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谷歌实现量子霸权的超导量子比特，或将败于光子量子比特

所有这些都表明，量子计算的前景在过去十年中已经趋于稳定。现在，我们可以选出一些可能的赢家和一些确定的输家了。 为什么赢家会赢，输家会输？ 但为什么赢家会赢，输家会输呢?...每种材料中的量子比特都是由类似的物理原理构成的。污染物质不能满足邻近原子的键合要求，会留下一个孤立的电子或带正电荷的原子核(离子)。...这些问题几乎适用于所有基于空位的量子比特系统，这就是为什么我们对它们的了解越来越少。 固体太过复杂 离子在晶体中的情况，例如钇铝石榴石中的镱，有点不同。在这里，量子态通常不存储在单个镱离子中。...相反，这种状态散布在离子群中，这使得它难以置信的强大——是寿命最长的量子态之一。但是，这也使得定义量子比特的位置变得有点困难。事实上，该位置是由光学定义的，聚焦于用于设置和读取量子态的光。...以相同的起始状态获得大量的里德伯原子绝非易事。 非常明确的获胜品质 现在将其与离子阱量子计算机和超导量子比特计算机进行比较。在离子阱的情况下，量子态被存储在单个离子阱中，并从其中读取信息。

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离子注入工艺的设计与计算

介绍工艺之前，我们先聊一下昨天一个朋友提到的日本日新的离子注入设备。日本日新是全球3大离子注入设备商之一。 1973年的时候，该公司就开始做离子注入的工艺设备。 目前的主要业务设备如上表。...详细的可以去它主页了解。 重点介绍激光领域用到的一款设备： 主要是注入H离子用的，可以达到400KeV的H+离子注入。...日新株式会社将在扬州经济技术开发区投资兴建离子注入机设备生产厂。 离子注入工艺参数 00 离子注入就像上图一样，把离子砸到晶圆中。涉及到使用的力度、数量、角度，砸进去的深度等。...因此在一锅Plasma中，一价的离子是最多的。 一般的离子注入机都有电荷的能力，原理大家可以想象高中学的什么库仑作用力吧，带的电荷不同，电磁场中获得的动量不同。...如果我们只知道需要掺杂的剂量，和离子能量，如何计算注入离子在靶材中的浓度和深度 例如一个140KeV的B+离子，注入150mm的6寸硅片上，注入剂量Q=5*1014/cm2，衬底浓度2*1016

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图扑数字孪生工厂合集 | 智慧工厂可视化，推动行业数字化转型

数据大屏 通常用于展厅展示，展厅通常会搭建显示器矩阵或者是超长 LED 屏，所以大屏尺寸比例需求会千变万化，而 HT 产品与服务都能满足。...，辅以传送带设备状态、带煤量等监测数据，所见即所得地展示出全厂工艺。...安全四色图和疏散路线展示功能一般通用于所有工工厂项目，四色即四种状态：重大风险、较大风险、一般风险、低风险，将工厂进行分区，根据风险数据的范围，对分区进行染色，直观展示出全厂风险分布。...；另一方面，用一条直观的直线流程展示出燃煤发电厂的主要发电工艺： 输煤栈桥→筛煤机→碎煤机→输煤皮带→给煤机→磨煤机→锅炉→汽轮机→发电机→主变→升压站→电网 燃煤发电厂就是这样通过煤的燃烧实现“化学能...科技感入场动画 系统的初始化场景，以科幻风格芯片形式作为加载动画，随后切换至工厂主场景，展示出微观到宏观的过渡效果。

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离子注入

今天聊一下半导体工艺的一个知识，离子注入。离子注入是半导体掺杂以及改性常用的一个工艺。...注入机是高压小型加速器中的一种，是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还能用于太阳能电池等的制造。...离子注入机也是集成电路制造前工序中的关键设备，半导体为改变载流子浓度和导电类型需要对半导体表面附近区域进行掺杂，而离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制...离子注入机的内部结构示意图如上，等离子体产生之后，经过加速器等控制，打到行星盘上。 在wafer上离子是每一个点一个点的注入打击。 注入机外观： 上两个国产的设备，中科信电子的。...光伏离子注入机主要应用于太阳能电池制造，其生产厂商较少，主要为凯世通，intevac和日本真空。 APL目前有以下几款离子注入机

