展开

关键词

MOS与CMOS

二、CMOS CMOS是互补型金属氧化物半导体的缩写,为CMOS数字集成电路的基本单元, CMOS相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远远大于输出阻抗,对应于LVTTL出现了LVCMOS,可以直接相互驱动 输入电压:VIH>2.0V VIL<0.7V 当Vcc=2.5V时,输出电压:VOH>2.0V VOL<0.1V 输入电压:VIH>1.7V VIL<0.7V 在同样5V电源电压情况下,CMOS 电路可以直接驱动TTL,因为CMOS的输出高电压大于2.0V,输出低电平小于0.8V

65410

堆栈式 CMOS、背照式 CMOS 和传统 CMOS 传感器的区别

堆栈式 CMOS、背照式 CMOS 和传统 CMOS 传感器有何区别 光电效应 光电效应的现象是赫兹(频率的单位就是以他命名的)发现的,但是是爱因斯坦正确解释的。 我们熟知的感光元件有两种,一种是CCD,一种是CMOS。早期的CMOS比CCD差的非常多,但随着工艺的发展,现在CMOS的质量已经发生了质的飞跃,并且CMOS价格便宜,功耗性能好。 sensor 结构技术 传统(前照式)CMOS、背照式(Back-illuminated)CMOS、堆叠式(Stacked)CMOS 工艺差异 最大最基础的差别就在于其结构。 背照式以及堆栈式CMOS的出现,也是为了解决之前CMOS的种种问题。 堆叠式(Stacked)CMOS 堆叠式CMOS最先出现在索尼推出的移动终端用CMOS上,堆叠式出现的初衷其实不是为了减少整个镜头模组的体积,这个只是其附带好处而已。

17220
  • 广告
    关闭

    一大波轻量级工具升级重磅来袭

    代码传递思想,技术创造回响!Techo Day热忱欢迎每一位开发者的参与!

  • 您找到你想要的搜索结果了吗?
    是的
    没有找到

    Camera CMOS工作原理

    我们都知道有两种半导体图像传感器器件:CMOS Sensor和CCD Sensor,在目前的消费电子领域普遍使用的都是CMOS图像传感器,因此本节只介绍CMOS图像传感器的基础知识。 文章目录 1 CMOS Sensor构造 2 Camera Sensor平面构造图 3 光子与量子效率 3.1 与量子效率QE有关的概念 4 Camera Sensor感光过程 5 Camera Sensor 读取感光结果 6 Camera Sensor动态范围 7 Camera Sensor时序 8 Camera Sensor Noise CMOS Sensor构造 手机上的CMOS图像传感器构造如下 ? 左边是一个反向偏置的感光二极管(电压在上面、地在下面) 右边是一个CMOS电容 I_ph是由于光子激发产生的光电流,光电流在CMOS电容器上累积成电荷,形成充电的动作,这就将电流变成了电压输出出去。

    43120

    CMOS设置定时开机

    通过CMOS设置实现定时开机的操作并不复杂,只是因为主板不同,略有差异,我根据网络资源和实际情况总结了几种。 首先进入“CMOS SETUP”程序(大多数主板是在计算机启动时按DEL键进入); 然后将光条移到“Power Management Setup”选项上,回车进入其子菜单; 接下来的情况根据各主板略有不同

    16750

    CMOS 图像传感器简介

    两种主要类型的图像传感器是电荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中,我们将了解 CMOS 图像传感器的基础知识。 查看我们关于电荷耦合器件 (CCD) 图像传感器的系列。 1 CMOS 光电探测器 大多数 CMOS 光电探测器都基于 PN 结光电二极管的操作。当光电二极管反向偏置(且反向电压小于雪崩击穿电压)时,与入射光强度成正比的电流分量将流过二极管。 2CMOS 图像传感器框图 CMOS 图像传感器的基本结构如下图所示。 二维阵列的光电探测器用于检测入射光强度。 3CMOS 图像传感器的优缺点 顾名思义,CMOS 图像传感器采用标准 CMOS 技术制造。这是一个主要优势,因为它允许我们将传感器与成像系统所需的其他模拟和数字电路集成。 这些光电探测器的二维阵列可用于实现 CMOS 图像传感器。CMOS 图像传感器中的像素可以具有不同程度的复杂性。例如,CMOS 图像传感器的像素不仅可以包含光电二极管,还可以包含放大器。

    21720

    CMOS信噪比与感光面积的关系

    具体探讨特殊情况,就要提到CIS(CMOS Image Sensor)器件的满阱容量(Full-Well Capacity-FWC),光电二极管的电容能够积累的最大电荷量称为满阱容量。

