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  • Nand vs eMMC

    可以看到 eMMC 其实是在 Nand flash 的基础上封装了一个 Flash Controller,然后和 Host Processor 连接,而 NAND flash 是直接和 Host Processor如果找一块 Nand 或者 eMMC 的电路板,还是比较容易区分它们的:??由于 Nand Flash 自身的特性,比较容易有坏块,而且有读写寿命限制,根据构造的不同(SLC、 MLC、 TLC),它的写寿命从 100000 次到 4000 次不等,所以我们在使用 Nand flash可以看到,直接使用 Nand flash 的工作量还是比较大的。而单纯的 Nand,读写速度就慢了很多,只有几十 MB 甚至几 MB。如何选型??上面这两幅图分别来自东芝和三星官网,它们是比较专业的 Nand 和 eMMC 生产商。
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  • 24.Linux-Nand Flash驱动(分析MTD层并制作NAND驱动)

    nand flash驱动,位于driversmtdnands3c2410.c中2.1 为什么nand在mtd目录下?nand_scan()->nand_scan_ident()->nand_scan_tail()来构造mtd设备的成员(实现对nandflash的读,写,擦除等)3.1其中nand_get_flash_type,以下的成员就会被mtd自动设为默认值,代码位于: nand_scan()->nand_scan_ident()->nand_set_defaults()struct nand_chip {    void,默认为8位宽nand,   比如设置为NAND_BUSWIDTH_16,表示nand的总线宽为16 * unsigned int options; * 用位表示的NAND芯片的page大小,如某片NAND; 设置软件ECC *5.设置硬件相关* *5.1使能nand flash 时钟* nand_clk=clk_get(NULL,nand); clk_enable(nand_clk); *5.2设置时序
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  • Optane+NAND方案势如破竹。

    在NAND Flash,TLC、MLC、QLC,3D NAND的广大英雄里,你傲视一切如等闲;你在存储系统中运行起来之后,让整个系统犹如在九霄云间狂奔,无人能追赶得上。1 Intel 3D NAND的背后拥有核心技术并引领行业技术前沿在3D NAND方面,Intel凭借强大的设计制造能力,采用设计门槛更高但是可靠性也更高的Floating Gate技术。在下面的几个数据中心案例中,无一例外,利用Optane+NAND都可以大幅降低成本同时提升性能。我们来看一下对比方案,对比技术是TLC的,而且都是英特尔的NAND。然而NAND虽然非易失,但是其速度用来替代DRAM确实有些尴尬。Optane介质则刚好能解决这个问题。
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  • 全面理解SSD和NAND Flash

    2、Flash的分类:NAND Flash和NOR Flash。3、NAND Flash规则介绍。2、Flash的分类  Flash又分NAND Flash和NOR Flash,NOR型存储内容以编码为主,其功能多与运算相关;NAND型主要功能是存储资料,如数码相机中所用的记忆卡。  现在大部分的SSD都是用来存储不易丢失的资料,所以SSD存储单元会选择NAND Flash芯片。这里我们讲的就是SSD中的NAND Flash芯片。),而且会定期对NAND Flash中的映射便进行更新。NAND Flash的寿命类似“木桶原理”,取决于所有Block中的最小寿命。如果拼命对某一块进行擦除,NAND Flash的寿命将会被缩减到最小。
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  • 全面理解SSD和NAND Flash

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  • NAND FLASH 和NOR FLASH的区别

    NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDCECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。由于需要IO接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块。由于对NAND闪存的操作都是以块和页为单位的,所以在向NAND闪存进行大量数据的读写时,NAND的速度要快于NOR闪存。
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  • 3.移植uboot-使板卡支持nor、nand

    #if defined(CONFIG_CMD_NAND) 需要定义CONFIG_CMD_NAND宏 puts(NAND: ); nand_init(); * go init the NAND *#endif在2.3小节里,该宏为1nand_init_chip(i); printf(%lu MiBn, total_nand_size 1024);... ...}3)进入nand_init()->nand_init_chipstruct nand_chip *nand = &nand_chip; 属于底层,保存对nand的硬件相关操作,它是mtd_info结构体的priv私有成员 ulong base_addr = base_addressmtd->priv = nand; 设置私有成员nand_chip ... ... if (board_nand_init(nand)) 位于s3c2440_nand.c,该函数会设置nand_chip; nand_register(i); 注册nand,使uboot支持对nand的读写操作}这个nand_chip结构体和我们之前学的linux下的nand驱动章节里的nand_chip一摸一样,流程也非常相似
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  • NAND闪存中的隐私数据销毁方案(CS Security)