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科普｜功率半导体分立器件基础知识了解一下？

功率半导体分立器件的发展经历了以晶闸管为核心的第一阶段、以MOSFET和IGBT为代表的第二阶段，现在正在进入以宽禁带半导体器件为核心的新发展阶段。...包括湿法刻蚀、干法刻蚀及等离子增强反应离子刻蚀、电子回旋共振刻蚀（ECR）、感应耦合等离子体刻蚀（ICP）等其他先进蚀刻技术。...❖ 离子注入工艺技术 离子注入是通过高技术设备将器件需要的掺杂元素注入到硅片中。 ❖ 扩散工艺技术 半导体掺杂工艺的主要目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。...从应用的角度，PIN二极管可以分成整流二极管与快恢复二极管。...主要应用于高压大电流场合，如智能电网、高铁/动车组等。 ❖ 宽禁带功率半导体器件 SiC功率半导体器件包括SiC功率二极管、SiC JFET、SiC MOSFET、SiC IGBT、SiC功率模块。

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BMS开发-电池简介

锂离子电池按照不同的分类方法可以分为不同的种类，常见的有这几种分类方法 不同材料体系的电池特点如下： 锂离子电池种类 电压(V) 可循环次数(次) 优缺点 钴系锂离子电池 3.7 500~1000 得到广泛普及成为锂离子的标准电池...；昂贵，未被用于车载用途 锰系锂离子电池 3.7 300~700 安全性高；能快速充电、快速放电 磷酸铁系锂离子电池 3.2 1000~2000 廉价且循环寿命（因充放电而老化）、日历寿命（搁置而老化）...而作为阳极的碳呈层状结构，它有很多微孔，到达阳极的锂离子就嵌入到碳层的微孔中，嵌入的锂离子越多，充电容量越高。...放电时，Li+通过隔膜从阳极移动到阴极，电子无法通过隔膜，只能通过外面电路的负极移动到正极。（电子带负电，电子方向是负极到正极，电流方向就是正极到负极。）...PE聚乙烯(Polyethylene) 负极片： 负极物质：负极极材料（活性材料）、粘结剂、增稠剂 负极集流体：铜箔 负极极耳：镍带 常见的正极物质 锂离子电池正极材料，为锂离子电池提供充放电过程中的活性物质

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MIT重新发明飞机：无需燃料，每秒万米喷射带你上天 | Nature封面

一旦给导线通上电，强大的电场就会让正极吸引周围的氮气分子，把电子从氮气分子上剥离出来，就像巨大的磁铁吸引铁屑一样。本来中性的氮气分子在失去电子后，变成了带正电的离子。 ?...△ 一个分子撞击多个分子，dai'odaida导致雪崩式电离 被电离的氮气气分子又被吸引到带负电的电极，在赶去负极的路上，氮离子又会撞上其他氮气分子，把它们变成正离子，就好像“雪崩”一样。...正离子在高电压作用下飞向飞机尾部，形成一种离子组成的“风”。 ? 在这个过程中，每个离子与其他空气分子碰撞数百万次，产生推动飞机前进的推力。 ? 现代版莱特兄弟 ?...△ 用于宇宙飞船的离子推进器 “充电2小时，飞行1分钟”。这台飞机引擎的输入功率是600瓦，54节锂电池大约只能供电90秒。 效率太低。输入功率600瓦，输出功率只有15瓦。...Barrett教授并不幻想“离子引擎”飞机很快就能用上。 他预计，在短期内，这种离子风推进系统可用于飞行时间较短的无人机，避免恼人的螺旋桨噪声问题。

