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内存(DRAM)芯片国产进程

设计环节是核心技术,包含闪存芯片、闪存主控芯片、缓存(DRAM)芯片。 固态硬盘的缓存一般都是由一到两颗DRAM颗粒(就是内存颗粒)作为缓存使用。 本文从缓存芯片视角,介绍存储国产化的进展。 本文以固态硬盘方向分享国产DRAM芯片技术。 1. SSD 缓存作用 缓存(DRAM)主要是用来储存FTL缓存映射表,这个映射表表达了闪存单元物理地址同文件系统逻辑地址之间的关系。 2.2.3 先进制程 目前在内存先进制程技术上,三星采用14nm技术,国产DRAM存储目前还是用19nm技术。相比国外等一线DRAM厂商的技术要落后3年时间。

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缓存(DRAM)对性能的影响机制

SSD 缓存 1.1 DRAM SSD 1.2 无DRAM SSD 1.3 HMB SSD 1.4 有无DRAM 的 SSD 对比 前言 我给祖国庆个生,分享下存储芯片国产进展。 SSD 缓存 固态硬盘分 带DRAM 与 不带DRAM。带DRAM的固态硬盘要比不带DRAM的固态硬盘,IOPS速度快得多。 1.1 DRAM SSD 缓存(DRAM)主要是用来储存FTL缓存映射表,这个映射表表达了闪存单元物理地址同文件系统逻辑地址之间的关系。 高端固态硬盘会把FTL映射表完整地放入DRAM缓存中。 1.2 无DRAM SSD 没有DRAM 的SSD称为 DRAM-LESS SSD。如果没有DRAM,固态硬盘只能用主控内部的SRAM 加载映射表。 有 DRAM 可以在DRAM 攒够更多的映射表更新量后,再写入闪存。可以减少写入放大率,进而提供总的使用寿命。 数据来源: 如何挑选带DRAMDRAM-less的固态硬盘?

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    美光宣布DRAM和NAND晶圆减产20%!

    11月17日消息,为应对全球经济形式以及存储市场持续恶化的担忧,当地时间16日,美国存储芯片大厂美光科技发布新闻稿宣布,将 DRAM 和 NAND 晶圆产量减少约20%(与截至9月1日的2022 财年第四季度相比 美光表示,为了显著改善供应链中的总库存,在2023自然年度,预计其DRAM比特供应量将出现同比负增长,而NAND则有望维持个位数百分比的增长,但明显低于之前的预计。 不过,美光在削减DRAM和NAND晶圆产能的同时,正计划在未来20年内斥资1000亿美元在美国纽约州兴建大型晶圆厂。在项目周期内,纽约州还将为工厂提供55亿美元的资金激励,支持工厂招聘和资本投资。

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    DRAM:实现国产可替代的愿望挺难的

    ;1988年三星电子完成4M DRAM研发;1992年完成全球第一个64M DRAM的研发;1996年研发出全球第一个1GB DRAM(DDR2)。 但实际上,在德州仪器开始研发DRAM之前,几位从TI离职创办了莫斯泰克(Mostek)公司的工程师就提出了CPU和DRAM集成的方案,在1973年推出了引脚更少的4K DRAM,相比英特尔和德州仪器有更低的成本 ▲ 莫斯泰克4K DRAM DRAM市场的生产难度超过半导体大佬们的预期,到了2010年之后,整个欧美市场的DRAM业务几近团灭,仅剩一家拿得出手的存储器公司 — 美光。 目前,国内有三大存储项目,分别为紫光集团与武汉、南京、成都合作展开的NAND与DRAM项目(长江存储、紫光南京、紫光成都);联电与福建省合作的DRAM项目(福建晋华);兆易创新与合肥合作的DRAM项目( 奇梦达是从英飞凌独立出来的DRAM存储芯片公司,也曾是全球第四大DRAM芯片供应商,在2008年金融危机中破产。

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    DRAM严重供过于求,直到2023年三季度才有望止跌

    9月26日消息,根据海外投行最新的研究报告指出,预计2022~2023 年的DRAM市场供需比将达107% 及111% 的严重供过于求状况,这使得2022 年第三季度到2023 年第三季度的DRAM价格将逐季下跌下跌 报告称,对于2023 年的DRAM 位元(容量)需求成长率自18%下修至11%,主要系反映终端零售需求转弱下,各下游业者的DRAM 采购转向趋于消极。 在模组业者、服务器业者部分,DRAM 库存分别自6 月底的8 周、8周,堆积至9 月底的10周、12 周。而PC OEM 业者、手机业者的DRAM 库存方面则维持12 周、8 周的高水位。 此外,2023 年DRAM 位元供给成长率也自16%下修至15%,投片量成长自每月11.5 万片下修至每月7.4 万片,主要为反映在需求疲弱下,DRAM 业者普遍放缓制程升级速度。 惟三大DRAM 业者库存水准仍自6 月底的9 周,累积至9 月底的13周,导致2022 年第四季库存仍将持续累积。

