关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。 一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。...因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。 怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢？...比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入，MOSFET驱动芯片的内部结构如下： MOS驱动电路设计需要注意的地方...： 因为驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热甚至爆炸...综上，MOS管驱动电路参考： MOS管驱动电路的布线设计： MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小，否则可能会引入外来的电磁干扰。
我觉的最主要的原因莫过于MOS管绝佳的性能，如简化驱动电路、自适应能力强、抗干扰能力强等性能使得MOS管崛起的速度快，今天我们要说的是MOS管在驱动电路中的核心设计，为何能让MOS管在竞争如此激烈的电子市场存活...一、MOS管驱动电路的原理： 电子工程师一般认为MOSGUAN 是通过电压驱动的，不需要驱动电流。然而，就在MOS管的G S两级之间有结电容存在，也正是这个电容让驱动MOS变的神秘莫测。...MOS管如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。...比较好的方法是使用专用的MOS管驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入，MOS管驱动芯片的内部结构。...二、MOS管驱动电路注意事项： 因为驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，
对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。 场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。...对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流（经过MOS管的电路）、开启电压（让MOS管导通的G、S电压）、工作频率（最大的开关频率）。...下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示： 有3个引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。在开关电路中，D和S相当于需要接通的电路两端，G为开关控制。...在电路中的典型应用如下图所示，分别为N沟道与P沟道的MOS管驱动电路： 我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通...重点、重点、重点：以上两个应用电路中，N沟道和P沟道MOS管不能互相替代，如下两个应用电路不能正常工作： 对于上面两个电路如何修改能正常工作？
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。...而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。...很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。...寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。...选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 而在进行MOSFET的选择时，因为MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。
最近在设计中遇到一个简单，但是稍不注意就出错的问题，在此分享一下。 在电路开发过程中，我们经常遇到两个系统电平不一致的情况，比如IIC和UART通信等。...使用MOSFET搭建双向电平转换电路，是比较常见的做法，电路如图1中虚线框所示，MOS管的部分参数如图2所示。...图1 图2 电路原理很简单，分两种情况： 1.从A到B A为高电平时，MOS管关断，B端通过上拉，输出高电平； A为低电平时，MOS管内的体二极管导通，使MOS管的S极被拉低，从而使Vgs=...2.从B到A B为高电平时，MOS管关断，A端通过上拉，输出高电平； B为低电平时，MOS管不导通，但是它有体二极管！...MOS管里的体二极管把A端拉低到低电平，此时Vgs约等于3.3V>Vgs(th)=1.6V，MOS管导通，A端被彻底拉低，输出低电平； B为高阻态时，MOS管关断，A端通过上拉，输出高电平。
2.其他还可以用二极管桥对输入做整流，这样电路就永久有正确的极性(图2)。这些方案的缺点是，二极管上的压降会消耗能量。输入电流为2A时，图1中的电路功耗为1.4W，图2中电路的功耗为2.8W。...现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。 由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。...NMOS管防止电源反接电路： ?...正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，所以S的电位大概就是0.6V，而G极的电位，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压，MOS管的DS就会导通，由于内阻很小，所以就把寄生二极管短路了...电源接反时：UGS=0，MOS管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路安全。 PMOS管防止电源反接电路： ?