    我们提出用于有效破坏NAND闪存中的隐私数据的方案。通常,即使从NAND闪存中丢弃了隐私数据,也很有可能将数据保留在无效块中。这是由于NAND闪存的编程操作和擦除操作的特殊性引起的管理问题。我们是否有可能从现有的NAND闪存中删除隐私数据的义务?本文就是对这个问题的答案。所提出的隐私数据销毁方案可以很容易地应用到使用NAND闪存的许多存储设备和数据中心。destroying privacy data in a NAND flash memory.Is it possible to apply the obligation to delete privacy data from existing NAND flash memory?
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  • Nand Flash驱动(实现初始化以及读操作)

    本节来学习裸机下的Nand Flash驱动,本节学完后,再来学习Linux下如何使用Nand Flash驱动Linux中的Nand Flash驱动,链接如下:(分析MTD层以及制作Nand Flash驱动链接ECC来比较是否出现位反转,是否重新读数据读OOB方法:读整个Nand Flash时,是读不出页里面的OBB地址,比如读2049这个地址数据时,是读的第二页上的第2个地址:?Nand Flash芯片硬件引脚图:?()初始化:* nand flash 时序 *#define TACLS 0#define TWRPH0 1#define TWRPH1 0 * nand flash 寄存器 *#define NFCONFFlash只有8位IO脚,所以NFCMMD NFADDR NFDATA三个寄存器值都是unsigend char型 *1.3 nand_init()函数初始化void nand_init(void){
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  • 第1阶段——uboot分析之通过nand命令读内核(8)

    本节主要学习: 详细分析UBOOT中bootcmd=nand read.jffs2 0x30007FC0 kernel;bootm 0x30007FC0 怎么实现nand命令读内核. 1. nand read.jffs2read.jffs2 0x30007FC0 kernel 最终扩展开为: nand read.jffs2 0x30007FC0 0X00060000 0X002000001.4 nand命令位于.commoncmd_nand.c(所有命令文件都是存在common中,以cmd_xx.c形式保存) 其中nand命令执行时调用的是do_nand(cmd_tbl_t * cmdtp, int flag, int argc, char*argv){ int i, dev, ret;ulong addr, off, size;char *cmd, *s;nand_info_t *nand;int quiet = 0;const char*quiet_str = getenv(quiet); 获取环境变量quiet if (argc < 2) 判断nand命令参数个数若小于2,将goto到usage,打印cmdtp->usage(nand
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  • Optane,3D NAND,朋友一生一起走!

    “而3D NAND则刚好相反,我们的关注点更多放在成本控制上。也就是说3D NAND的成本会更低,但是速度可能会再慢一点。与传统硬盘磁盘相比,3D NAND速度优势明显,有1000倍的性能提升。为了降低3D NAND成本,有很多技术方法,如TLC、QLC等,但3D NAND速度不会进一步提高。因此,傲腾针对热数据,3D NAND针对温数据或者暖数据,磁盘是针对冷数据,这将是一个合理的市场布局。” Bill说。?同为SSD,傲腾和3D NAND哪一个更具有成本下降空间呢?但如果看成本曲线的陡峭程度它不如3D NAND,也就是说3D NAND降价可能更加明显。说到3D NAND,市场对3D NAND已经有了比较多的了解和熟悉。考虑到这些因素,英特尔会集中资源用在傲腾产品市场推广。
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  • SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈 速度提升30%

    随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%根据SK Hynix之前公布的信息,所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND,它是把NAND闪存Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND闪存,本质上其实还是3D NAND,4D NAND闪存有很强的商业营销味道。韩联社报道称,SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存,TLC类型,核心容量512Gb,与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比,4D NAND闪存的核心面积减少了30%,单片晶圆的生产输出增加了
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  • NAND Flash基础知识简介

