对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。 场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。...对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流（经过MOS管的电路）、开启电压（让MOS管导通的G、S电压）、工作频率（最大的开关频率）。...这里给大家分享一个自己的分辨P沟道和N沟道的方法，我们就看中间的箭头，把G（栅极）连接的部分当做沟道，大家都知道PN结，而不是NP结，那么就是P指向N的，所以脑海里想到这样的情景 P–>N，所以箭头都是...在电路中的典型应用如下图所示，分别为N沟道与P沟道的MOS管驱动电路： 我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通...重点、重点、重点：以上两个应用电路中，N沟道和P沟道MOS管不能互相替代，如下两个应用电路不能正常工作： 对于上面两个电路如何修改能正常工作？
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。...顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。...MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。...这里要注意到实际上该电路的DS接反，这样由附生二极管导通导致了开关管的功能不能达到，实际应用要注意。 来看这个电路，控制信号PGC控制V4.2是否给P_GPRS供电。...此电路中，源漏两端没有接反，R110与R113存在的意义在于R110控制栅极电流不至于过大，R113控制栅极的常态，将R113上拉为高，截至PMOS，同时也可以看作是对控制信号的上拉，当MCU内部管脚并没有上拉时
使用MOSFET搭建双向电平转换电路，是比较常见的做法，电路如图1中虚线框所示，MOS管的部分参数如图2所示。...图1 图2 电路原理很简单，分两种情况： 1.从A到B A为高电平时，MOS管关断，B端通过上拉，输出高电平； A为低电平时，MOS管内的体二极管导通，使MOS管的S极被拉低，从而使Vgs=...一直以来使用这个电路没有出现过问题，所以这次也是不假思索的照搬过来，但结果是上电后，模块B无法正常启动工作。...在该电路中，信号流是从B到A单向传输的，因此想到可以去掉电阻R2，那样B点在上电瞬间就不会有上拉电压，但是实际去掉R2后，模块B依旧无法启动。...因此，如果想要继续使用该电平转换电路的话，必须加大上拉电阻R1和R2的值，使分压后的B点电位达到低电平标准，但是上拉电阻改的太大的话，A端高电平可能会有问题，所以最终选择使用两个三极管组成的电平转换电路
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。 一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。...因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。 怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢？...大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。...综上，MOS管驱动电路参考： MOS管驱动电路的布线设计： MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小，否则可能会引入外来的电磁干扰。...常见的MOS管驱动波形： 如果出现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧。有很大一部分时间管子都工作在线性区，损耗极其巨大。 一般这种情况是布线太长电感太大，栅极电阻都救不了你，只能重新画板子。
现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。 由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。...NMOS管防止电源反接电路： ?...电源接反时：UGS=0，MOS管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路安全。 PMOS管防止电源反接电路： ?...电源接反时：G极是高电平，PMOS管不导通。保护电路安全。 连接技巧 NMOS管DS串到负极，PMOS管DS串到正极，让寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向。 感觉DS流向是“反”的？...仔细的朋友会发现，防反接电路中，DS的电流流向，和我们平时使用的电流方向是反的。 为什么要接成反的？ 利用寄生二极管的导通作用，在刚上电时，使得UGS满足阀值要求。
1 mos管和三极管是构成芯片的基础元件，分立mos，三极管在我们平常的电路中也是用的最多的。 mos是电压控制型元件，而三极管是电流控制型元件。...分别在mos的GS和三极管的IB给到一定的电压和电流，在mos的DS和三极管的CE就会有相应的电压变化。根据这个变化可以做成放大电路和开关电路，开关电路即放大电路的状态达到饱和状态。...今天分享MOS的两个开关电路 2.电平转换电路 这个电路是双向电平转换电路 分析：当uc_io为低电平时，M1导通，V2的电流流过R2，经过M1的DS到uc_io的低电平，从而实现PER_IO...这个电路的优点：使用的元器件少，电路设计方便。 缺点：对MOS的导通速度有要求，也和总线速度有关，可以用在IIC和uart中。...1K到4.7k,根据实际情况选择合适的基极电流，让三极管进入饱和状态，还有就是R2,如果是NPN型的话，就选择下拉到地，让三极管在默认状态可靠下拉，PNP管的话要上拉到电源端。
