今天介绍一个大家不一定用得很多，但是却很有特点的东西，NiFi NiFi的来源 Apache NiFi项目，它是一种实时数据流处理 系统，在去年由美国安全局（NSA）开源并进入Apache社区，NiFi...当NiFi项目开源之后，一些早先在NSA的开发者们创立了初创公司Onyara，Onyara随之继续NiFi项目的开发并提供相关的支持。...NiFi的特点 下面是官方的一些关键能力介绍，可以认真看看： Apache NiFi supports powerful and scalable directed graphs of data routing...ExecuteFlumeSink 1.3.0 ExecuteFlumeSource 1.3.0 ExecuteProcess 1.3.0 ExecuteScript 1.3.0 ExecuteSQL 1.3.0 ExecuteStreamCommand...NiFi在Hortonworks的定位 因为NiFi可以对来自多种数据源的流数据进行处理，Hortonworks认为HDF平台非常适合用于物联网 (IoAT)的数据处理。
NiFI介绍 NiFi是美国国家安全局开发并使用了8年的可视化数据集成产品，2014年NAS将其贡献给了Apache社区，2015年成为Apache顶级项目 NiFi（NiagaraFiles）是为了实现系统间数据流的自动化而构建的...NiFi架构 ?.../apache/nifi/1.8.0/nifi-1.8.0-bin.tar.gz 2、解压安装包、即可使用 命令：tar -zxvf nifi-1.8.0-bin.tar.gz 目录如下： ?...4、操作NIFI，启动的时候，比较慢，注意机器内存是否足够 后台启动命令：./bin/nifi.sh start 前端启动命令：./bin/nifi.sh run 关闭命令：....为了向进程提供输入，请使用ExecuteStreamCommand处理器。 ExecuteStreamCommand：运行用户定义的Operating System命令。
预写日志为NiFi提供了处理重启和意外系统故障所需的弹性。...在事务性工作单元方面，这种设置允许NiFi在逆境中非常有弹性，确保即使NiFi突然被杀死，它也可以在不丢失任何数据的情况下恢复。...nifi.flowfile.repository.implementation=org.apache.nifi.controller.repository.WriteAheadFlowFileRepository...nifi.flowfile.repository.wal.implementation=org.apache.nifi.wali.SequentialAccessWriteAheadLog nifi.flowfile.repository.directory...至于写文件时操作系统刷新缓冲区我们暂时不用管，只看代码层级的日志数据是如何写到journal文件里的 @Override public void updateRepository(final Collection
允许定时器T1溢出的中断 TR1=1;//启动定时器T1 } void main() { uchar j; timer_init(); //定时器初始化 EX0=1;//允许外部中断0中断...IT0=1;//选择外部中断0为跳沿触发方式 PT1=1;//定时器T1中断为高优先级 while(1)//循环 { for(j=6;j<=9;j++)//数码管从3开始倒计时...重新赋值 TL1=0xb0;//低四位 i++; } void int0() interrupt 0 //外中断0的中断函数 { uchar j; EX0=0; //禁止外部中断0中断...EX0=1; //中断返回前，允许外部中断0中断 } } 二、引入矩阵键盘，可以对路口红绿灯变换时间进行设置 按下连接中断的按键K3进行时间设置，把交通灯中可以更改时间的部分写为一个带参数的函数...IT0=1;//选择外部中断0为跳沿触发方式 PT1=1;//定时器T1中断为高优先级 while(1){ for(j=6;j<=9;j++)//数码管从3开始倒计时 {
还有我想说下关于电机驱动这块，空心杯电机驱动电路： SI2302的内部电路图： 这幅图是crazyflie飞控板的电机驱动电路原理图，同样适用MWC飞控，肖吉特二极管BAT54用SS34替换（只要满足电压和电流以及通断时间就行...，SS34远远大于需求，只是因为跟MOS管在同一家店所以买了)，场效应管pmv31xn用SI2302替换。...场效应管是用电压控制电流，作用跟三级管类似（三极管是用电流控制电流），相比于三极管，场效应管体积更小功率更大。 肖吉特二极管的作用是续流。...电机是电感元件，有阻碍电流变化的特性，控制电机转速的方法是用PWM信号控制场效应管的通断，当场效应管断开时，电机两端会产生极高的感应电压击穿场效应管，加上二极管后，电机的电流会通过二极管保持流通，防止电机产生过高的感应电压
