此外,绝缘涂层键合线不应留下污染物(芯片/基板表面)和劈刀尖端的残留物,或在EFO形成过程中不挥发有害气体。...在EFO球形成过程中,涂层在球的中间部分分裂成独特的西瓜条纹(图5),FAB的下半部分无绝缘涂层,涂层材料不会融化。...图6b是图6a中劈刀尖端残留物的高倍放大视图,显示从焊盘上粘附的少量残留物。图 6c中显示的是1,00万次键合的侧面图,劈刀从不同角度观察图。...图 7 : 利用绝缘涂层键合线和裸线在0时刻形成金属化合物对比样本显示超出75%的IMC在零时形成图7显示了0时刻在绝缘涂层键合线底部的硝酸溶液中腐蚀时形成的键合球的2幅光学图像。...绝缘涂层键合线相对于裸线来说,图8和图9分别显示了引线键合拉力试验前和试验后引线键合的SEM图像,显示引线键合区域良好的键合情况。