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  • DDR3 1600与DDR3 1333比

    DDR3 1333与DDR3 1600比较  问:看中了intel平台,就是不知道这择SNB还是这择IVB。内存搭配也犹豫,究竟是DDR3 1333好还是DDR3 1600好?  答:目前来看,DDR3 1600内存的性价比更好一些。以4GB为例,仅比DDR3 1333内存贵了一二十元而已,所以你就无需纠结,直接选DDR3 1600就OK了。刷新内存SPD可提高兼容性  问:买了两条DDR3 1600内存,插在AMD 880G主板上,但兼容性不太好,频率在1600MHz下就会死机,如何才能提高内存兼容性呢?  
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  • DDR3内存参数

    4、寻址时序(Timing)  就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。事实上,JEDEC规定DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的CL6-6-6,其内存延迟时间均为15ns。?从外观上去看,DDR3内存与我们平时熟悉的DDR2没有太大的改变,如果没有特别留意的话不容易从外观上区分开来。下面我们来看一看DDR3内存与DDR2内存在外观设计上有什么不同之处。?);而DDR3的缺口位置肯定要与DDR和DDR2不同,好在DDR3的缺口位置比例远离50%,53.88mm的距离仅占整个长度约41%,用户可以较明显地区分出内存的方向来。
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  • DDR3读写数据

    本文对 Xilinx v7中提供的 DDR3 控制器 IP 核模块进行例化,实现基本的 DDR3读写操作。并使用在线逻辑分析仪查看有规律变化的 DDR3 数据读写时序。1.DDR3控制器IP接口时序DDR3 控制器 IP 核用于衔接 DDR3 芯片和 FPGA 的用户逻辑,DDR3 控制器与 FPGA 用户逻辑之间有一套简单易用的接口,以下为User Interface先说 app_wdf_end,DDR3 实际读写的 Burst =8,举例来说,DDR3 的数据位宽为 16bit,Burst 为 8,就是说每次对 DDR3 执行读写,必须是连续的 8*16bit 数据代码块该工程实例的模块层次:● ddr.v 模块是工程顶层模块,例化子模块并申明端口。● clk_wiz_0.v 模块例化 PLL IP 核,产生 DDR3 的时钟。●DDR ip 模块例化 DDR3 控制器 IP 核。● data_source.v 模块产生 DDR3 的读写控制命令,实现 DDR3 控制器和 DDR3 芯片的读写测试功能。
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  • 解决DDR3 1600内存显示为DDR3

    很多朋友都问刚买的DDR3是不是真的啊,买的是1600的怎么看工作在1066频率下之类的问题。。。我来开个贴统一回答下内存问题吧。。首先现在很多DDR3主板BIOS默认是533档内存,也就是DDR3 1066内存来确保最大兼容性,所以即使你买的是1600的也会默认工作在1066频率下,那我们如何设置呢,下面来看我的图吧(配置是550
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  • DDR3 IP核仿真

    本文使用 IP 核自动生成的 DDR3 仿真测试激励对 DDR3 的 IP 核进行仿真。如图所示,打开路径.......DDR3_testDDR3_test.srcssources_1ipmig_7series_DDR3mig_7series_DDR3example_designsim下的sim文件夹,这个文件夹下存放着 DDR3 仿真测试激励。?这里的 4个源码文件是 DDR3 芯片的仿真模型。?找到如下路径,添加 example_top.v 源码文件,该文件为 DDR3 的测试实例顶层文件。??init_calib_complete表示初始化校准完成,信号拉高后校准完成,校准完成之前对DDR的读写可能失败。 ?以下为DDR基本接口信号: ?以上就是DDR3的 IP 核仿真教程。END
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  • DDR3 IP 核配置