    7510

    实战总结(一)之清除CMOS密码方法

    备份CMOS   备份CMOS的操作如图2所示。 图2 备份CMOS   应用实例:为了防止CMOS设置因主板电池电量不够、误操作等原因造成CMOS设置发生变动,可通过此功能事先对CMOS进行备份。 恢复CMOS 要恢复CMOS设置,必须事先进行过备份CMOS的操作,并且备份的CMOS文件与iCMOS程序放在同一文件夹中。恢复CMOS的操作如图3所示。 CMOS管理员的身份登录CMOS的操作界面。 清除CMOS   iCMOS能够备份CMOS、恢复CMOS,也能够清除CMOS

    1.3K30

    数字IC笔试题(3)——TTL和CMOS电路

    对,CMOS不可悬空,TTL可以悬空; C. TTL悬空相当于接了无穷大电阻,大于开门电阻,认为输入了高电平;CMOS悬空后,输入情况不确定是低电平还是高电平,所以一般会外接一个确定的电平; 对于CMOS 来讲,输入阻抗高,输入端悬空时,即使是很小的噪声在大的阻抗作用下也可能认为是有效的电压信号 ,所以不可以悬空;CMOS内部是MOS管,电流小,所以引脚不管是接大电阻还是小电阻都算低电平; 对于TTL 来讲,有输入特性和负载特性,存在开门电阻和关门电阻,如果外接电阻小于关门电阻则认为是接了低电平 ,如果外接电阻大于开门电阻则认为是接了高电平; 为了避免干扰,一般CMOS和TTL都可以按功能接高电平或者低电平,或者和其他输入端并联; TTL悬空的引脚相当于接了一个无穷大的电阻,相当于是接了高电平 ; TTL串联10k电阻接地,相当于接了高电平; TTL是电流控制元件,CMOS是电压控制元件; TTL速度快功耗大,CMOS速度慢功耗低;

    23520

    linux:手动校准系统时间和硬件CMOS时间

    windows下OS时间和主板CMOS芯片里的时间通常是一致的,但是linux却不一定,在无法联网自动校准时间的情况下,只能手动调整: 查看系统时间 date 调整系统时间 sudo date -s 01 :01:01 //仅设置时间,不修改日期 sudo date -s '2015-05-23 01:01:01' //时间带时间一起修改 查看硬件CMOS时间 sudo hwclock 将系统时间同步到CMOS

    1K80

    CMOS器件输入管脚不能悬空?硬件调试踩坑记录

    CD4049是一片CMOS 6输入反向缓冲器芯片,单路电源供电,供电范围-0.5~20v,工作温度范围-55~125。 知识拓展 从这次问题排查来看,其实就是两个原因造成的: 没有仔细阅读芯片的DataSheet 不知道CMOS器件输入管脚不能悬空的电路知识 查阅了一些资料,了解到以下几点知识: CMOS器件是电压控制器件 在电路设计中,使CMOS器件的输入端悬空是一种不良的设计习惯,因为CMOS器件是电压控制,而未被连接的输入端有靠近CMOS门槛电压输入的趋势,使得芯片内部的三极管作不必要的开关动作,这既增加了噪声干扰, CMOS器件内部的2个二极管可以把电压钳位在CMOS器件输入电压值,这2个二极管是高速CMOS器件(74HC系列)静电保护措施的一部分。 CMOS器件输入电流非常小,一般是uA级别。 既然知道了CMOS器件输入管脚不能悬空,那么TTL器件呢? TTL电路是电流控制器件,CMOS是电压控制器件。 TTL器件速度快、功耗大,CMOS器件速度慢、功耗低。

    90730

    CMOS中的静态功耗很小可省略?醒醒吧兄弟!

    首先需要明确的几个概念: 1、CMOS即互补型金属氧化物半导体,为CMOS数字集成电路的基本单元,常见的有CMOS与门、非门等 2、CMOS系列器件的电源电压Vdd很宽,一般为3~18V,阈值电压Vth 同时随着CMOS工艺水平的提高,MOS器件的沟道长度相应变小,这就要求芯片设计时采用更低的电源电压。 首先,对CMOS功耗的来源和组成进行分析,CMOS功耗的来源根据工作状态的不同,CMOS电路的功耗分为静态功耗(漏电功耗)和动态功耗(开关功耗、短路功耗)。 Pleakage: 静态功耗Pleak:相对于常规CMOS电路,在稳态时不存在直流导通电流,理想情况下静态功耗为0,但是由于各种泄露电流的存在,使得电流的静态功耗并不为0,CMOS泄露电流主要包括:寄生反向 、可变阈值CMOS(VTCMOS) (3)、动态阈值CMOS(TDTCMOS) (二)、采用晶体管堆栈技术(1)、输入向量激活法 (2)、堆栈晶体管插入技术 (3)、强制堆栈技术 最近些许的有点忙,

