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    将缓存数据率提升50%,MIT、Intel的研究人员还让宽带利用率提高5倍 | 黑科技

    该研究团队对现代芯片中发现的内存管理系统略有修改,从而避免元数据繁杂传输过程。 传统的计算机上,微处理芯片是封装在主板上的,其底部装有杜邦线,数据通过线路在微处理器和主存之间传输。 后来,随着晶体管数的增加,微处理器和主存之间的传输速度成为提升计算机性能的主要障碍,因此,近年来,芯片制造商已经开始将动态随机存取存储器(DRAM)作为主存储器的存储器类型。 虽然DRAM可以实现高容量缓存且可以快速得将常用数据存储到本地,但是DRAM与通常用于片上高速缓存的内存类型截然不同,现有的缓存管理方案不能有效的使用它,

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    随机访问存储器的动态原理

    随机访问存储器(Random-Access Memory,RAM)分为两类:静态RAM (SRAM)和动态RAM(DRAM)。SRAM比DRAM更快,但也贵得多。SRAM用来作为高速缓存存储器,一般只有几兆。DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区(显存),一般有几G。   静态存储器SRAM将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里。每个单元是用一个六晶体管电路来实现的。由于这种双稳态特性,只要有电,它就会永远保持他的值,即使有干扰。例如电子噪音,来扰乱电压,当消除干扰时,电路就会恢复稳定值。   动态存储器DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。这个电容非常小,通常只有30*10^-15法拉。 DRAM存储器可以造的十分密集。 每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。但是,DRAM存储器对干扰非常敏感。当电容电压被扰乱后,就永远不会恢复。很多原因会导致漏电,使得DRAM单元在10~100毫秒时间内失去电荷。幸运的是,计算机的时钟周期以纳秒衡量,这个保持时间也相当长。存储器系统必须周期性地读出,然后重写来刷新存储器的每一位。

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