ESD：ESD是当具有累积正负电荷的物体（电介质）接触或接近时发生的放电现象，通常为高达几KV的纳秒级短脉冲。 通过将ESD转化成三种设备级测试模型来定量表征其特性，即HBM，MM和CDM。 由于工艺规模缩小和掺杂浓度越来越高，半导体器件对ESD损坏的免疫力越来越低，如果不采取对策电子设备很容易因ESD而退化和损坏。 工艺尺寸缩小只是器件更容易受到静电影响的因素之一，还有其他各种因素。 由于USB、LAN和其他电缆经常插拔以与IoT或其他设备进行数据通信或为电池充电，因此更容易受到ESD事件的影响。因此供电或接口等关键电路+ESD防护二极管显得至关重要。 ： 注意如果发生ESD冲击，单向TVS管在正ESD冲击时进入反向击穿，在负ESD冲击时导通，所以单双向都可以用于吸收正负ESD脉冲，不必担心脉冲极性： 8).选择低动态电阻(RDYN)。 ESD 的影响。
这篇笔记主要给大家介绍下IMEC对其硅光有源器件的ESD性能的表征。 ESD的全称是electrostatic discharge, 即静电放电。在芯片的生产制造运输过程中，芯片中会积累一定的静电。 因此芯片的ESD防护显得尤为重要。 PN结，因此其也存在着ESD问题。 Ge PD的ESD性能相对较好。 3) 器件的光学性能在ESD测试前后没有明显的变化 4) 金属heater会对器件的ESD性能产生影响 在实际硅光产品中，往往会在器件附近并联一个反向二极管或者三极管作为ESD保护电路。
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ESD:electronstatic discharge 静电放电 现象：有限的大量的电荷在不同电位体之间快速转移的一种放电现象。 产生原因：摩擦，接触，耦合感应等。 测试规范与方法：IEC61000-4-5，EOS tester（surge generator） ESD模拟方法：静电枪（ESD GUN）也是ESD保护能力测试工具。 ESD保护能力等级评估： ESD选型重要参数： A：钳位电压：决定保护系统的能力。 注意：图中表的+6KV时候的钳位电压为11.5V，放在现在相当于+8KV的钳位电压。 最好采用Feed-Through Package Design,如下图type-c: 最后注意，在设计ESD跟EOS的时候，记得预先了解需要达到的ESD等级： 如空气8KV，接触4KV，需要达到class EOS 是在ESD的基础上面加强去防护EOS的，所以EOS可能能够防护ESD，而ESD不一定能够防护EOS。
谈起静电，我们经常听到ESD和TVS两个名词，二者其实是两个完全不同的概念，有的同学很容易混淆。 ESD全拼是Electro Static discharge，中文意思是“静电释放”，它描述的是一种客观现象。 ESD和TVS的关系是，我们用TVS来抑制ESD对电子电路的影响，从而保证电路系统能够正常工作。 ESD会产生一个非常高的瞬态电压，而且时间极短，有时可达亿分之1秒，如果放任这么高的电压不管，会对电路系统产生严重的破坏。 我们一般使用TVS来吸收ESD的能量，从而保护电路系统正常工作。 以上是ESD与TVS的基本介绍，下一篇文章将以单向TVS为例，详细介绍TVS各种参数意义，有助于在实际电路中，选择合适的TVS，有效抑制ESD。
一、为什么需要ESD? ESD静电防护就是用来防止这类荒谬事情的发生的，这足以体现ESD静电防护的重要性。 （ESD：Electro-Static discharge是静电释放的意思） 二、ESD静电释放的模式 人体放电模式（human body mode） 对，就是之前讲的那个渺小的人类，他整天无所事事，喝水喝得又少
ESD破坏，需要两个条件。 1. 物体上积聚了大量静电荷。 2. 该物体对其他物体或大地之间的快速放电通道。 所以防静电破坏，就是： 1. 防止静电的积聚。 2. 是属于管理问题了。有不少工人嫌麻烦，经常不带防静电手环就操作。 采取了纠正措施后，产品终于可以全部通过生产测试了。 是的，一些很严重的问题，往往是由于我们的麻痹大意而产生。希望对大家有些借鉴。
上一篇文章介绍了ESD与TVS的关系，使用TVS来抑制静电是一个常见的方案。 我们一定要正确选型TVS，来有效抑制ESD引起的瞬时大脉冲，同时又不影响到电路本身信号或电源正常工作。我们以单向TVS管为例，详细解读TVS各参数意义。 以上就是TVS重要参数的解读，我们一定要正确选型TVS，来有效抑制ESD引起的瞬时大脉冲，同时又不会干扰到电路本身工作工作。
下面介绍多异常点的检测算法ESD（Extreme Studentized Deviate）[3]。 ESD ESD可以检测时间序列数据的多异常点。 对于Grubbs Test和ESD的区别[4]，主要两点：一是ESD会根据不同的离群值调整临界值；二是ESD一直会检验 ? ESD检验。 因此下面介绍Seasonal Hybrid ESD (S-H-ESD)，首先介绍MAD。 因此S-H-ESD相比S-ESD，是把ESD中的均值方差计算的统计量替换成MAD，图5比较了两种方法的效果，S-H-ESD对于异常点的识别率更高，同时由于计算中位数，时间复杂度也相对会更高。 ?
