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pmos开关电路原理_高频开关电源电路图

故障分析 MOS的可以等效成下图右侧的电路模型, 输入电容Ciss=Cgs+Cgd, 输出电容Coss=Cgd+Cds, 反向传输电容Crss=Cgd,也叫米勒电容 MOS的启动波形 t0—t1阶段...这个过程中,驱动电流ig为Cgs充电,Vgs上升,Vds和Id保持不变。...这个时间段内驱动电流仍然是为Cgs充电,Id逐渐上升,在上升的过程中Vds会稍微有一些下降,这是因为下降的di/dt在杂散电感上面形成一些压降。...从上述周期看出MOS管开启过程主要受Cgs和Cgd共同影响。如果延长开启过程主要是延长t1—t2阶段和t2—t3阶段,在负载确定的情况下主要是增大Cgs和Cgd等效电容来实现。...调整C3和C4的值为1000nf时,效果更加明显 实验结论 实验得出增加MOS的Cgs和Cgd可实现开通缓启动功能,保护MOS不受到冲击损坏。

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