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    美光解散上海DRAM设计团队,一起移民搬往海外

    新智元报道 编辑:David 【新智元导读】美国芯片巨头美光宣布关闭在上海的DRAM设计业务,要求工程师前往美国或印度,并附赠「移民大礼包」。 据悉,美光上海DRAM团队的150名成员中的一些可以申请调动,成功的申请者将获得去美国或印度的「移民套餐」。 与其他外国 DRAM 供应商一样,美光是 2018 年中国监管机构针对潜在反竞争行为进行调查的目标,并因涉嫌专利侵权而在中国法院被起诉。 美光目前在中国、新加坡、日本、美国、马来西亚和中国台湾地区生产 DRAM。目前尚不确定上海设计部门的关闭是否会影响其位于西安的 DRAM 组装和测试设施。 镁光在一份声明中说,公司在西安的DRAM设备在去年12月受疫情影响暂时关闭后,已于近期再次达到满负荷运转状态。

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    DRAM内存跌跌不止:Q1季度跌价20%,Q2季度再跌15%

    摘要: 从去年Q4季度以来,DRAM内存的价格就已经开始由涨转跌,由于智能手机及经济环境的变化导致需求放缓,再加上厂商库存增加,内存价格已经开始降了。 今年初,集邦科技旗下的DRAMeXchange发布了2019年Q1季度DRAM内存价格趋势报告。 根据他们的报告,2018年12月正值欧美年节时期,DRAM成交量清淡,因此不列入合约价计算,意味着12月份合约价与11月份大致持平。 Q1季度内存跌价20%,接下来的Q2季度内存价格也没可能反弹了,集邦科技预测Q2当季可能略有回温,但是因为累积的库存依然需要时间消化,Q2季度依然是供过于求的状态,认为DRAM内存价格还会再降15%。

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    SK海力士量产业界最高容量的LPDDR5移动端DRAM

    首尔,2021年3月8日 SK海力士宣布开始量产业界最高容量的18GBLPDDR5 移动端DRAM产品。 DRAM是动态随机处理器,在手机中承担着计算的任务,理论上DRAM规格越高,手机就越流畅,DRAM也俗称为运存。 SK海力士相关人士表示:“18 GB LPDDR5 移动端DRAM与此前16GB产品相比具备更大的容量,有效提升了数据临时存储空间。” 随着智能消费产品的快速普及,LPDDR也快速发展。 据OMDIA市场调查机构数据显示,现在LPDDR5DRAM的需求量已占据整个移动端DRAM市场的10%,通过持续扩大尖端技术终端领域的适用范围预估LPDDR5 DRAM的市占率在2023年将有望超过50%

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    为AI而生,打破存储墙,佐治亚理工等提出新型嵌入式无电容DRAM

    在现代 DRAM 芯片中,此操作每 64ms 完成一次。 处理器芯片中的嵌入式 DRAM 是以商业的形式完成的,因而存在一些其局限性。 新型嵌入式 DRAM 的结构。图源:圣母大学。 与由晶体管和电容器组成的普通 DRAM 不同,2T0C 嵌入式 DRAM 由两个晶体管组成。该位存储在右侧晶体管的电容中,并由左侧设备放置在此处。 但是,四层 2T0C DRAM 将嵌入式存储器所需的芯片面积减少了 3.5 倍,八层 2T0C DRAM 更是减少了 7.3 倍。 同样地,当层数多于 1 时,2T0C 嵌入式 DRAM 在性能上优于 1T1C 嵌入式 DRAM。 速度快得多的证据还需要等待处理器上全阵列嵌入式 2T0C DRAM 的构建。并且,全阵列嵌入式 2T0C DRAM 就要到来了!

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    最快69秒逆向DRAM地址映射,百度设计的这款逆向工具如何做到快速可靠?