    1.5K10

    终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了

    这就是今天所谓的CMOS。它吸收了几乎零静态功耗。 早期IC使用NMOS技术,因为与CMOS技术相比,NMOS工艺相当简单,成本更低,并且可以将更多的器件封装到单个芯片中。 关于NMOS与CMOS晶体管的静态功耗,在1980年代成为一个严重的问题,因为数千个晶体管集成到单个芯片中,由于低功耗,可靠的性能和高速度的特点,CMOS技术很快就替代了几乎所有数字应用的NMOS和双极技术 在接下来的几年中,CMOS扩展和处理技术的改进使得电路速度不断提高,以及芯片的封装密度和基于微电子产品的性能与成本比的进一步改进。 在这里,我们会讨论Bulk-Si CMOS技术,以及相关的解决方案。 MOSFET器件概述 在这里,我们首先讨论CMOS的核心单元,即MOSFET或简单MOS的基本结构、操作和重要的术语。 因此,与体CMOS相比,器件的延迟和动态功耗更低。 由于氧化物层,与体CMOS相比,阈值电压较不依赖于背栅极偏置。这使得SOI器件更适合于低功率应用。 SOI器件的次阈值特性更好,漏电流较小。

    8.1K35

    服务器开机的流程(附:cmos与bios的关系)

    ---- cmos: 记录硬件参数的, 嵌在主板上的储存器 bios: 写入在主板上的, 开机时第一个运行的软件 ---- bios启动流程 通电后bios程序运行, 分析计算机内的存储设备, 寻找能够作为启动盘的硬盘

    22830

    解决:Failed to execute goal on project aopcore: Could not resolve dependencies for project com.cmos:

    [ERROR] Failed to execute goal on project aopcore: Could not resolve dependencies for project com.cmos :aopcore:war:1.0: Failed to collect dependencies at com.cmos:cmos-core:jar:0.6.7.4-SNAPSHOT: Failed to read artifact descriptor for com.cmos:cmos-core:jar:0.6.7.4-SNAPSHOT: Failure to find com.cmos:cmos-root

    12220

    CMOS和TTL与非门多余输入端处理方法【门电路相关问题】

    1.在不影响逻辑功能的情况下, CMOS与非门的多余输入端可 ______。 A.接高电平 B.接低电平 C.悬空 D.通过电阻接地 答案 :A 解析 : CMOS与非门,只要有一个输入端为低电平,与运算后均为低电平,输出为高电平,影响了输出结果,若接地或悬空会使输出始终为 1 CMOS与门、与非门:多余端通过限流电阻(500Ω)接电源; CMOS或门、或非门:多余端通过限流电阻(500Ω)接地; CMOS输入端悬空时,悬空引脚容易受到外界干扰,在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空

    3.9K20

    2020大疆数字IC校招笔试题(3)——CMOS 反相器

    如下图,一个高速接口的端口电路示意图,要求D端发送数字0/1, DQ端收到相同的数字0/1. VREF电压为比较器数字输出0/1的判决电压。

    34530

    1.25英寸3-CMOS多功能高速8K相机系统

    题目为”1.25-inch 3-CMOS multi-functional high-speed 8K camera system”,演讲介绍了1.25英寸3-CMOS多功能高速8K相机系统。 演讲者介绍该项目的目标是升级1.25英寸3-CMOS 8K 240fps相机的功能。第一点是达到480fps的连拍速度;第二点是提高120fps连拍的图像质量,又分为降噪技术和减少灯光闪烁技术。 演讲者首先概述了8K相机系统,分别介绍了CMOS图像传感器、8K相机系统的参数、布局和接口。

    27340

    使用有机CMOS图像传感器的8K摄像机

    本文是来自SMPTE 2019的演讲,演讲者是来自NHK的Shingo Sato,演讲题目是“8K Camera Recorder using Organic-photoconductive CMOS Image Sensor & High-quality Codec”,主要介绍使用有机CMOS图像传感器的8K摄像机的技术特点和性能。 具有有机光电导膜的8K super 35 CMOS传感器 带有HQX编解码器和8K信号处理的录像机 然后Shingo介绍了扩展动态范围的技术。

    38410

    电子技术中关于TTL电平,CMOS电平,OC门,OD门的基础知识

    1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大 CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。 CMOS 是高输入阻抗器件, 理想状态是没有输入电流的. CMOS电平和TTL电平: CMOS逻辑电平范围比较大,范围在3~15V,比如4000系列当5V供电时,输出在4.6以上为高电平,输出在0.05V以下为低电平。 其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类:5V系列(5V TTL和5V CMOS)、3.3V系列,2.5V系列和1.8V系列。

    62630

    扫码关注云+社区

    领取腾讯云代金券