今天我们来聊聊在计算机领域中非常关键的技术——DRAM（动态随机存取存储器）的内部结构和工作原理。
据TrendForce集邦咨询研究显示，由于消费需求疲弱，存储器卖方库存压力持续，仅三星（Samsung）在竞价策略下库存略降。为避免DRAM产品再大幅跌价，诸如美光（Micron）等多家供应商已开始积极减产，预估2023年第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至13~18%，但仍不见下行周期的终点。其中，PC及Server DRAM跌幅仍是近两成左右；Mobile DRAM在获利空间最为压缩的现况下，是跌幅收敛较明显的品项。
Refresh，刷新是 DRAM 的一项重要特性，又被称为动态刷新（Dynamic refresh），而 Dynamic 就是 DRAM 中的 'D' 所代表的意思。DRAM 刷新与其结构息息相关。
尽管多年来一直预测DRAM将被其他类型的内存所取代，但它至今仍然是几乎所有计算芯片中必不可少的组件。DRAM的足迹没有消失，而是一直在增加，DRAM类型的选择也在增加。
如今，“1bit只要1美元”的厂商早已退出DRAM市场， “三分天下”的局面难以打破，国产内存的希望如星星之火，尚不可燎原。
Spitfire: A Three-Tier Buffer Manager for Volatile and Non-Volatile Memory
上期我们介绍了针对SRAM降成本的方案——DRAM。DRAM的每bit只需要1个晶体管实现，大大降低了芯片面积，功耗和成本。
1958年9月12日，来自德州仪器公司的杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，制作了世界上第一块锗集成电路。
DRAM是一种利用电容存储电荷来表示数据“1”或“0”的存储技术。它由许多基本的存储单元电路组成，每个单元电路包括一个MOS管和一个电容。与SRAM相比，DRAM具有更高的密度和更低的功耗，但速度较慢。
当今计算中最大的问题之一是「存储墙」，即处理时间与将数据从单独的 DRAM 存储器芯片传送到处理器所花费时间之间的差距。AI 应用的日益普及只会加剧该问题，因为涉及面部识别、语音理解、消费商品推荐的巨大网络很少能容纳在处理器的板载内存上。
随着每一代接口(Interface)和存储(memory)的频率和速率的提高，信号采样以及传输变得越来越困难，因为数据眼(data eyes)越来越小。
NVM（非易失性内存），也叫PM（持久内存）具有可字节寻址、大容量、非易失型和堪比DRAM的速度等特性。随着英特尔傲腾产品的出世，现有数据库适配这种新型硬件显得更加有必要。
当一个拥有 DRAM 子系统的设备启动时，有几件事需要在 DRAM 进入工作状态之前完成。下图是来自JEDEC specification（DDR4 标准，jedec.org/standards-doc）的状态机，展示出上电之后 DRAM 经历的几个状态。
11月25日消息，据韩国媒体BusinessKorea报道称，市场研究公司Omdia最新报告指出，2023年第三季，韩国內存芯片制造商SK海力士在DRAM市场的市占率已达35%，主要受益于高端AI服务器GPU的高带宽內存（HBM）需求激增，加上HBM进入门坎高，让SK海力士保持“赢者全拿”优势。
如题 因为不喜欢插拔卡搞来搞去，喜欢直接USB插上直接干活烧录到底， 那就，看下D1怎么搞TF直接通过PhoenixSuit烧录 TF卡或者SDNAND
12月21日消息，存储芯片大厂三星电子昨日宣布推出全球首款传输速率高达 7.2 Gbps 的 12 纳米级 DDR5 DRAM内存芯片，并且该芯片已经完成了与AMD处理器兼容性的产品评估。
区别之1 bram 的输出需要时钟，dram在给出地址后既可输出数据。 区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间，dram浪费LUT资源 1.物理上看，bram是fpga中定制的ram资源，dram就是用逻辑单元拼出来的。 2.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 3.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是
高速的数据传输速率和实时功能是电子设备的目标。这些共同的目标推动了电子设备不仅需要高速运行，而且还需要提供快速响应和实时性能，以满足各种应用和行业用户的需求。更高的传输速度、更低的上升时间和更长的传输线成为保持从发射器到接收器的信号完整性的巨大挑战。
该研究团队对现代芯片中发现的内存管理系统略有修改，从而避免元数据繁杂传输过程。 传统的计算机上，微处理芯片是封装在主板上的，其底部装有杜邦线，数据通过线路在微处理器和主存之间传输。 后来，随着晶体管数的增加，微处理器和主存之间的传输速度成为提升计算机性能的主要障碍，因此，近年来，芯片制造商已经开始将动态随机存取存储器（DRAM）作为主存储器的存储器类型。 虽然DRAM可以实现高容量缓存且可以快速得将常用数据存储到本地，但是DRAM与通常用于片上高速缓存的内存类型截然不同，现有的缓存管理方案不能有效的使用它，
Managing Non-Volatile Memory in Database Systems