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等离子体处理对壳聚糖膜表面形貌的影响

射频等离子清洗机对壳聚糖表面形貌的影响壳聚糖是一种生物衍生的带正电荷多糖，具有优良的生物相容性和降解性能，近年来，由于其优良的成膜性能和良好的光学性能，壳聚糖膜在角膜组织工程及角膜修复材料研究领域得到越来越广泛重视...等离子体可以对材料进行表面改性处理，在材料表面引入自由基或活性官能团，其作用区域仅限于材料表面Z向100nm范围以内，而对材料本体性能不产生影响。近年来已广泛应用于生物材料的表面改性研究。...在此，我们仅以等离子体表面处理对壳聚糖膜表面形貌影响做一些讨论和演绎未经等离子处理的AFM图O2 100W 60S处理后的AFM图片O2 150W 60S处理后的AFM图片100W的等离子体处理壳聚糖膜表面光滑平整...经过氧气等离子体处理后的壳聚糖膜表面AFM图，可以看出为等离子体刻蚀的作用，壳聚糖膜表面变得较为粗糙，表面粗糙度Rms增加为5.252nm。表面粗糙度的适当增加将有利于材料表面细胞的黏附。...主要原因是等离子体处理后暴露大气，表面活性自由基与空气中的氧气、水汽等反应是等离子体处理样品表面极性化的主要过程，表面氧含量得到增加。

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锂电池漏液检测技术——PID光离子化检测器

针对锂电池行业电池小型化的特点和电解液漏液浓度低而不易检测等技术挑战，将PID（Photo-Ionization Detector光离子化检测器）技术应用于锂电池VOC气体快速检测，为用户提供了有效的锂电池漏液检测产品...借助紫外光的特性，有机气体分子在电离室受到紫外光激发，激发后的有机气体分子被电离成带正负电荷的粒子，在极化极板的电场作用下，带电荷的粒子向极板撞击，形成可被检测到微弱电流。...锂电池漏液检测泄漏物质检测，电池一旦发生漏夜，其内部的电解液会流到电池外，如果能够敏感的检测到电解液，就可以判断电池是否发生漏液, 将PID（Photo-Ionization Detector光离子化检测器...）技术应用于锂电池VOC气体快速检测,利用一组光离子化传感器PID ( photo ionization detector )对有机挥发组分进行检测，用于微量VOC挥发检测，工作过程及原理是:通过内置的空气泵将待检测环境的气体吸人光离子化器中进行电离...PID光离子化检测器NO.检测气体传感器型号量程分辨率技术原理1VOCSPID-AH53ppb-40ppm0.001PPMPID2VOCSPID-AR510ppb-200ppm0.001PPMPID3VOCSPID-AY51.5ppb

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等离子刻蚀技术

图1显示了这种反应室的剖面示意图和重要的实验参数,它是由下列几项组成：一个真空腔体和真空系统,一个气体系统用于提供精确的气体种类和流量,射频电源及其调节匹配电路系统。...等离子刻蚀的原理可以概括为以下几个步骤： ● 在低压下,反应气体在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体,等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团...在平行电极等离子体反应腔体中,被刻蚀物是被置于面积较小的电极上,在这种情况,一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成,并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面,这种离子轰击可大大加快表面的化学反应,...自从最初的平行电极型等离子体反应室被用于芯片制造以来,随着芯片尺寸的不断扩大及图形尺寸的不断减小,平行电极等离子刻蚀设备在过去20年中已得到了很大的改进,虽然其原理还是一样,但最大的改进在反应腔室周围加上磁场...由于离子密度的增加,撞击表面的离子能量也可以在不降低刻蚀速率的情况下被降低,从而提高刻蚀选择比。

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R语言实现质谱数据的离子峰获取

做代谢研究的朋友们应该都很熟悉一个R包xcms，此包功能很强大，可以直接获得对应的离子峰数据。并且也提供了一个离子在metLin数据库的匹配功能。...我们今天就介绍其依赖的一个确定离子峰的R包CAMERA。此包主要用来识别样本的离子峰，从而获得一个样本中所具有的离子峰总数，以及对应的每个离子峰的核质比和保留时间。...install("faahKO") 接下来我们直接通过实例看下包中的各个功能： 1. annotate 用于同位素峰、加合物和片段的自动注释。...3. findAdducts 在上面获得离子峰后，由于不同的电离模式样本所带的标准离子H, Na, K, NH4和CL都可能的结合。...7. groupFWHM 获取样本的伪谱信息，将数据基于保留时间进行分组。然后基于groupCorr对各离子之间行进基于离子峰面积的离子归类。至此获得校正后的各离子数据。

