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向碳基芯片更进一步:台积电、斯坦福等联手开发碳纳米管晶体管新工艺,性能逼近硅元件

鱼羊 编译整理 量子位 报道 | 公众号 QbitAI 5nm才刚尝上鲜,台积电的3nm厂房也已竣工,甚至传出2nm工艺取得突破的消息。 眼看着摩尔定律极限将至,下一步突破,恐怕就要看碳纳米管的了。 毕竟,芯片制造工艺达到5nm,就意味着单个晶体管栅极的长度仅为10个原子大小。而碳纳米晶体管的直径仅为1nm。 并且,导电更快、效率更高。 但从1998被提出至今,碳纳米管芯片仍存在一系列设计、制造和功能上的问题,比如其在逻辑电路中充当开关时的控制问题。 现在,由台积电首席科学家黄汉森领导,来自台积电、斯坦

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