R128 平台使用 sys_config.fex 作为引脚配置文件，他会在打包时打包编译进入系统，在系统运行时会解析并配置，系统解析 sys_config.fex 的驱动配置位于 lichee\rtos-components\aw\sys_config_script 中。
9月22日消息，根据半导体市场研究机构IC Insights最新公布的数据显示，从2020年下半年开始并持续到2022年5月的DRAM市场强劲回升已经结束。在5月份公布了两年多来的最高月销量后，DRAM的销售额在6月份下降了36%，在7月份又下降了21%，这也意味着7月的DRAM市场规模只有5月的一半。
2月21日消息，据韩国媒体报导，半导体市场分析师表示，基于预估 DRAM 第二季库存回到健康水平、价格下跌放缓，加上三星宣布间接减产达9%，预计占全球 DRAM 产量4%，市场共识三星获利下跌在第一季财报发表前后回稳。
这里先说一下存储器系统： 寄存器 -----> 高速缓存 -----> 主存储 存储器对程序的性能有着巨大的影响，程序的运行就是对数据的不停的计算和搬移，其中最为耗时的就是程序对数据的搬移。因此，存储器对数据的存取速度是至关重要的。 CPU在访问寄存器中的数据只需要一个周期就可以访问到，在高速缓存中需要4-75个周期，如果在主存器上则需要上百个周期，如果在磁盘上则需要几千万个周期。
PG是一个广泛应用的开源数据库，从财务管理、地理信息、水务系统到气象服务等等。可部署在本地，也可以部署在云上。PG不仅在事务处理中有强大能力，也支持分析型的复杂查询语句。随着用户群的快速增长，PG受到的压力超出了最初的设计目标，导致需要大规模扩展PG。本文讨论了Memhive如何结合PM对扩展PG。
导读：近日，国际顶级设计自动化大会DAC大会公布DAC 2020会议议程和论文名单，由百度安全发表的《DRAMDig: AKnowledge-assisted Tool to Uncover DRAM Address Mapping》成功入选。
3月29日消息，存储芯片大厂美光（Micron）本周公布了截止2023年3月2日的2023财年第二财季财报，当季营收36.93亿美元，同比大幅下滑52.5%，净亏损高达23.12亿美元，创下2003年第二财季（亏损19.4亿美元）以来的历史单季亏损新高。
随机访问存储器（ Random-Access Memory,RAM）分为两类：静态的和动态的。静态RAM（SRAM）比动态RAM（DRAM）更快，但也贵得多。SRAM用来作为高速缓存存储器。DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区。
implications of non-volatile memory as primary storage for database management systems
HM-ANN: Efficient Billion-Point Nearest Neighbor Search on Heterogenous Memory 是一篇被 2020 年 Conference on Neural Information Processing Systems (NeurIPS 2020). 本文提出了一种基于图的相似性搜索的新型算法，称为 HM-ANN。
随着数字化技术的创新以及时延敏感型应用的持续落地，越来越多的数据需要实现实时或近实时的处理，这推动了 Redis 等内存数据库的广泛应用。此类数据库对于内存容量有着较高的要求，在数据快速增长的背景下，大内存池构建意味着较高的总体拥有成本 （TCO）压力，需要企业通过内存介质创新、存储架构优化等方式，实现成本与容量的平衡。
随着对于数字系统性能要求的不断提高，对信号完整性的要求也越来越高，从而能够在更高的速率下可靠运行。信号线端接是信号完整性管理中的有用元件，可以在memory外部或memory内部使用。在DRAM器件中加入电阻端接（通常称为片上端接（ODT，On Die Termination））可通过减少片外端接引入的电气不连续性来改善信号传输环境。然而，工艺、电压和温度 （PVT） 的变化会导致 ODT 元件的电阻特性不稳定。
DRAM是动态随机处理器，在手机中承担着计算的任务，理论上DRAM规格越高，手机就越流畅，DRAM也俗称为运存。
Block RAM与Distributed RAM，简称为BRAM与DRAM， 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构：
在开始介绍计算机内存构造之前，我们先来了解一下内存，也就是我们常说的内存条，它到底是怎么样存储数据的，采用的是哪种存储技术。
原文：What every programmer should know about memory, Part 1, RAM
📚 文档目录 合集-数的二进制表示-定点运算-BCD 码-浮点数四则运算-内置存储器-Cache-外存-纠错-RAID-内存管理-总线-指令集: 特征- 指令集:寻址方式和指令格式 Memory 存储器由一定数量的单元构成，每个单元可以被唯一标识，每个单元都有存储一个数值的能力. 地址:单元的唯一标识符(采用二进制). 地址空间:可唯一标识的单元总数. 寻址能力: 存储在每个单元中的信息的位数 大多数存储器是字节可寻址的,执行科学计算的计算机通常是64位寻址的. 半导体存储器 主存中广泛地运用了半导体芯片.
