半导体激光器阵列也是提高器件输出功率的有 效方法.在半导体芯片上集成多个激光单元,形成激 光阵列.激光阵列分为一维阵列(bar条)和二维阵列 (叠阵),一个激光 bar条的功率可达数十瓦.1995年,美国...Skidmore等报道了640nm 激光器阵列, 有源区为张应变量子阱结构,bar条长1cm,连续电流 下输出功率超过12W.2013年,德国Dilas公司报道 了56W 的红光激光器,该激光器采用二维阵列...,由7 个激光bar条堆叠而成,激射波长为638nm,输出功 率高达56 W .2017年,日本索尼报道了644nm 的阵列,最大输出功率达20.1W .激光器阵列虽 然输出功率大,但是其光束质量较差,...上图对国内外产品用于激光显示的红光半导体激光器的功率水平进行了总结,其中λ 为激光器的输出 波长,P 为激光器的输出功率.从表中可以看出大 功率红光半导体激光器普遍采用非吸收窗口结构; 此外,我国红光半导体激光器的输出功率与国际水