏在MOSFET，但他们仍然不是完美的。总有少量的漏电流存在，部分原因是量子物理定律。这意味着闪存单元将不会在很长一段时间内保留其书面数据。

高端闪存系统(如SSD)包括一个内部擦除过程，它定期从单元中读取数据并将其写回单元格，以“补充”充电状态。这可以防止随着时间的推移而退化。然而，SD卡和USB闪存驱动器没有这一功能，他们不适合存档的目的。

降解过程不是确定性的，通常遵循半衰期模式，在较长的时间内，越来越多的细胞开始降解。根据闪光灯的技术和具体的设计，你通常预计在1-5年后会出现退化。

不幸的是，这个过程是不可逆的。一旦闪存单元中的电荷下降，您就无法判断它是存储0还是1。对于某些数据格式(例如文本)，您可能可以通过推断哪些位元可能已损坏而从某些轻量数据损坏中恢复，但对于JPEG，这几乎是不可能的。