    其中用来存储信息用的物理内存,就是我们上面提到的DRAM。 专业上,定位到最关键的两个row需要解决的核心问题,是要找出DRAM核心数据所在的DRAM地址,其实也就是逆向DRAM地址映射(下简称DRAM address mapping)的过程。 DRAM address mapping逆向目标是确定物理地址到DRAM中地址的映射关系。 具体而言,这个timing channel是由同一DRAM bank中的row buffer冲突引起的。DRAM中每个bank都有一个row buffer来缓存最后访问到的row。 ,内存条涵盖DDR3和DDR4 (DRAM Type,Size),和包含多种DRAM设定方式(DRAM Config)。 ?

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    DRAM市场规模2个月跌去了一半,下滑恐将持续至明年年初

    在5月份公布了两年多来的最高月销量后,DRAM的销售额在6月份下降了36%,在7月份又下降了21%,这也意味着7月的DRAM市场规模只有5月的一半。 南亚科技也表示,其2022年8月的DRAM销量(以美元表示)较3月下降了53%。 根据以往的经验,当DRAM市场开始周期性衰退时,它通常会快速下跌。下图显示了自2000年以来DRAM市场的几次崩溃。每次经济衰退至少持续5个季度,每一个季度都导致DRAM市场下跌至少41%。 鉴于目前的前景,IC Insights估计,2022年第三季度的DRAM市场将比2021年第三季度达到顶峰时下滑38%。 此外,IC Insights还预计,到2022年第四季度和明年初,DRAM市场将出现更多下行空间。 编辑:芯智讯-林子

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    论文赏析:极致性价比,非易失性内存在向量检索的应用

    异质存储器(HM)代表了快速但小的 DRAM 和缓慢但大的 PMem 的组合。 HM-ANN 实现了低搜索延迟和高搜索精度,特别是在数据集无法装入单机有限 DRAM 的情况下。 然而,当在十亿规模的数据集上操作时,这些索引也会消耗 TiB 等级的 DRAM。 还有其他的变通方法来避免让 DRAM 以原始格式存储十亿规模的数据集。 DRAM 是每个现代服务器中都能找到的硬件,其访问速度相对较快。 上层节点的数量是由可用的 DRAM 空间决定的。由于第 0 层不存储在 DRAM 中,因此使存储在 DRAM 中的每一层更密集,可以提高搜索质量。 HM-ANN 在 DRAM 中实现了一个 software-managed buffer,在 DRAM 访问发生之前从 PMem 中 prefetch 数据。

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    Block RAM与Distributed RAM

    Block RAM与Distributed RAM,简称为BRAM与DRAM, 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构: FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含 SliceM中含有Distributed RAM资源,而SliceL中不包含DRAM资源: ? 两者区别总结: 1、 bram需要时钟,dram给出地址后即可输出数据。 2、 dram使用更灵活方便些。 3、 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源。 4、 如果要产生较大的FIFO或timing要求较高就用bram,否则,就可以用dram。 5、 在异步fifo ,用两种RAM可供选择,BRAM和DRAM,BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源,DRAM是拼接LUT构成。

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    FPGA block RAM和distributed RAM区别

    区别之1 bram 的输出需要时钟,dram在给出地址后既可输出数据。 区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 1.物理上看,bram是fpga中定制的ram资源,dram就是用逻辑单元拼出来的。 2.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 3.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。 5.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高,就用BlockRAM。

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    随机访问存储器的动态原理

    随机访问存储器(Random-Access Memory,RAM)分为两类:静态RAM (SRAM)和动态RAM(DRAM)。SRAM比DRAM更快,但也贵得多。 动态存储器DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。这个电容非常小,通常只有30*10^-15法拉。 DRAM存储器可以造的十分密集。 每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。 但是,DRAM存储器对干扰非常敏感。当电容电压被扰乱后,就永远不会恢复。很多原因会导致漏电,使得DRAM单元在10~100毫秒时间内失去电荷。 图片.png **非易失性存储器 **   如果断电,DRAM和SRAM会丢失它们的信息,从这个意义上说,它们是易失的(volatile)。 访问主存   数据流通过称为总线(bus)的共享电子电路在处理器和DRAM主存之间来来回回。

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    腾讯2021sigmod论文Spitfire分析

    1)SSD上数据页大小16kb,当事务请求时加载到DRAM 2)使用时钟算法替换DRAM中的数据页,PM中使用同样算法 3)判断什么条件下降DRAM中数据页持久化到PM? 5)默认的读路径:SSD->NVM->DRAM->CPU 6)默认的写路径:CPU->DRAM->NVM->SSD 7)读时首先看是否在DRAM,不在时看是否在NVM,都不在则需要将SSD上全页直接加载到 DRAM 8)DRAM替换数据页时,首先看他在没在准入队列,若在则将其从队列删除,并持久化到PM;否则将其标记到准入队列,将该页直接持久化到SSD 9)优点:减少了PM写,以及不同层级之间数据的移动 确保DRAM中是热数据,NVM中是温数据,SSD中是冷数据。 1)Dr:读时,将NVM移动到DRAM中的概率。 比如0.01表示每读取100次,才将NVM中数据页迁移到DRAM 2)Dw:写时需要辅助DRAM的概率 3)Nr:读操作时,将SSD迁移到NVM的概率 4)Nw:写的过程中,buffer管理器将DRAM