据彭博社6月26日报道，美国旧金山法院在当地时间6月24日发出逮捕令，将涉嫌窃取美国存储大厂位于爱达荷州的美光DRAM技术商业机密的三位嫌疑人列入通缉名单。
10月18日，韩国三星电子宣布，其最新与移动处理器大厂高通（Qualcomm） 合作的LPDDR5X DRAM，日前以8.5Gbps 的业界最快速度通过了验证，该速度也超越了三星此前在3 月份达到的7.5Gbps 的最高速度。预计高通将会在即将推出的Snapdragon 8 Gen 2 移动平台上，首发支持8.5Gbps 的LPDDR5X DRAM。
9月26日消息，根据海外投行最新的研究报告指出，预计2022~2023 年的DRAM市场供需比将达107% 及111% 的严重供过于求状况，这使得2022 年第三季度到2023 年第三季度的DRAM价格将逐季下跌下跌15%、15%、10%、10%，直到2023年的第三季才有望止跌。
7月26日消息，韩国存储芯片大厂 SK 海力士在其最新公布截止6月30日的2023年第二季度财报，受益于人工智能 (AI) 的市场需求，带动了存储芯片的复苏，使得第二季的亏损较上第一季减少。同时，为了加速NAND Flash库存去化，SK海力士宣布扩大减产NAND Flash。
如果你是一个 EECS 专业的学生或领域内从业者，你一定经常听到别人谈论 DRAM 、内存和 DDR ——学数字电路和计算机组成的时候绕不过 DRAM ，讨论电脑性能的时候离不开内存，围观领域内公司发布新产品时，总是看到产品使用了所谓的 xx 通道 DDR4/DDR5 技术。
随机访问存储器（Random-Access Memory，RAM)分为两类：静态RAM (SRAM)和动态RAM(DRAM)。SRAM比DRAM更快，但也贵得多。SRAM用来作为高速缓存存储器，一般只有几兆。DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区(显存)，一般有几G。 静态存储器SRAM将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里。每个单元是用一个六晶体管电路来实现的。由于这种双稳态特性，只要有电，它就会永远保持他的值，即使有干扰。例如电子噪音，来扰乱电压，当消除干扰时，电路就会恢复稳定值。 动态存储器DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。这个电容非常小，通常只有30*10^-15法拉。 DRAM存储器可以造的十分密集。 每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。但是，DRAM存储器对干扰非常敏感。当电容电压被扰乱后，就永远不会恢复。很多原因会导致漏电，使得DRAM单元在10~100毫秒时间内失去电荷。幸运的是，计算机的时钟周期以纳秒衡量，这个保持时间也相当长。存储器系统必须周期性地读出，然后重写来刷新存储器的每一位。
AEP是Intel推出的一种新型的非易失Optane Memory设备，又被称作Apache Pass，所以一般习惯称作AEP。在这之前也有类似的设备称作NVDIMM或PMEM，目前Linux创建的AEP设备节点也是叫做pmem（如/dev/pmem0）， 所以本文中NVDIMM或PMEM都指AEP。 但是本文不是为了科普AEP，如果想了解AEP的一些基本知识，可以参考以下几篇文章： NVDIMM Enabling in SUSE Linux Enterprise Part 1 NVDIMM Enabling in SUSE Linux Enterprise Part 2 Persistent Memory Wiki
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