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Flash如何模拟EEPROM

很多的MCU控制器不带有片上EEPROM,但是我们有时候鉴于成本的考虑又不想外扩EEPROM,所以经常用Flash来模拟EEPROM存储,但是Flash都是块擦除,所以需要考虑频繁擦除的影响,需要借鉴软件算法来综合考虑 ,最近经常在使用NXP的KE系片子,KE系列除过KE02带有256字节的片上EEPROM外,KE04和KE06都不带片上EEPROM,所以我们采用Flash来模拟。 还好官方提供了很好的一篇参考笔记AN4903,可字节编程或字编程且可擦除的电可擦可编程只读存储器(EEPROM) 在汽车电子控制单元 (ECU) 中经常使用。 对于不带 EEPROM 存储器的设备,可以通过 EEPROM 仿真软件,使用页面可擦除的 Flash 存储器来仿真 EEPROM,一个可擦除 Flash 单元相当于一个扇区。 可以看到移植的工程可以正常工作,且使用Flash来模拟EEPROM也可以正常工作,完成移植的目的,运用于正式的工程和项目,还要做一些修改,根据实际定好起始地址,并且做些容错处理。

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    你的EEPROM驱动标准吗?

    EEPROM驱动程序的稳定可靠在嵌入式产品的设计中占据举足轻重的地位,因为如果EEPROM不正确,那么存储的设备运行参数和数据就不正确,曾遇到过因为老产品的EEPROM驱动设计存在缺陷,导致客户抱怨,退回产品 ,虽然有的程序员写的驱动程序可以用,但是在恶劣条件下,导致数据丢失或者存储错误,EEPROM驱动的设计复用性应当相当高,在产品的设计中可以服用,如果驱动做的好的话,可以直接用在下一个产品中,只需更改一些应用层的映射 EEPORM驱动主要的功能接口应该提供,读,写,擦除,比较数据等接口,例如汽车电子行业中的AUTOSAR就对EEPROM的驱动有标准要求,其他行业也可以参考使用,汽车电子对安全要求相当高,为了避免各个厂商做出的驱动不一致性 ,所以在标准中提出了细致的要求,大家都必须按照标准来走,这样的话就大大提高了程序的复用性,和可靠性,对外置EEPROM和内置EEPROM都适用,也推荐大家使用状态机来做EEPROM的驱动,另外还要维护EEPROM 我们曾在公众号里给大家介绍过基于AUTOSAR标准的GPIO驱动开发,其实认真阅读AUTOSAR标准,开发出一个符合AUTOSAR标准的驱动没有想象中那么难,希望有兴趣的同学可以阅读下AUTOSAR标准中的以下文档,对你开发EEPROM

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    ​flash模拟eeprom存储日志的原理

    flash模拟eeprom存储日志的原理 文章目的 采用flash模拟eeprom的优点 方案设计 注意事项 文章目的 做mcu开发时,涉及到数据存储时,往往都会考虑使用flash、eeprom,或者铁电存储器 从数据储存的角度上来说,安全性最高的肯定是FRAM,接着才会考虑使用EEPROM,对于一般的数据储存,flash就足够了。 考虑到一般的MCU都不会携带EEPROM,最简单的方案可以利用flash模拟出eeprom,并且实现基本的日志文件系统操作,下面来描述一下基本的原理。 所以上述方案存在缺陷,那么如何才能让flash像eeprom一样读写,而且操作也不用每次擦除flash呢? 有了这些后台管理机制,再写日志时,上层便可以直接使用读写函数进行操作,而不用管底层到底是flash还是eeprom

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    EEPROM和flash这样讲,我早就懂了

    历史的车轮不断前进,伟大的EEPROM出现了,拯救了一大批程序员,终于可以随意的修改rom中的内容了。 但是今天已经存在多种EEPROM的变种,变成了一类存储器的统称。 狭义的EEPROM: 这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或者1。 这是最传统的一种EEPROM,掉电后数据不丢失,可以保存100年,可以擦写100w次。具有较高的可靠性,但是电路复杂/成本也高。 因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的,绝少有超过512K的。 例如我们常见的24C02: ? 广义的EEPROM: flash属于广义的EEPROM,因为它也是电擦除的rom。 但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM,我们都叫它flash。 flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本。

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    如何利用好KE02 内部的EEPROM

    最近有几个项目用的是NXP的 KE02片子这个芯片内部自带256字节的EEPROM,可以用来存一些参数,和密码,但是操作的时候要注意,EEPROM的地址是0x10000000-0x100000FF, 所以我们所有的参数要存在这个地址范围 我们使用SDK的函数编写一个简单的例子,可以测试下如上图所示,写进EEPROM和从EEPROM 相应地址读出来的是一样的,可以在掉电测试,都是没有问题的,需要注意的就是每次写操作要一次四个字节,可以利用 这里需要提醒的一点是在正式的产品中,因为片内EEPROM的寿命是有限的,不能频繁操作EEPROM, 可以对EEPROM的块进行分成小块,按块操作,这样可以相当于延长了EEPROM寿命。

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    4.6 51单片机-EEPROM存储芯片(AT24C02)

    4.6 EEPROM存储芯片(AT24C02) 4.6.1 原理图介绍 图4-6-1 图4-6-2 实验板上的EEPROM型号是AT24C02N,通信接口是IIC,接在单片机的P2.1(SCL)和P2.2 AT24C02是一颗2kbit(256字节)的EEPROM。 实验板的原理图上描述是24C16,实际实验板上使用的具体芯片型号是AT24C02。 4.6.2 AT24C02介绍 AT24C02是一个2K位串行EEPROM,内部含有256个字节空间。AT24C02内部有一个8字节页写缓冲器。 AT24C02的一个写周期时间为10ms,单片机向AT24C02传输数据时,AT24C02是将数据暂存在8字节的缓冲区里的,单片机发送完数据之后需要等待10ms的时间,等待AT24C02将缓冲区的数据存到内部EEPROM 里,存放到EEPROM之后,掉电才不会丢失。

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