我正在使用MAX10现场可编程门阵列,并有接口的DDR3内存。我已经注意到,与片上内存相比,我的DDR3内存运行缓慢。我知道这一点,因为我写了一个闪烁的LED程序,对于相同的延迟功能,与芯片内存相比,它的工作速度比DDR3内存快。可以做些什么来提高速度?可能是什么地方出了问题?我的系统时钟运行在50 My。附注:我的系统中没有指令或数据缓存。
https://stackoverflow.com/questions/44515842
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