从监管精神看，互联网资管的命运其实已经注定，2018年4月互联网资管新规的出台，不过是靴子落地。...传统金融机构的资管清理，需要考虑流动性问题并给予过渡期，互联网资管的清理，在实际落地时一定会遇到同样的问题。...而当支付行业已然做大，甚至具有了系统影响力时，直连模式的缺点却愈发凸显，断直连，也就水到渠成了。...断直连利好中小支付机构、利好监管机构的风险防控、利好行业统一标准的出台，为用户提供了更多的选择，也利好整个支付行业。不过，断直连并不是终点。...断直连只是第三方支付监管组合拳的一环，断直连是备付金集中存管的前提条件，断直连落地后，备付金集中存管也就不远了。
利用单片机内部定时器/计数器中断实现一个数码管的秒记数，重点学习定时器/计数器的工作方式以及其控制寄存器TMOD、TCON的功能，在程序实现过程中掌握定时器/计数器中断的一般步骤。...为了获得1秒时间，T0中断需要发生200次。...程序包含主函数，T0的初始化函数和T0中断服务函数，显示语句放在中断服务函数内，程序如下： /******************************************************...******************************/ //利用定时器0中断，实现SEG0秒计数 /***********************************************...200) //中断200次，时间刚好为1秒 { cp = 0; i ++; } P2 = 0xdf; //P2输出数码管的位选信号
MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场效应管）。也可以只分成两类P沟道和N沟道，这里我们就按照P沟道和N沟道分类。...对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。 场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。...对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流（经过MOS管的电路）、开启电压（让MOS管导通的G、S电压）、工作频率（最大的开关频率）。...使用有寄生二极管的N沟道MOS管的情况下，D的电压要高于S的电压，否则MOS管无法正常工作（二极管导通）。使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。...，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
MOS管主要是由Metal（金属）、Oxide（氧化物）、Semiconductor（半导体）通过特殊工艺制成 和三极管（电流控制电流型器件）相比，MOS管（电压控制电流型器件）具有栅极驱动基本不需要电流...二、MOS管开关电路 如下为一张典型的N沟道增强型MOS管开关电路原理图： ?...= Ciss * dVgs / dt = 0.7A 当在栅极串接一个电阻（几Ω~上千Ω）时，会与Ciss形成RC充放电回路，从而减小瞬间电流值 2、调节MOS管的通断速度，有利于控制EMI：同时，加上...R1后，MOS管通断切换时间会变慢，有利于控制EMI；但是如果串接的电阻太大，会导致栅极达到导通电压的时间变长，也就是说MOS管处在半导通状态的时间太长，此时MOS管内阻较大，Rds->Rdson的时间比较长...，此时由于RGS很大，感应电荷难以释放，以致于高压将MOS管很薄的绝缘层击穿，损坏MOS管）从而保护MOS管，如果没有这个电阻，MOS管容易受到外界干扰意外导通烧坏，此外在MOS管工作不断开通关断的时候对寄生电容进行适当的放电以保护
MOS管主要是由Metal（金属）、Oxide（氧化物）、Semiconductor（半导体）通过特殊工艺制成 和三极管（电流控制电流型器件）相比，MOS管（电压控制电流型器件）具有栅极驱动基本不需要电流...如下为一张典型的N沟道增强型MOS管开关电路原理图： D1作用： 续流二极管 R1作用： 1、限流电阻，减小瞬间电流值：MOS管属于压控型器件，两两引脚之间存在寄生电容（Cgs、Cgd、Cds...I = Ciss * dVgs / dt = 0.7A 当在栅极串接一个电阻（几Ω~上千Ω）时，会与Ciss形成RC充放电回路，从而减小瞬间电流值 2、调节MOS管的通断速度，有利于控制EMI：同时...，加上R1后，MOS管通断切换时间会变慢，有利于控制EMI；但是如果串接的电阻太大，会导致栅极达到导通电压的时间变长，也就是说MOS管处在半导通状态的时间太长，此时MOS管内阻较大，Rds->Rdson...，此时由于RGS很大，感应电荷难以释放，以致于高压将MOS管很薄的绝缘层击穿，损坏MOS管）从而保护MOS管，如果没有这个电阻，MOS管容易受到外界干扰意外导通烧坏，此外在MOS管工作不断开通关断的时候对寄生电容进行适当的放电以保护