    1.DDR3 IP 概述本文对 Xilinx V7 XC7VX485T-FFG1927 Vivado 中提供的 DDR3 控制器 IP 核模块进行例化,实现基本的 DDR3读写操作。通过 IP 核自动生成的测试脚本实例实现对 DDR3 IP 核的仿真。DDR3控制器IP核内部模块及其与FPGA逻辑、DDR3芯片的接口框图如图1所示。用户接口模块用于连接 FPGA 内部逻辑;存储器控制器模块实现 DDR3 的主要读写时序和数据缓存交互;初始化和校准模块实现 DDR3 芯片的上电初始化配置以及时序校准;物理层模块则实现和 DDR3 芯片的接口DDR3 控制器 IP 核2.DDR3 IP核配置点击 Flow Navigator 面板下的“Project Manager -->IP Catalog”。?● DDR3 存储器型号(Memory Part)为 MT41K128M16XX-15E,这是 STAR 板载 DDR3 存储器的实际型号(XX 表示任何字符均可)。
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  • DDR3篇第三讲、DDR3读写测试项目分析

    , output ddr3_cas_n, output ddr3_we_n, output ddr3_reset_n, output ddr3_ck_p, output ddr3_ck_n, output_addr (ddr3_addr), .ddr3_ba (ddr3_ba), .ddr3_cas_n (ddr3_cas_n), .ddr3_ck_n (ddr3_ck_n), .ddr3_ck_p (ddr3_ck_p), .ddr3_cke (ddr3_cke), .ddr3_ras_n (ddr3_ras_n), .ddr3_we_n (ddr3_we_n), .ddr3_dq (ddr3_dq), .ddr3_dqs_n (ddr3_dqs_n), .ddr3_dqs_p (ddr3_dqs_p), .ddr3_reset_n (ddr3_reset_n), .init_calib_complete(init_calib_complete), .ddr3_cs_n (ddr3_cs_n), .ddr3_dm (ddr3_dm), .ddr3_odt (ddr3_odt), Application
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  • DDR3 接口分析

    不如再翻翻DDR3 IP 核配置?)?下图为DDR的各种接口;column和row地址是在ddr3_addr里面复用的,column一般是10bit宽度,row一般是14-16bit宽度;ddr3_ba是选bank的,一般是3bit宽度,对应下图为DDR3例化实体 只需要改动下面几个参数(具体后边介绍): .app_addr (app_addr), .app_cmd (app_cmd), .app_en (app_en), .app_wdf_data,就可以成功将数据写入DDR; ?其实,两系统不对齐也是ok的,如下图,1是严格对齐,2和3说明早写入和晚写入也是ok的;具体可以参考:DDR3读写数据?读数据时序图?
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  • DDR3和mig的介绍

    FPGA开源工作室将通过五篇文章来给大家讲解xilinx FPGA 使用mig IP对DDR3的读写控制,旨在让大家更快的学习和应用DDR3。第一篇:DDR3和mig的介绍1 DDR3介绍 以镁光的MT41K128M16为例来介绍DDR3。?通过以上信息我们即可知道DDR3的内存容量,Row,Column和Bank的地址位宽。我们通过Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量,封装,速度等级等信息。 1.2 DDR3的内部结构?1.3接口 ???使用xilinx mig IP来控制DDR3的数据读写我们了解DDR3以上信息即可。2 mig介绍?3 DDR3原理图和FPGA原理图??通过DDR3的原理图我们可以知道DDR3的供电电压为1.35V。DDR3挂在FPGA的34 bank上。
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  • DDR3内存频率标识对应

    8500S=106610600S=133312800S=1600常见内存参数:PC2100是DDR 266内存PC2700是DDR 333内存PC3200是DDR 400内存 PC2-4200是DDRII533内存PC2-4300是DDRII 533内存 PC2-5300是DDRII 667内存PC2-6400是DDRII 800内存PC3-8500是DDR3 1066内存PC3-10600是DDR31333内存PC3-12800是DDR3 1600内存PC3L-12800是DDR3 1600 低电压内存,向下兼容1333和1066
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  • DDR5内存最大亮点是啥

    美光于前日宣布已经开始向业界中的核心客户出样DDR5内存(RDIMM)了,目前他们在DDR5内存上面使用的是自家最新的1z nm工艺。JEDEC于2016年就开始制定DDR5 SDRAM规范了,不过到目前为止,DDR5标准仍然处于完善期,JEDEC还没有公布它的最终版本,预计它将会在今年正式完成DDR5标准的制定。美光的DDR5技术文档也得以让我们一窥DDR5内存的特性。首先,在同样的等效频率下,DDR5内存能够提供更高的有效带宽,比如同样处于3200MTs下,DDR5-3200的有效带宽比DDR4-3200的要高出36%;其次是DDR5(在JEDEC标准范围内)的等效频率能够去到更高,可以达到DDR5-6400,而在DDR5-4800时,其有效带宽就已经是DDR4-3200的1.87倍了。
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  • DDR3篇第四讲、DDR3操作时序与关键参数