1、NPN三极管 下图使用NPN三极管搭建的电平转化电路属于单向的电平转换 信号发生器：3.3V，10k，50%，方波 注意事项：（1）该电路的信号只能单向传输，b→c。...备注：该电路所能达到的转换速度主要由三极管的导通延时和c极的放电回路所产生的延时、三极管的断开延时和c极的充电回路所产生的延时产生。...管的Vgs导通电压，一般涉及到1.8V的电路需要注意器件选型； （3）MOS管所能达到的开关速度约为100khz左右（需要将R1改为0Ω），下次补上实际的测试数据...将R1改为0Ω便解决了电荷泵的峰值问题，且开关速度能大幅提高，达到100k左右，因为此时的R1*Cgs的延时变小了，MOS管开关速度变快了。...MOS管是电压驱动型，R1改为0Ω不会存在什么问题。
电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。本文要讲解的电源开关电路，是用MOS管实现的，且带软开启功能。...电路说明 电源开关电路，尤其是MOS管电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，如下框图所示。...此时等效电路图如下。 此时电源 +5V_IN 刚上电，使MOS管G极与S极等电势，即Vgs = 0，令Q1关闭。...3、电源 +5V_IN 上电完成后，MOS管G极与S极两端均为5V，仍然Vgs = 0。...MOS管打开时的电流流向如下图所示： 5、电源打开后，+5V_OUT 输出为5V电压。
我觉的最主要的原因莫过于MOS管绝佳的性能，如简化驱动电路、自适应能力强、抗干扰能力强等性能使得MOS管崛起的速度快，今天我们要说的是MOS管在驱动电路中的核心设计，为何能让MOS管在竞争如此激烈的电子市场存活...一、MOS管驱动电路的原理： 电子工程师一般认为MOSGUAN 是通过电压驱动的，不需要驱动电流。然而，就在MOS管的G S两级之间有结电容存在，也正是这个电容让驱动MOS变的神秘莫测。...MOS管如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。...大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。...二、MOS管驱动电路注意事项： 因为驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，
mos与三极管 pwm调光 晶振 基本逻辑和符合逻辑 模拟cmos集成电路 模拟电路vs集成电路 尽管信号处理转到数字领域，但模拟电路也是必须的 自然界一般处理方式 可以改为多电平信号来干活...各种信号 电路 电路模拟分类 高低电平 定义
本篇博文分享在实际工作中经常使用的一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路，关于三极管和MOS管的基础使用方法可以参见下文说明。...一文搞懂三级管和场效应管驱动电路设计及使用 最近在工作中见到一种开关控制电路，MCU控制三极管，然后再控制MOS管，如下图所示： 电路解析： 当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V...这个和三极管和MOS的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。...所以MCU先连接控制三极管； 而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要...一般MCU IO输出电压为3.3V，很可能无法打开MOS管，所以MCU不直接连接控制MOS管。而且三极管带负载的能力没有MOS管强，所以MCU控制三极管，然后再控制MOS管来控制负载设备。
但其主要工作模块基本都由马达、风扇、滤网等组成，在使用时机器内的马达驱动风扇转动，使空气循环流动，污染物就会随着空气通过滤网，此时滤网将清除或吸附这些污染物，并不断电离空气产生负离子，通过微风扇送出后，...在空气净化器的工作线程中，开关电源、同步整流、电机驱动都需要使用到mos管。 ▎精彩推荐 牛人讲解微分、积分电路 什么是贴片电阻？...三极管工作原理分析，精辟、透彻 运放基本电路超全解析 NE555芯片内部介绍与实战电路设计与讲解 盘点IGBT与MOSFET的区别 超详细的开关电源知识 电路基础：线性稳压电源的设计 三极管高级应用
逆变器，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的器件，由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回路...C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图4）。...电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。...由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图5）。工作原理同前所述。...这里需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接 发布者：全栈程序员栈长，转载请注明出处：https://javaforall.cn
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。...PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。...3、MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。...5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。...如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。