如下为反激式电源实现方案，该方案采用初级侧稳压（PSR）技术， Q1导通时，变压器初级电感存储能量，输出续流二极管Dfly反向偏置，Cout输出能量给负载； Q1关断时，变压器初级线圈释放能量，输出续流二极管正向偏置...群友发出的图片中，有2次谐振， 第一次谐振 该谐振产生的时间点在MOS管关断的瞬间，等效谐振电路如下： Loop：初次级间的漏电感、初级励磁电感、功率MOSFET封装电感之和 Coss：MOS管寄生电容...、线路寄生电容 第二次谐振 这是开关电源DCM模式特有的一个振铃现象， 此处你必须要了解开关电源电感如下两种模式： CCM：连续导通模式，次级端反射电流在MOS通断，变压器线圈换相期间不会到达0； DCM...：断续导通模式，次级端反射电流在MOS通断，变压器线圈换相期间到达0。...由于该谐振给MOS管的寄生电容充电，若MOS在此时导通，则可能碰到寄生电容电位被充到较高的时刻，此时寄生电容所充电的能量若被直接导到GND会造成MOS管的导通损耗，针对该问题，诞生出了准谐振技术，即：DCM
在直流电路里，二极管能够简单的防止迂入，请灵活把握。...■关于触点保护 反向电压 象启动DC继电器那样，通断继电器串联电路或DC电动机、DC套管、DC螺线管等的感应性负载时必须进行二极管等的浪涌吸收以保护触点，这一点很重要。...直流负载(火花发生)高频率通断时的异常腐蚀 例如使直流的电子管或者套管高频率通断时，会产生青绿色的锈。这是伴随通断火花(电弧放电)引起空气中的氮和氧反应生成的，在高频率出现火花的使用电路需要注意。...如果使用下图所示的电路，保护有可能会解除，所以请与二极管连接。置位线圈或复位线圈分别并联时，请在各线圈串联上二极管。...，请在位置或者复位线圈串联上二极管（图4） 二极管的反向尖峰电压及直流反向电压请使用有余量的电压，另外平均整流电流请使用大于线圈电流的电流。
Ugs（th）为一个确定值时，在d、s之间加正向电压即产生漏极电流，同时使耗尽层倾斜，导流能力降低，此时整个反型层类似于一个可变电阻器；当Uds=Ugs-Ugs（th）时，耗尽层刚好达到SiO2，形成预夹断；...此时Uds继续增大，夹断区随之延长且增大的Uds几乎全部用来克服夹断区对漏极电流的阻力，宏观特征表现为电流Id几乎不随Uds变化，仅有Ugs的大小有关，管子进入恒流区。...特性曲线如图： 夹断区（截止区）：Ugs<Ugs(th) 此时反型层未开启，整体截止 可变电阻区（线性区）：Ugs>Ugs(th) UdsUgs(th) Uds>Ugs-Ugs(th) 此时夹断区形成，Id仅与Ugs的大小有关。 PS注意：MOS管饱和区与三极管的饱和区不同！！...耗尽型MOS管 耗尽型MOS管与增强型MOS管不同之处在于其本身自带反型层，相应的调整Ugs即可控制反型层的宽度，在此基础上施加Uds即可产生漏极电流及夹断。N沟道耗尽型MOS管如图。
阻断时（断态）阻抗很大，接近于断路，电流几乎为零，而管子两端电压由外电路决定。...Semi-controlled Device) 3）全控型器件(Full-controlled Device) 1）不可控器件(Uncontrolled Device)—— 不能用控制信号来控制其通断，...电力二极管（Power Diode） 电力二极管只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电流决定的 * 半控型器件(Semi-controlled Device) ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断...动态特性主要指开关特性(Switching Characteristic)，开关特性反映通态和断态之间的转换过程。...采用多个功率二极管串联时，应考虑断态时的均压问题。图中的R1～R3可均衡静态压降，动态压降的平衡需要采用平衡电容以及与平衡电容串联的电阻R4～R6（限制电容的反向冲击电流。）
在很多的控制电路中，我们经常能够看到继电器上并联了一个或者两个二极管，其作用是什么呢？...如下图所示： 一般的继电器的控制方式都是通过一个三极管去控制继电器的开和断，继电器线圈通电时闭合，继电器线圈失电时断开。 那这个二极管的作用是什么呢？...当继电器闭合的时候，电路进入工作状态，二极管没有多大作用，二极管的作用在于继电器断开的时刻。...此时二极管就起到作用了，继电器闭合的时候二极管截止，继电器断开的时候二极管导通，由此形成一个回路自我消耗掉，这样就能起到续流保护的作用。