通过Create Windows 10 installation media 创建的Win10 ISO，sources目录install.wim被install.esd替代如何把install.esd转化成 install.wim，参考https://www.itechguides.com/convert-esd-to-wim/https://www.intel.com/content/www/us/en/ :\sources\install.esdmkdir E:\WIMFiles -forceDISM /Export-Image /SourceImageFile:H:\sources\install.esd /Compress:Max /CheckIntegrity图片如果非要第三方工具，我倒是用过一个：PowerISOhttps://www.poweriso.com/tutorials/convert-esd-to-wim.htm
特别是涉及易受 ESD 损坏的极敏感最新高速接口时，ESD 保护变得异常重要。 在多数ESD相对安全的环境下，内部ESD保护可以在组装过程中保护元件。但它无法防范在应用现场发生的ESD事件。因此，外部ESD保护必不可少。 当今的高速和超高速接口一般以较低的信号电平工作。 因此外部ESD保护始终具有重要意义。 ESD保护技术不断演进 随着接口数据速率提高和IC鲁棒性降低，ESD保护器件的技术也在不断进步。 起初，人们使用电容进行ESD保护，但由于它对ESD的影响有限，而且不适用于数据线，现在已经不再使用。 ESD保护的标准技术是基于齐纳二极管设计的。 主要内容包括： ESD保护器件的数据手册参数 ESD测试标准和TLP测试 ESD保护原理 因ESD和浪涌事件造成的电子元件故障症状 经典车载网络(IVN) 区域架构 SerDes — 串行器/解串器接口
大数据挑战赛用到了时间序列异常检测，发现了一个很好的方法：S-ESD， 季节性 esd 是一种在 twitter 上实现的异常检测算法： “we developed two novel statistical
因为在实际产品中，看到的一些对ESD设计规则的生搬硬套，真是让人比较捉急。 3.ESD (Electro Static Discharge) 静电的积聚本身不会产生什么危害，产生破坏的是静电放电的一瞬间。 4.ESD 防护 如何防止静电产生破坏作用？不外乎传统的三大必杀技：一，控制干扰源。二，切断传播途径。三，提高设备的抗干扰能力。
登录到系统之后，在 auditUser 配置阶段会立即禁用内置管理员帐户,下次重新启动计算机时，内置管理员帐户将保持禁用状态。 WeiyiGeek.系统安装 从ESD（包括加密ESD以及UUP ESD）安装系统: 从Windows 8以后，微软会定期从Windows Update推送ESD。 而ESD中就包含了安装系统所必需的文件。我们可以直接使用ESD进行系统安装。哪怕这个ESD是加密的或者UUP分段ESD。 释放UUP ESD时，可以选择UUP文件夹中的ActionList.xml（推荐），也可以直接选择顶级ESD（比如Professional_zh-cn.esd） Compact技术安装压缩系统:Compact 管理员用户了; Step2.
准备镜像及驱动 2.1 提取Windows 10镜像文件 挂载windows 10.iso，或解压复制install.esd/install.wim到自定位置，待用。 DISM添加驱动并优化 4.1 释放镜像 文件-释放镜像，如图选择 目标映像：Windows 10 pro install.esd/install.wim V:\ 勾选添加引导，格式化 点击确定 – 4.3 优化系统 在“Appx管理”删除预装，建议保留photo 在“系统优化”优化界面 4.4 卸载镜像 文件-卸载镜像，关闭Dism++ 资源管理器右键磁盘V:，弹出 5. DISM添加驱动并优化 4.1 释放镜像 文件-释放镜像，如图选择 目标映像：Windows 10 pro install.esd/install.wim V:\ 勾选添加引导，格式化 4.3 优化系统 在“Appx管理”删除预装，建议保留photo 在“系统优化”优化界面 4.4 卸载镜像 文件-卸载镜像，关闭Dism++ 资源管理器右键磁盘V:，弹出 5.