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Drug Discov Today｜小分子药物的特性趋势分析和可开发性评估

分子亲油性（a）、离子类别（b）和靶点类别（c）的柱状图，作为FDA批准的口服分子的函数（带批准年份） 唯一经得起时间考验的参数似乎是HBD（H-bond donor）。...理化性质及其与关键性能参数（溶解性、渗透性、ADMET特性和可制造性）的关系 溶解度 Yalkowsky开发的一般溶解度方程提供了一个工具，用于根据两个参数（log P和熔点（℃））来估算热力学溶解度...作者进一步提出，对于带负电荷的酸来说，重要的性质是PSA，而其他离子类的口服生物利用度可以通过Lipinski的五项规则来预测。...随着时间的推移，FDA批准的口服分子的离子类分布没有明显变化（图2b），阴离子只占批准数量的20％∼。与其他离子类相比，带负电荷的酸类也有较高的血浆蛋白结合率、较低的分布容积和较低的体内清除率。...作者进一步建议，从基于靶点的药物发现计划中出现的药物，其LE和LLE值最好有一个或两个大于所有已知作用于靶点的其他化合物的中位值。

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AI成功预测等离子体撕裂登Nature，清洁能源「圣杯」更近一步

用于控制的强化学习系统设计 根据论文的介绍，研究人员设计的AI控制器，能够根据监测到的等离子体状态自动调节控制器的工作，从而在确保等离子体稳定性的同时，尽可能提升其压力。...图1c：能够处理测量信号，并生成对应的执行器指令的控制系统架构。 图1d：基于DNN的AI控制器能够根据经过训练的策略，决定整体束流功率和等离子体形状的高级控制命令。...具体来说，观测的是电子密度、电子温度、离子旋转、安全系数和等离子体压力的曲线。 实验结果 图3b中的黑线展示了一个因撕裂不稳定而导致的等离子体中断的例子。...这次放电期间，AI控制器根据等离子体的实时数据，制定出束流功率和形状的调整指令，由等离子体控制系统（PCS）转化为具体的操作，如调整磁线圈电流和精确控制八束束流的功率。...这表明，AI不仅能够成为控制核聚变反应的有效工具，还能作为一种新的教学资源，帮助我们从不同角度理解和探索聚变科学。

16510

北科大教授用统计学证明：LK-99存在室温超导可能！中科院物理所再证伪

如下图所示，量子力学计算表明新的LK-99整体能带结构也具有非常有趣的特征。 与氧化铜类似，它也有一个宽的内耦合带，其轨道相互作用比氧化铜更为复杂。...P的DOS显示出sp杂化的迹象，作为阳离子特性，P3s轨道明显低于氧离子的 2s。如果引入更多电子，系统的费米面将上升到P3p带。即使不考虑费米面位置的变化，新体系的特征带宽也会比氧化铜宽得多。...研究团队相信，材料定律是超导理论的基础，它打开了一扇窗，能更清晰地看到神秘的室温超导世界。 从这个角度看，阐明这一规律与实验证实室温超导同样重要。...网友的评价 知乎上，大家对这篇论文也从各个不同的角度发表了看法。 来源：张子立 认为陈教授的论文中提出的统计学规律依据的样本太少了，不是很靠谱。 但同样有知友认为，别不把统计学不当科学。...另外，论文的图3也进行了很大改动，晶体结构中的许多Pb离子被替换成了Cu2+，尤其是一维超导态的通路部分，Pb离子被全部替换成了Cu2+。

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马斯克放的卫星被曝3%已成太空垃圾，占资源位置，最坏还能“锁死”地球人