(2)工作在线性状态的理想运放两输入端的电流都为零，即 iP=iN=0 这种特性称为“虚断”特性。...“虚断”是指在分析运放处于线性状态时，可以把两输入端视为等效开路，这一特性 称为虚假开路，简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。...输出电压恒等于VOH(vP>vN)或VOL(vPVp,Vo=Vol=GND,故不能驱动mos管导通，换个思路看看，就算把mos管换成Pmos，由于处于正反馈，会导致电路不稳定，该电路一样不能正常工作。
0xFF, 0xFF }; void main() { unsigned char i = 0; //动态扫描的索引 unsigned int cnt = 0; //记录T1中断次数...//启动T1 while(1) { if (TF1 == 1) { //判断T1是否溢出 TF1 = 0; //T1溢出后，清零中断标志...unsigned char i = 0; //动态扫描的索引 unsigned char flag1s = 0;//1秒定时标志 unsigned int cnt = 0; //记录T1中断次数...//设置T1为模式1 TH1 = 0xFC; //为T1赋初值0xFC67，定时1ms TL1 = 0x67; ET1 = 1; //使能T1中断...LedBuff[4] = LedChar[sec/10000%10]; LedBuff[5] = LedChar[sec/100000%10]; } } } /* 定时器1中断服务函数
电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。本文要讲解的电源开关电路，是用MOS管实现的，且带软开启功能。...电路说明 电源开关电路，尤其是MOS管电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，如下框图所示。...原理分析 1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。...此时电源 +5V_IN 刚上电，使MOS管G极与S极等电势，即Vgs = 0，令Q1关闭。 3、电源 +5V_IN 上电完成后，MOS管G极与S极两端均为5V，仍然Vgs = 0。...③MOS管Q1的Vgs缓慢增大，令其缓慢打开直至完全打开。最终Vgs = -5V。 ④利用电容C1的充电时间实现了MOS管Q1的缓慢打开（导通），实现了软开启的功能。
（2）这是我的开发板数码管的电路，提供参考。...= (int)i % 10;//显示个位 x=i*10; y=i*100; fen = (int)x%10;//分位 shifen = (int)y%10;//十分位 P0 = 0xff;//清除断码...1111 we = 0; //关闭位选 du = 1;//打开段选 P0 = leddata[shi]; du = 0; //关闭段选 delay(5);//延时5毫秒 P0 = 0xff;//清除断码...we = 0; //关闭位选 du = 1;//打开段选 P0 = leddatapoint[ge]; du = 0; //关闭段选 delay(5);//延时5毫秒 P0 = 0xff; //清除断码...1111 we = 0; //关闭位选 du = 1; //打开段选 P0 = leddata[fen]; du = 0; //关闭段选 delay(5);//延时5毫秒 P0 = 0xff; //清除断码
本文将介绍一款基于外置MOS管SOT23-5封装的5V升压9V2A升压芯片GS3661。该芯片采用高效开关电源技术，具有体积小、重量轻、效率高等特点，适用于各种需要高电压、大电流的应用场景。...外置MOS管：采用SOT23-5封装的外置MOS管，易于安装和使用，同时提高了芯片的可靠性和稳定性。6. 保护功能完善：具有过热保护、过电压保护、过电流保护等功能，有效保护芯片和整个电路的安全。...当输入电压在一定范围内时，芯片内部的振荡器会产生一个高频脉冲信号，该信号控制开关管的通断，从而将输入电压转换为高频脉冲信号。...反馈电压通过取样电阻对输出电压进行取样，然后将取样信号反馈到芯片内部的比较器中，与参考电压进行比较，根据比较结果调整开关管的通断时间，从而控制输出电压的稳定。...四、总结GS3661是一款基于外置MOS管SOT23-5封装的5V升压9V2A升压芯片，采用高效开关电源技术实现电压的转换。
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