    本节介绍DDR3的操作时序与部分时序参数。一、指令时序之命令时序app_cmd和app_addr有效,且app_en拉高,app_rdy拉高,则该指令成功发送给DDR3控制器,若是在app_cmd、app_addr、app_en都有效时,app_rdy为低,那么必须保持app_cmd、app_addr、app_en的有效状态直到app_rdy拉高,指令才会成功发送给DDR3控制器。?为高器件发起多次写入指令(0:写 1:读),在第58个时钟周期,app_rdy为低,此时需要保持当前app_cmd和app_addr不变,且app_en为高,直到第59个时钟周期,app_rdy拉高,写指令成功传入DDR3二、数据写入时序对于单次的数据写入DDR3控制器,波形为:?
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  • Virtex7 Microblaze下DDR3测试

    这篇文章我们讲一下Virtex7上DDR3的测试例程,Vivado也提供了一个DDR的example,但却是纯Verilog代码,比较复杂,这里我们把DDR3的MIG的IP Core挂在Microblaze下,用很简单的程序就可以进行DDR3的测试。说明DDR3可以正常工作。_addr, output ddr3_ba, output ddr3_cas_n, output ddr3_ck_n, output ddr3_ck_p, output ddr3_cke, outputddr3_cs_n, output ddr3_dm, inout ddr3_dq, inout ddr3_dqs_n, inout ddr3_dqs_p, output ddr3_odt, output
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  • MicrobiologyOpen: 土壤细菌DDR的组装机制

    再次证明了距离衰减(distance‐decay relationship,DDR)规律,即离得近的点群落组成更相似。由地理因素引起的均质化扩散和扩散限制导致了细菌群落33%的空间周转率。距离衰减模式DDR是指随着地理距离的增加,群落相似性降低的模式。即地理位置相近的群落物种组成更相似。许多研究已经证实了土壤微生物群落中距离衰减模式的存在,也发现了生境异质性和生物地理差异对DDR的贡献。结果DDR:Sørensen计算距离,幂律分布计算DDR。定量五种群落组装类别的比例挑出OTU丰度大于0.001%的进行计算。
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  • 观点:DDR内存即将谢幕 HBM 34内存才是未来

    这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上,紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破,小批量生产了DDR3内存,下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片,正在努力追赶国际主流水平但是放眼整个内存市场,DDR5内存很快就要来了,更可怕的是未来即便是DDR5内存也很可能被更新的技术淘汰。HPE(惠普企业级)公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些观点,在他看来DDR内存要走到尽头了(DDR is Over),特别是一些需求高带宽的场合中。按照他的观点,在一些需要高带宽的场合中,HBM技术无疑远胜DDR内存,所以他说的DDR内存将死在这方面是成立的,比如HPC高性能计算机行业就非常需要HBM。,所以HBM降低成本的过程将是漫长的,对桌面级玩家来说DDR4很长一段时间内都不会过时,2020年左右会开始推DDR5内存,所以三五年内我们是看不到DDR内存被HBM干掉的可能的。
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  • DDR3篇第二讲、MIG电气接口介绍

    一、DDR3电平标准DDR3电平标准为:SSTL15 ,1.5V±0.075VDDR2接口电平标准:SSTL_18DDR接口电平标准:SSTL_2二、DDR3电气接口参数1、ddr3_dq管脚定义: inout2、ddr3_dqs_p & ddr3_dqs_n管脚定义:inout ddr3_dqs_n,inout ddr3_dqs_p,管脚说明:数据选通,当进行数据读取时,对于DDR3来说是输出,边缘与读取的数据对齐7、ddr3_we_n管脚定义:output ddr3_we_n;管脚说明:命令输入管脚,与ras_ncas_ncs_n定义一个命令。9、ddr3_cke管脚定义:output ddr3_cke;管脚说明:时钟使能信号,当其为高时时使能内部电路和DRAM上的时钟。由DDR3配置和操作模式决定特定电路的使能和禁止。10、ddr3_ck_p & ddr3_ck_n管脚定义:output ddr3_ck_p,output ddr3_ck_n,管脚说明:差分时钟输入,所有控制和地址输入信号在CK_P时钟的上升沿和CK_N
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  • xilinx平台DDR3设计中文版教程