    NAND Flash是一种非易失存储介质(掉电后数据不会丢失),常见的U盘、TF卡SD卡,以及大部分SSD(固态硬盘)都是由它组成的。 本文主要介绍其组成及工作原理。为了表述方便,后面所说的Flash仅指NAND Flash。一、Flash基本组成单元:SLCMLCTLCFlash的基本组成单元是浮栅晶体管,其状态可以用来指示二进制的0或1。NAND Flash的寿命在很大程度上受所用存储单元类型影响,单个晶体管中存放的状态越多,容错性越差,寿命越短。下面是一个示意图,我们由大到小拆解下:package是存储芯片,即拆解固态硬盘或者SD卡后看到的NAND Flash颗粒。每个package包含一个或多个die。三、The Flash Translation Layer逻辑地址映射在NAND Flash出现前,逻辑地址映射(Logical Block Mapping, 简称LBA)就存在了,它是为了对上层的文件系统屏蔽
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  • NAND Flash底层原理,SLC MLC TLC比较

    NAND-Flash 的存储原理  固态硬盘最小单元的基本架构如下:?  (1)写入数据  在 NAND-Flash 中,当我们需要写入数据时,会在图中的控制闸(Control Gate)施加高电压,然后允许源极(Source)与汲极(Drain)间的 N信道(N-Channel
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  • 三星向中国芯片工厂投资80亿美元,促进NAND闪存芯片生产

    策划&撰写:韩璐外媒报道称,三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。众所周知,三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商,这类芯片主要被用于移动设备、存储卡、U盘和固态硬盘中。
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  • 三星电子二次投资西安,用70亿美元扩大NAND芯片产能

    此次新建生产线将全部用于制造垂直闪存(V-NAND),以应付对智能手机及其他设备对NAND芯片的需求。
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  • 2.移植uboot-添加2440单板,并实现NOR、NAND启动

    上章分析了uboot启动流程后,接下来便来配置新的单板,实现nor、nand启动----1.首先在uboot里新建单板24401.1将2410的单板文件夹拷贝成2440:cd boardsamsungcp
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  • 【安富莱原创开源应用第2期】基于RL-USB和RL-FlashFS的完整NAND解决方案,稳定好用,可放心用于产品批量

    NAND Flash这块经常有人咨询,这里发布一个完整的解决方案,支持擦写均衡,坏块管理,ECC和掉电保护。       早期的时候我们是用的自己做的NAND算法,支持滑块管理,擦写均衡,实际测试效果不够好,容易出问题,所以放弃了。1.当前NAND的配置如下: ? RTX调试组件: ? 优化等级方面,各种优化等级和超给力的时间优化,可以任意搭配选择,都可以正常通过 ??0 - 低级格式化,显示NAND Flash容量和剩余容量1 - 显示NAND Flash根目录下的文件2 - 创建三个text文本并使用不同函数写入内容3 - 使用三个不同函数读取文本rn);4 -- 关闭NAND模拟U盘,注意是小写字母b 例程下载:V4开发板: 基于STM32F103ZET6的RTX RL-USB RL-FlashFS的完整NAND解决方案.7z (1.38 MB) V5开发板
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  • 基于V7的新版RL-USB和RL-FlashFS的NAND完整解决方案,实现更简单,用户仅需初始化FMC

    说明:1、新版方案更加好用,不管用户使用的那家NAND,用户要做的仅仅是初始化FMC,其它读写API,擦写均衡,坏块管理,ECC校验和掉电保护都不用操心了。写速度2-3MBS,读速度4-6MBS,可以修改FMC参数,加大NAND缓冲和设置MDK优化提升速度 当前测试比较保守 ?
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  • 6.移植uboot-支持yaffs烧写

    修改uboot支持yaffs首先,每个命令都会对应一个文件,比如nand命令对应的commoncmd_nand.c而我们使用nand命令时,便会进入do_nand()函数,位于commoncmd_nand.c1.1do_nand,则进入该判断 if (read) { printf(Unknown nand command suffix %s.n, s); return 1; } ret = nand_write_skip_bad.h里,添加CONFIG_CMD_NAND_YAFFS宏定义.1.2然后进入nand_write_skip_bad(),位于driversmtdnandnand_util.cint nand_write_skip_bad(nand_info_t *nand, loff_t offset, size_t *length,u_char *buffer, int flags){ ... ... if (!->write_oob(nand, offset, &ops); 调用nand_write_oob()函数烧写OOB if (!
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