1 mos管和三极管是构成芯片的基础元件，分立mos，三极管在我们平常的电路中也是用的最多的。 mos是电压控制型元件，而三极管是电流控制型元件。...分别在mos的GS和三极管的IB给到一定的电压和电流，在mos的DS和三极管的CE就会有相应的电压变化。根据这个变化可以做成放大电路和开关电路，开关电路即放大电路的状态达到饱和状态。...今天分享MOS的两个开关电路 2.电平转换电路 这个电路是双向电平转换电路 分析：当uc_io为低电平时，M1导通，V2的电流流过R2，经过M1的DS到uc_io的低电平，从而实现PER_IO...这个电路的优点：使用的元器件少，电路设计方便。 缺点：对MOS的导通速度有要求，也和总线速度有关，可以用在IIC和uart中。...现在做个简单的分析： 这是一个3904的三极管，NPN型，也可以替换为NMOS，所以是高电平驱动开关，低电平关闭开关，如果是三极管的话，要注意R1和R2的值，R1的值过大，会导致三极管进入放大状态，所以一般设置为
mos管 Metal oxide semiconductor field effect transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管。...有增强型跟耗尽型的区分，但是由于本人没见过耗尽型的mos管，所以直接忽略，需要可自行查阅这两者的区分。 MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。...参数： 1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； 备注：这是设计时候比较重要的值，一般开启电压是个范围，我们要尽量保证电压大于这个范围。...导通电阻RON ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 ·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中 ，MOS...管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 备注：此值在PWM开关管中尤为重要，会影响较多参数，一般mos管的发热也跟该参数有较大关系
电平转换电路在电路设计中会经常用到，市面上也有专用的电平转换芯片，专用的电平转换芯片主要是其转换速度较快，多使用在速度较高的通讯接口，一般对速度要求不高的控制电路，则可使用此文介绍的分立器件搭建的电平转换电路...Toff和Cce可通过三极管规格书查阅，R2为设计参数。 图3中的T1-T2即为三极管的断开延时，此仿真数据为383ns。...管的Vgs导通电压，一般涉及到1.8V的电路需要注意器件选型； （3）MOS管所能达到的开关速度约为100khz左右（需要将R1改为0Ω），下次补上实际的测试数据...将R1改为0Ω便解决了电荷泵的峰值问题，且开关速度能大幅提高，达到100k左右，因为此时的R1*Cgs的延时变小了，MOS管开关速度变快了。...MOS管是电压驱动型，R1改为0Ω不会存在什么问题。
素材来源：CSDN 《MOS管及其外围电路设计》 原创作者：WillChan ?...01 栅极驱动部分 常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗等。...在现在很多的应用中，用于放大驱动信号的图腾柱本身也是封装在专门的驱动芯片中。本文要回答的问题就是对于一个确定的功率管，如何合理地设计其对应的驱动电路(如驱动电阻阻值的计算，驱动芯片的选型等等)。...式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值，式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容，Vth为mos管的门槛电压，均可以在对应的datasheet中查到，dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和mos...图4 改进电路1 图4给出的改进电路1是在驱动电阻上反并联了一个二极管，当mos关断时，关断电流就会流经二极管Doff，这样mos管gs的电压就为二极管的导通压降，一般为0.7V，远小于mos的门槛电压
但其主要工作模块基本都由马达、风扇、滤网等组成，在使用时机器内的马达驱动风扇转动，使空气循环流动，污染物就会随着空气通过滤网，此时滤网将清除或吸附这些污染物，并不断电离空气产生负离子，通过微风扇送出后，...在空气净化器的工作线程中，开关电源、同步整流、电机驱动都需要使用到mos管。 ▎精彩推荐 牛人讲解微分、积分电路 什么是贴片电阻？...三极管工作原理分析，精辟、透彻 运放基本电路超全解析 NE555芯片内部介绍与实战电路设计与讲解 盘点IGBT与MOSFET的区别 超详细的开关电源知识 电路基础：线性稳压电源的设计 三极管高级应用
电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。本文要讲解的电源开关电路，是用MOS管实现的，且带软开启功能。...电路说明 电源开关电路，尤其是MOS管电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，如下框图所示。...图中一个MOS管符号代表一个完成电路 在设计时，只要增加一个电容（C1），一个电阻（R2），就可以实现软开启（soft start）功能。...2、当电源 +5V_IN 刚上电时，要求控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻，即关闭三极管Q2，从而关闭MOS管Q1。因 +5V_IN 还不稳定，不能将电源打开向后级电路输出。...此时等效电路图如下。 此时电源 +5V_IN 刚上电，使MOS管G极与S极等电势，即Vgs = 0，令Q1关闭。
下图的3个电容为MOS管的结电容，电感为电路走线的寄生电感： 1、设计需要注意的地方： 如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话，MOS管开关速度越快越好。...因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。 怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢？...综上，MOS管驱动电路参考： 2、布线设计 MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小，否则可能会引入外来的电磁干扰。...4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 下面针对一些电路设计当中会呈现的情况，列出了几种MOS管和三级管的选择规律： 1、MOS管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件。...如何区分MOS管和三极管 用万用表的二极管档（或1k~10k电阻档）测量，三极管的发射极和集电极都对基极单向导通，而发设计和集电极之间互不导通；利用这一点可以确定是否三极管以及类型（PNP管或NPN管）