所谓“失效”，是指这些星链卫星，已经不再受到地面指令控制、也无法变轨。 McDowell教授表示，虽然3%的故障率不算高，但考虑到SpaceX的卫星互联网计划规模庞大。...它出现于上世纪60年代，其原理是先将气体电离，然后用电场力将带电的离子加速后喷出，形成反作用力实现推动。 通常，业内使用氙离子来作为离子推进器的离子源（燃料）。...而SpaceX出于节约成本，选择的则是氪离子。虽然氪比氙更不易电离，但是氪离子的价格比氙离子源便宜近10倍，这是出于商业的考虑。...如示意图所示，卫星能够使用从地面传输的空间碎片威胁信息数据，或者得到指令，使用自身携带的四个动量轮系统，配合离子推进系统来实现碰撞规避。...在当初马斯克的星链雄心曝光时，就有人“厚黑”的角度这样评价： 互联网卫星是解决偏远地区的好办法，但是倘若因为技术不成熟导致“太空灾难”，那就太得不偿失了。

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大语言模型的可信之路：TrustLLM全面揭秘

此外，作者开源了用于快速评估 LLMs 的 toolkit，并且维护了一个 leaderboard 来展示 LLMs 的可信赖的表现。...在这一部分，作者将鲁棒性与恶意攻击（在安全性部分讨论）区分开来，并从普通用户输⼊的角度研究鲁棒性问题。...具体来说，他们从两个角度探索 LLMs 的鲁棒性：它们处理输⼊中的自然噪声的能力以及它们应对分布外（OOD）挑战的反应。...他们的目标是确保语法和语义上的明确性和正确性。此外，他们确保语义直接明了，最大限度地减少 LLMs 的误解可能性。 指令遵循能力。与此同时，LLMs 本身的指令遵循能力也对评估构成挑战。...此外，他们尝试避免引⼊复杂的指令，并通过⼈类专家的讨论制定精确易懂的提示，让即使是能力较弱的 LLMs 也能理解指令的含义。 大型语言模型认证的挑战。

21710

化合物纯度、溶剂溶解度检测 | MedChemExpress

核磁共振波谱学是光谱学的一个分支，其共振频率在射频波段，相应的跃迁是核自旋在核塞曼能级上的跃迁。主要用于鉴定分子的结构，样品的纯度。...质谱 MS 分析：横坐标是质荷比，即离子的质量和质子所带的电荷之比。纵坐标是离子流的强度，最高峰为基峰。...RP-HPLC，可分离产品与杂质，一般用于纯度测定。NP-HPLC 是采用极性固定相 (如带有二醇基、氨基、和氰基的固定相及硅胶、三氧化二铝等)、非极性流动相 (如正己烷等) 的分离方法。...我们一般用于手性异构体的纯度测定，如 ee (enantiomeric excess) 值和 de (Diastereomeric excesses) 值，也就是手性 HPLC。...正相 NP-HPLC 一般用于手性纯度，ee 值或 de 值检测。 以上是我们常规的检测方法。

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博捷芯划片机：主板控制芯片组采用BGA封装技术的特点

基板或中间层是BGA封装中非常重要的部分，除了用于互连布线以外，还可用于阻抗控制及用于电感/电阻/电容的集成。...2、封装工艺流程 圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→等离子清洗→引线键合→等离子清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试斗包装。...三、引线键合TBGA的封装工艺流程 1、TBGA载带 TBGA的载带通常是由聚酰亚胺材料制成的。在制作时，先在载带的两面进行覆铜，然后镀镍和镀金，接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形。...因为在这种引线键合TBGA中，封装热沉又是封装的加固体，也是管壳的芯腔基底，因此在封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。...2、封装工艺流程 圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装。 ?

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硅波导加工中的几个小问题

(图片来自文献1） 硅材料通过反应离子刻蚀(reaction ion etching, 以下简称RIE)的方法进行刻蚀，其基本原理如下图所示， ?...（图片来自https://cleanroom.groups.et.byu.net/rie_etching.phtml） 整个装置由两个电极1和4构成，带负电的离子被加速，与正极处的SOI晶圆表面发生碰撞...，F离子会与Si发生化学反应。...目前，文献2采用在850℃的氢气中退火的方法，实现了在O波段下0.1dB/cm的传输损耗。 ? （图片来自文献5） 刻蚀的速率与开口区域的大小有关，并直接影响最终波导的形貌。...从设计者的角度，需要充分理解工艺，在设计过程中，考虑到加工的不完美性。往往需要经过多次迭代，和foundry之间深度合作，才能实现性能比较优异的器件。

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