前端放大器的内部ESD二极管有时会用来箝位过压状况，但为了确保这种箝位能够提供充分可靠的保护，需要考虑许多因素。 正确理解ESD单元在一个器件中是如何实现的，设计人员就能通过适当的电路设计大大扩展放大器的生存范围。 本文博文将介绍各种类型的ESD实现方案，讨论每种方案的特点，并就如何利用这些单元来提高设计鲁棒性提供指南。 需要明白，并非所有ESD二极管都是连接到电源和地的简单二极管箝位。 下图所示的放大器采用背靠背二极管来为器件提供ESD保护，采用3.3 V电源供电时，其允许电压最高达到70 V。 在这种配置中，不建议使用这些ESD单元来提供过压保护，因为若超过高压二极管的最大反偏电压，很容易造成器件损坏。 5、无ESD箝位 某些器件的前端没有ESD器件。
项目地址：https://github.com/FeeiCN/ESD 工具描述：ESD工具优点是爆破子域名速度快，缺点之一就是对性能要求高。 下载安装： git clone https://github.com/FeeiCN/ESD.git pip install esd && pip install esd --upgrade 使用命令： # 扫描单个域名 esd -d qq.com # debug模式扫描单个域名 esd=debug esd -d qq.com # 扫描多个域名（英文逗号分隔） ） esd --domain qq.com --skip-rsc # 使用搜索引擎进行子域名搜索（支持baidu、google、bing、yahoo，使用英文逗号分隔） esd --domain qq.com --engines baidu,google,bing,yahoo # 平均分割字典，加快爆破 esd --domain qq.com --split 1/4 # 使用DNS域传送漏洞获取子域名 esd
与S-H-ESD 鉴于时间序列数据具有周期性（seasonal）、趋势性（trend），异常检测时不能作为孤立的样本点处理；故而Twitter的工程师提出了S- ESD (Seasonal ESD)与S-H-ESD (Seasonal Hybrid ESD)算法，将ESD扩展到时间序列数据。 Reproduce the example in OP seasonal_decompose(df, model='additive', period=1).plot() plt.show() S-ESD 想当然的解法——将ESD运用于STL分解后的余项分量中，即可得到时间序列上的异常点。但是，我们会发现在余项分量中存在着部分假异常点（spurious anomalies）。 (100) # Introduce artificial anomalies ts[14] = 9 ts[83] = 10 outliers_indices = sesd.seasonal_esd(ts
【3-5分钟阅读】 【EOS/ESD联盟】 无意中刷到一条ESD静电放电联盟将在本月末将举行第43届线上研讨会，才知道有这么个联盟，这些不是重点，重点是他们官网有一些开放出来的ESD资源非常好 比如电子常用名词中文翻译版就非常棒，足足翻译了12页： https://www.esda.org/assets/PageLeadIn/be0aa10287/Glossary-of-Terms-and-other-common-ESD-terms-Chinese.pdf
当前 Monitor 系统支持的硬件类监控有 4 个： ESD CAN GPS Resource SOCKET CAN 监控 ESD CAN ESD CAN 是一种 CanCard，在 Apollo 中通过 PCIe 接口连接到 6108 工控机上面,在 Apollo 1.0 版本的官方文档就有介绍过 ESD CAN 型号是 ESD CAN-PCIe/402-1。 它长这个样子： ESD CAN 接收到的信号有 2 类： 线控底盘 CAN 信号 大陆毫米波雷达 CAN 信号 EsdCanMonitor 我在前面的文章中有写过，各类 xxxMonitor 其实是 当然，如果 ESD CAN 根本不存在，那么就返回 ERROR 错误类型。 EsdCanTest 内部创建了 NT_HANDLE 类型变量 handle，并基于它进行测试。 磁盘负债的比例计算公式是： usage = (当前I/O时间 - 上一次I/O时间)/监控间隔时长 总结 Apollo 归类到硬件监控的内容不多，只有 4 个，ESD CAN、GPS、SocketCAN
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