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离子注入

今天聊一下半导体工艺的一个知识,离子注入。离子注入是半导体掺杂以及改性常用的一个工艺。...离子注入机就是很关键的一环。...注入机是高压小型加速器中的一种,是由离子源得到所需要的离子,经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流,用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入,还能用于太阳能电池等的制造。...离子注入机的内部结构示意图如上,等离子体产生之后,经过加速器等控制,打到行星盘上。 在wafer上离子是每一个点一个点的注入打击。 注入机外观: 上两个国产的设备,中科信电子的。...目前,全球离子注入机根据其下游应用不同,可以分为IC离子注入机和光伏离子注入机,IC离子注入机方面,美国的应用材料几乎垄断了市场,占据了70%左右的市场份额,其次为Axcelis(亚克士),占据了近20%

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离子刻蚀技术

最早报道等离子体刻蚀的技术文献于1973年在日本发表,并很快引起了工业界的重视。...等离子刻蚀的原理可以概括为以下几个步骤: ● 在低压下,反应气体在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体,等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团...在平行电极等离子体反应腔体中,被刻蚀物是被置于面积较小的电极上,在这种情况,一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成,并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面,这种离子轰击可大大加快表面的化学反应,...由于电子在磁场和电场的共同作用下将作圆柱状回旋运动而不是电场下的直线运动,磁场的存在将直接导致反应气体电离截面的增加,磁场的引进会增强离子密度,并使得等离子刻蚀技术可以在更低气压下得以运用(<10mT)...由于离子密度的增加,撞击表面的离子能量也可以在不降低刻蚀速率的情况下被降低,从而提高刻蚀选择比。

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如何实现动态添加的元素添加点击事件

在页面开发过程中常常遇到需要动态添加元素,然后给这一元素绑定相关事件的情况,这种情况下一般需要给元素加上相关属性,然后写这些元素的事件函数即可。动态添加的元素怎么绑定事件呢?...原生JavaScript 原生JavaScript主要有2种实现方式,第一种是在动态添加的html代码中添加oclick事件,然后传递一个唯一的参数来判断点击的是哪个,然后做相应的操作。...第二种是通过事件委托的原理进行处理,事件委托将一个 事件监听器实际上绑定到整个容器,然后每个列表项被点击就可以访问,这样效率更高。...function(){} ); 可以替换为以下on()方法: $(document).on( eventName, selector, function(){} ); ---- 例如,如果您的页面使用类名动态创建元素...,dosomething您会将事件绑定到已经存在的父级(这是这里问题的核心,您需要绑定到存在的东西,不要绑定到动态内容),这可以(也是最简单的选项)是document.

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离子清洗机中射频等离子体的工作机理

在现代科技的推动下,等离子体技术在各个领域中扮演着重要角色。而PLUTO-T型等离子清洗机作为其中的一员,其独特的工作机理使其成为清洗领域的一颗璀璨明星。...PLUTO-T型等离子清洗机采用射频等离子体来进行清洗工作。射频等离子体是一种高能离子化的气体,具有高温、高能的特点。其工作原理基于电离和化学反应的相互作用,通过释放大量能量来清洗物体表面。...具体来说,PLUTO-T型等离子清洗机中的射频等离子体是通过一个射频发生器产生的。该发生器会产生高频电场,将气体离子化并加热,形成高温高能的等离子体。...这些等离子体被喷射到待清洗的物体表面,通过碰撞和化学反应来去除表面的污垢和污染物。射频等离子体清洗的过程中,有两个主要的作用机制。...总而言之,PLUTO-T型等离子清洗机中射频等离子体通过离子轰击和化学反应的双重

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离子清洗机中氧等离子体刻蚀对石墨涂层的性能研究

在氧等离子体轰击石墨涂层的过程中,基本的反应就是,氧等离子和石墨涂层中的表层C原子发生氧化反应,不论是生成了CO2或者CO,在等离子清洗机的反应腔内,是属于一种真空状态,所以反应的气体就会被抽离真空反应腔...,而相反各项异性水平刻蚀机制是指的是在同时刻蚀缺陷的情况下,氧等离子体刻蚀会优先寻找下层的缺陷在上层石墨涂层的缺陷被刻蚀的同时氧等离子体会优先寻找下层石墨涂层的缺陷,对于整体的石墨涂层陷刻蚀速率远大于非缺陷处的刻蚀速率...PLUTO-T等离子清洗机处理石墨案例       处理前  样品上贴了一片盖玻片作为阻挡        在经过PLTUO-T等离子清洗机处理之后,我们可以发现相对于处理前,处理后发生了很明显的变化。...,等离子体的流量,一定程度上可以制备出可控缺陷的石墨涂层。...说明氧等离子体刻蚀石墨涂层这一方法在制备石墨涂层方面有潜在的应用。

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离子注入工艺的设计与计算

介绍工艺之前,我们先聊一下昨天一个朋友提到的日本日新的离子注入设备。日本日新是全球3大离子注入设备商之一。 1973年的时候,该公司就开始做离子注入的工艺设备。 目前的主要业务设备如上表。...重点介绍激光领域用到的一款设备: 主要是注入H离子用的,可以达到400KeV的H+离子注入。...日新株式会社将在扬州经济技术开发区投资兴建离子注入机设备生产厂。 离子注入工艺参数 00 离子注入就像上图一样,把离子砸到晶圆中。涉及到使用的力度、数量、角度,砸进去的深度等。...设备可以选择工艺需要的价态离子进行注入。 如果单电荷可以做到400KeV的能量的话,对应3+离子可以做到1200KeV,可以直接倍速关系。...如果我们只知道需要掺杂的剂量,和离子能量,如何计算注入离子在靶材中的浓度和深度 例如一个140KeV的B+离子,注入150mm的6寸硅片上,注入剂量Q=5*1014/cm2,衬底浓度2*1016

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