一、MOSFET介绍 今天和同事讨论起了公司用到的一个MOS管开关电路，针对其中的几个关键点做了比较系统的分析总结。...管开关电路 如下为一张典型的N沟道增强型MOS管开关电路原理图： D1作用： 续流二极管 R1作用： 1、限流电阻，减小瞬间电流值：MOS管属于压控型器件，两两引脚之间存在寄生电容（Cgs、Cgd...EMI：同时，加上R1后，MOS管通断切换时间会变慢，有利于控制EMI；但是如果串接的电阻太大，会导致栅极达到导通电压的时间变长，也就是说MOS管处在半导通状态的时间太长，此时MOS管内阻较大，Rds-...>Rdson的时间比较长，Rds会消耗大量的功率，可能导致MOS管因发热而损坏 3、抑制栅极振荡： MOS管接入电路后，引入引线寄生电感，会与寄生电容形成LC振荡电路，对于方波这种开关波形信号来说包含很多频率成分...： 那么就可能在某个谐振频率相同或者相近时形成串联谐振电路，串接一个电阻后会减小振荡电路的Q值，从而使振荡快速衰减 R2作用： 1、G极对地电阻（一般5KΩ~数十KΩ），通过下拉为MOS管提供一个固定偏置
2-MOS管沟道和寄生二极管 箭头指向G极的是N沟道； 箭头背向G极的是P沟道； 寄生二极管方向均是与箭头方向一致的； 3-MOS管万用表测量 借助寄生二极管来判定： 将万用表调到二极管档，红表笔接...4-MOS管做开关时电流方向 如图中红线箭头所示电流流向，导通条件是：|Ugs|>|Ugs(th)| PMOS管源极接VCC（高端驱动），NMOS管适用于源极接地（低端驱动）； 符号画法 如何画对...MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。...这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。 为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。...3、双电压应用 在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
目录 1、二极管防反接电路 2、桥式整流管防反接电路 3、MOS管防反接电路 ---- 电子产品设备在使用的过程中最容易且最致命的一个错误操作就是：正负极接反，运气好没啥大事，通常轻则烧毁电源电路器件，...二极管具有正向电压降，压降范围为0.7V~3V，对于低电压而言可能不适用，分压后可能导致负载电压不够。...所以这种只能用在小电流，要求不高的电路中。 2、桥式整流管防反接电路 桥式整流管是由4个二极管组成，不论输入电源正负怎么接，输出极性都是正常的，如下图所示： ? ?...3、MOS管防反接电路 MOS管是一种压控型的半导体器件，可以分为P-MOS和N-MOS，其内阻很小（压降小），可利用其开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路。...与P-MOS管相比，N-MOS管导通电阻小且价格相对更便宜，最好选N-MOS管。 ---- 拓展学习：一文搞懂三级管和场效应管驱动电路设计及使用
放大器电路的分类 本文介绍MOS管功率放大器电路图，先来看看放大器电路的分类，按功率放大器电路中晶体管导通时间的不同可分：甲类功率放大器电路、乙类功率放大器电路和丙类功率放大器电路。...常用MOS管功率放大器电路图 MOS管功率放大器电路图是由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成。...（一）MOS管功率放大器电路图-系统设计 电路实现简单，功耗低，性价比很高。该电路，图1所示是其组成框图。...本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。...（三）MOS管功率放大器电路图-功率音频放大器 MOS管功率放大器电路图之功率音频放大器，使用1操作放大器TL071C一些电子元件和2功率MOSFET的晶体管可以被内置音频功率放大器，可以提供音频输出功率高达
CMOS、TTL门电路基础 CMOS门电路简介 MOS管简介 增强型MOS管 耗尽型MOS管 CMOS门电路 CMOS反相器 其他CMOS门 与非门、或非门 带缓冲器的门电路 OD门 三态门 TTL门电路简介...CMOS门电路 CMOS反相器 以增强型MOS管为例，将一个P沟道MOS管和N沟道MOS管串联，其中栅极g共接输入电压Vi，PMOS的源极s及衬底接正电压VDD，NMOS的源极s及衬底接低，两个管子的漏极...PMOS管部分与NMOS管完全对称取反，如与非门：单看NMOS部分表达式为Y=(A·B)’，单看PMOS为Y=A‘+B’，二者取反相等。...OD门 在CMOS电路中,为了满足输出电平变换、吸收大负载电流以及实现线与接等需要,有时将输出级电路结构改为一个漏极开路输出的 MOS 管,构成漏极开漏输出门电路（OD门），与TTL OC门电路类似...当Vi=VL时：此时T1管基极上拉置Vcc，发射极为Vi，发射结必然导通，导通后基极电压被钳位在Uon+Vi=0.9V，T1的集电结导通，而T1集电极电阻Rc可以看作R2与T2管集电结反向电阻之和，阻值非常大
P沟型 N沟型：漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作。...P沟型：漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作。 ...MOS管和普通晶体三极管相比，有诸多的优点，但是在作为大功率开关管应用时，由于MOS管具有的容性输入特性，MOS管的输入端，等于是一个小电容器，输入的开关激励信号，实际上是在对这个电容进行反复的充电、放电的过程...MOS管的工艺决定)。...由电路图可知Q1和Q2都为N沟型MOS管，是否导通由HO和LO口输出的电平高低决定，如果输出电平则会导通。
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