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    (笔记)CPU & Memory, Part 1: RAM

    不同的内存类型如SRAM、DRAM有不同的内存控制器。 南桥又称I/O桥,如果要访问其他系统设备,北桥必须和南桥通信。 DRAM物理结构:若干RAM chip,RAM chip下有若干RAM cell,每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟(等待电容充放电),但DRAM便宜,容量大。 商业机器普遍使用DRAM,DDR之类的就是DRAM。 2.1.3 DRAM Access ? 、DRAM chip的成本 需要等待一段时间才能得到读、写操作的结果 2.2 DRAM Access Technical Details 略。 2.2.4 Memory Types 现代DRAM内置I/O buffer增加每次传输的数据量。 ?

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    10分钟!搞懂计算机内存实现原理

    存储技术: 目前主流的存储技术主要是静态存储器(SRAM)、动态存储器(DRAM)、ROM存储器 图片 1.RAM存储器 静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)都属于随机访问存储器,静态RAM 而动态RAM(DRAM)就是我们常说的内存条底层存储器了,虽然没有静态RAM(SRAM)速度快,但是在同等体积下,动态RAM(DRAM)可以存储更多的数据,且更便宜。 所以目前大部分的计算机内存都是采用动态RAM(DRAM)来实现的。 但是不管是静态RAM(SRAM)还是动态RAM(DRAM),在断电情况下,它们存储的信息都会消失。 二、DRAM底层存储原理 在介绍完目前主流的存储技术之后,我们开始今天的重头戏计算机内存。上面介绍到,计算机内存也就主存,是采用DRAM存储器实现的,那DRAM存储器内部是怎么实现的呢? DRAM和DDR4的关系介绍: 一般我们买的内存条都是叫做DDR4,好像和DRAM没关系,其实不是,DDR4只是DRAM的一个分支,DRAM有很多的分支,根据结构和技术指标主要分为3种DDR、GDDR

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    0分钟!搞懂计算机内存实现原理

    存储技术: 目前主流的存储技术主要是静态存储器(SRAM)、动态存储器(DRAM)、ROM存储器 图片 1.RAM存储器 静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)都属于随机访问存储器, 而动态RAM(DRAM)就是我们常说的内存条底层存储器了,虽然没有静态RAM(SRAM)速度快,但是在同等体积下,动态RAM(DRAM)可以存储更多的数据,且更便宜。 所以目前大部分的计算机内存都是采用动态RAM(DRAM)来实现的。 但是不管是静态RAM(SRAM)还是动态RAM(DRAM),在断电情况下,它们存储的信息都会消失。 二、DRAM底层存储原理 在介绍完目前主流的存储技术之后,我们开始今天的重头戏计算机内存。上面介绍到,计算机内存也就主存,是采用DRAM存储器实现的,那DRAM存储器内部是怎么实现的呢? DRAM和DDR4的关系介绍: 一般我们买的内存条都是叫做DDR4,好像和DRAM没关系,其实不是,DDR4只是DRAM的一个分支,DRAM有很多的分支,根据结构和技术指标主要分为3种DDR、GDDR

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    基于PMEM的PG数据库Memhive白皮书

    内存大的实例每个socket需要更大的DRAM,价格昂贵又受socket限制。 下面讨论结合PMEM如何进行垂直扩展。 持久内存具有非易失性、可字节寻址、低延迟,延迟介于DRAM和SSD直接。其比DRAM高的密度甚至使其成为DRAM替代品。他能给提供大容量,给耗内存的应用进行扩展提供便利。 可使每个CPU socket达到3TB,从而可提供比DRAM大很多的替代品。DRAM容量限制为128GB。 傲腾持久内存通过内存总线直接和CPU进行交互。 这个cache由DRAM分配,同时也由限制,因为其他部件也要用到DRAM。Memhive通过fsdax模式将PM挂载,将cache部署在整个app direct PM namespace上。 APPDirect sector用于承载数据库文件,组合了PMEM和DRAM的优势。组合fast WAL,可以获得更好性能。

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