    使用ISE对 Xilinx 板子进行DDR3测试,从仿真篇、综合篇、设计篇、应用篇、最终提升五部分详细讲解,给出带图教程。DDR的资料,后面理解和使用IP核就没多大难度了,至少大部分参数和相关知识都是了解的。DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格。DDR3内部Bank示意图,这是一个NXN的阵列,B代表Bank地址编号,C代表列地址编号,R代表行地址编号。如果寻址命令是B1、R2、C6,就能确定地址是图中红格的位置。目前DDR3内存芯片基本上都是8个Bank设计,也就是说一共有8个这样的“表格”。寻址的流程也就是先指定Bank地址,再指定行地址,然后指列地址最终的确寻址单元。
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  • SDK 2018.3烧写没有DDR的单板的Flash

    SDK 2018.3 支持烧写没有DDR的单板的Flash。但是SDK 2018.3烧写Flash需要一个FSBL。确保工程中没有定义XPAR_PS7_DDR_0_S_AXI_BASEADDR。如果有定义,可以在fsbl.h中添加下列行,去掉XPAR_PS7_DDR_0_S_AXI_BASEADDR的定义。示例如下: DDR init ret = ps7_config (ps7_ddr_init_data); if (ret != PS7_INIT_SUCCESS) return ret;4.修改FSBL的main.c,使其在没有DDR基地址情况下,只是不执行DDR相关操作,继续初始化devcfg、QSPI等模块。使用这种FSBL,烧写Flash成功。,DDR_INIT_FAIL rn); * Error Handling here * OutputStatus(DDR_INIT_FAIL); * * Calling FsblHookFallback
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  • 拿到7个DDR通路的基因集-学徒作业

    Cancer(May 8, 2019; DOI: 10.11581078-0432.CCR-19-0127),就提到了:Seven functional gene sets are involved in DDR从里面看看能不能找到DDR通路的基因集,每个基因集里面具体哪些基因呢?我曾经看到一个报道是这样的基因集:?这个报道里面的通路是5个,每个里面的基因数量也很少,可能是肿瘤热点相关,并不是该通路全部基因。或者说本来就没有标准答案,以前看过《肿瘤研究》(Cancer Research)的文章DOI: 10.11580008-5472.CAN-18-1814,提到了DDR通路中任意一个基因突变被定义为该DDR这个DDR基因集的临床意义蛮大的,我看到有公司宣传思路迪OK伴侣,全面覆盖HRR通路、MMR通路等8条DNA损伤修复通路的187个基因,最大化筛选PARP抑制剂的获益人群。举例来说,目前临床上使用较多的A公司520基因Panel,只含有52个DDR基因,而B公司的425基因Panel,也只有60个DDR基因,但思路迪的OK伴侣全面版和GPS,含有187个DDR基因,让患者不会错失任何一个可以从
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  • DDR5 内存来了:7nm 工艺、4400MHz 频率

    DDR4 内存目前还是绝对主流,不断被深入挖潜,频率已经突破 5GHz,不过下一代 DDR5 也已经蠢蠢欲动了。Cadence 公司今天就宣布了 DDR5 的全新进展,无论工艺还是频率都相当领先。目前,JEDEC 标准组织正在研究 DDR5 内存规范,已经有了初步版本,Cadence 此番拿出的就是面向新规范的第一个 DDR5 IP物理层接口芯片。为了支持Cadence DDR5 PHY物理层的验证和协作,美光也向其提供了DDR5内存初步版本的工程原型。(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); 在此之前,Rambus也曾经提到过7nm工艺下的DDR5 IP,并预计DDR5内存要到2020年才会商用值得一提的是,AMD曾保证说现在的AM4接口会一直支持到2020年,到时候极可能就会更换新接口,加入对DDR5的支持。?
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