mos与三极管 pwm调光 晶振 基本逻辑和符合逻辑 模拟cmos集成电路 模拟电路vs集成电路 尽管信号处理转到数字领域，但模拟电路也是必须的 自然界一般处理方式 可以改为多电平信号来干活...各种信号 电路 电路模拟分类 高低电平 定义
图1所示为用NPN型三极管驱动继电器的电路图，图中阴影部分为继电器电路，继电器线圈作为集电极负载而接到集电极和正电源之间。...图1用NPN三极管驱动继电器电路图 续流二极管的作用： 当输入电压由变+VCC为0V时，三极管由饱和变为截止，这样继电器电感线圈中的电流突然失去了流通通路，若无续流二极管D将在线圈两端产生较大的反向电动势...若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少提供1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(例如标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强...(例如标准8051单片机I/O口输出低电平能提供20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如图2所示的电路来驱动继电器。...图2用PNP三极管驱动继电器电路图 R2起到上拉作用 与图1比较NPN三极管变为PNP三极管，电流方向、电压极性和继电器逻辑都应有所变化。
MOS管容易坏掉原因: 注意：我这里所讲的原因是静电击穿原因。 MOS管为电压控制的电流的器件。是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。...栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，G,S间的寄生电容较小，通常在几十pF左右，考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，超过一定的电压之后，便会损坏MOS管。...现阶段有很多mos管是自带tvs的，如果没有的话，也可以采用上面的做法，考虑到成本比较贵，可以通过下拉电阻来释放静电。 D-S之间的寄生二极管：体内二极管，相当于快恢复二极管。...当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出去，不致于击穿这个MOS管 扩展：为啥三极管不会出现静电损坏原因，请自己思考。
本篇博文分享在实际工作中经常使用的一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路，关于三极管和MOS管的基础使用方法可以参见下文说明。...一文搞懂三级管和场效应管驱动电路设计及使用 最近在工作中见到一种开关控制电路，MCU控制三极管，然后再控制MOS管，如下图所示： 电路解析： 当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V...三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为0.6V，锗材料三极管的死区电压一般为0.3V，所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可...所以MCU先连接控制三极管； 而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要...2.5V，但这也只是刚刚导通，其电流很小，还处于放大区的起始阶段，一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。
目录 1、三级管驱动电路设计及使用 1.1、NPN型三极管 1.2、PNP型三极管 2、场效应管驱动电路设计及使用 2.1、 P-MOS场效应管 2.2、 N-MOS场效应管 ---- 1、三级管驱动电路设计及使用...NPN型三极管驱动电路设计时，基区（b）除了连接限流电阻外，最好连接10~20K下拉电阻到GNG，优点如下所示： ①使基区（b）控制电平由高变低时，基区（b）能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止...2、场效应管驱动电路设计及使用 场效应管是一种利用场效应原理工作的半导体器件，和三极管相比，场效应三极管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小及易于集成等特点，可应用于小信号放大、功率放大、信号驱动及振荡器中...下面以绝缘栅型场效应三极管(MOSFET)为例，简要介绍其驱动电路设计及使用。...P-MOS场效应管驱动电路设计时，除了连接限流电阻外，最好连接10~20k上拉电阻到VCC，使栅极（gate）控制电平由低变高时，能够更快被拉高，P-MOS场效应管能够更快更可靠地截止。 ?
继电器线圈需要流过较大的电流 （约50mA）才能使继电器吸合，一般的集成电路不能提供这样的大电流，因此，必须要进行扩流，即设计驱动电路。...百度 三极管驱动继电器 ，可以得到大量的参考电路设计，虽然花样繁多，但是可用，靠谱的比较少，并且基本都是从两三篇转载而来，上图就是比较经典的一个设计。...到这引出一个问题，如何设计，使三极管可以快速地从截止区变道饱和区，并且稳定放大，稳定截至。...对于本次基于STM32F103设计的外围电路，小型继电器的功率大致150~500mW，按照最大的计算，电流100mA，三极管β按照100计算，带入上述的公式，算了，我还是写一下吧。...认为只要因出去一个正点驱动即可，但是这是错误的。
MOS管符号，对我们设计、评审、理解原理图和调试都有非常大的帮助！...具体画法如下： 设计MOS管电路的几个基本参数： ①封装 表贴、插装； ②类型（NMOS、PMOS） ③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压） ④饱和电流Id ⑤导通阻抗Rds...选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。...很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。...这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。 为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。
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