DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。...主板终结电阻控制电压与ODT在写入数据时的比较 主板终结电阻控制电压与ODT在读取数据时的比较 出于兼容性的考虑,DDR2标准在制定之初似乎显得有些缩手缩脚,这也直接导致其各方面表现比起DDR没有长足进步...新一代的DDR3采用了ODT(核心整合终结器)技术以及用于优化性能的EMRS技术,同时也允许输入时钟异步。...在针脚定义方面,DDR3表现出很强的独立性,甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式,采用更为先进的FBGA封装。DDRIII内存用了0.08微米制造工艺制造,将工作在1.5V的电压下。
而对于DDR SDRAM或者DDR2、DDR3,其时钟周期为6ns,那么它的显存频率就为1/6ns=166 MHz,但要了解的是这是DDR SDRAM的实际频率,而不是我们平时所说的DDR显存频率。...目前DDR2尚未完全取代DDR内存,在目前的整机环境下,DDR2基本能够满足各类型计算机的应用需求,那么最新一代的DDR3相比DDR2具有 哪些优势,使得包括Intel和AMD以及A-DATA在内的众多国际顶级厂商都致力于...DDR2内存能够取代DDR内存,不仅是因为带宽上的优势,还有非常重要的一条,那就是DDR2在节能上比DDR更有优势。...因此,从DDR2升级到DDR3,内存系统的功耗将明显降低,移动设备也可因此获得更长的 电池续航力。 Intel最新的965芯片组家族只支持DDR2,并放弃了对DDR的支持。...DDR3内存的新增功能,DDR3内存还有部分DDR2内存所不具备的功能,正是这些,让DDR3内存的表现有了根本性的提高 重置(Reset) 重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚
经常有人会说支持DDR2的主板存在偷工减料的现象。事实上这是由于DDR2内存中使用了一项新的ODT技术,它可以在提高内存信号稳定性的基础上节省不少电器元件(个人想法:ODT会增加功耗的阿)。...但是目前DDR2内存的工作频率太高了,这种主板终结的方法并不能有效的阻止干扰信号。若硬要采用主板终结的方法得到纯净的DDR2时钟信号会花费巨额的制造成本。...从DDR2内存开始内部集成了终结电阻器,主板上的终结电路被移植到了内存芯片中。在内存芯片工作时系统会把终结电阻器屏蔽,而对于暂时不工作的内存芯片则打开终结电阻器以减少信号的反射。...由此DDR2内存控制器可以通过ODT同时管理所有内存引脚的信号终结。并且阻抗值也可以有多种选择。如0Ω、50Ω、75Ω、150Ω等等。并且内存控制器可以根据系统内干扰信号的强度自动调整阻值的大小。...这也使得进一步提高DDR2内存的工作频率成为可能。 版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。
ODT的功能描述: DDR的直流标准 图片 版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。
今天分享一个资料--Xilinx MIG Ultrascale DDR4/DDR3 Hardware Debug Guide....这个guide讲了DDR4/DDR3调试中可能会碰到哪些问题,哪些信号可以作为我们调试时使用。
很多朋友都问刚买的DDR3是不是真的啊,买的是1600的怎么看工作在1066频率下之类的问题。。。我来开个贴统一回答下内存问题吧。。...首先现在很多DDR3主板BIOS默认是533档内存,也就是DDR3 1066内存来确保最大兼容性,所以即使你买的是1600的也会默认工作在1066频率下,那我们如何设置呢,下面来看我的图吧(配置是550
DDR3 1333与DDR3 1600比较 问:看中了intel平台,就是不知道这择SNB还是这择IVB。内存搭配也犹豫,究竟是DDR3 1333好还是DDR3 1600好? ...答:目前来看,DDR3 1600内存的性价比更好一些。以4GB为例,仅比DDR3 1333内存贵了一二十元而已,所以你就无需纠结,直接选DDR3 1600就OK了。...刷新内存SPD可提高兼容性 问:买了两条DDR3 1600内存,插在AMD 880G主板上,但兼容性不太好,频率在1600MHz下就会死机,如何才能提高内存兼容性呢?
DDR5 内存带来了许多关键的性能提升,以及新的设计挑战。计算系统架构师、设计人员和购买人员都想知道 DDR5 与 DDR4 有什么新功能,以及他们如何充分利用新一代内存。...本文内容: DDR5 与 DDR4 有什么变化? DDR5 面临哪些设计挑战? DDR5 内存接口芯片组如何利用 DDR5 for DIMM 的优势?...性能:DDR5 与 DDR4 DRAM 有什么变化? 从 DDR4 到 DDR5 DIMM 过渡中的七个最重要的技术指标改进如下表 1 所示。...表 1.DDR5 的变化和相对于 DDR4 DIMM 的优势 1. DDR5 可扩展至 8.4 GT/s 您永远无法拥有“足够”的内存带宽,而 DDR5 有助于满足对速度的永不满足的需求。...DDR5 与 DDR4 通道架构 DDR5 的另一个重大变化是新的 DIMM 通道架构,这是我们列表中的第四位。DDR4 DIMM 具有 72 位总线,由 64 个数据位和 8 个 ECC 位组成。
4、寻址时序(Timing) 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。...DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。...从外观上去看,DDR3内存与我们平时熟悉的DDR2没有太大的改变,如果没有特别留意的话不容易从外观上区分开来。下面我们来看一看DDR3内存与DDR2内存在外观设计上有什么不同之处。 ?...DDR/DDR2/DDR3内存三代同堂 首先是金手指缺口位置作了更改,金手指方面,SDRAM时代是两个缺口位置,升代至DDR时就改成了一们缺口位置,这个缺口位置最大的作用就是避免内存不会插错方向。...);而DDR3的缺口位置肯定要与DDR和DDR2不同,好在DDR3的缺口位置比例远离50%,53.88mm的距离仅占整个长度约41%,用户可以较明显地区分出内存的方向来。
本文对 Xilinx v7中提供的 DDR3 控制器 IP 核模块进行例化,实现基本的 DDR3读写操作。并使用在线逻辑分析仪查看有规律变化的 DDR3 数据读写时序。...1.DDR3控制器IP接口时序 DDR3 控制器 IP 核用于衔接 DDR3 芯片和 FPGA 的用户逻辑,DDR3 控制器与 FPGA 用户逻辑之间有一套简单易用的接口,以下为User Interface...先说 app_wdf_end,DDR3 实际读写的 Burst =8,举例来说,DDR3 的数据位宽为 16bit, Burst 为 8,就是说每次对 DDR3 执行读写,必须是连续的 8*16bit...代码块 该工程实例的模块层次: ● ddr.v 模块是工程顶层模块,例化子模块并申明端口。 ● clk_wiz_0.v 模块例化 PLL IP 核,产生 DDR3 的时钟。...●DDR ip 模块例化 DDR3 控制器 IP 核。 ● data_source.v 模块产生 DDR3 的读写控制命令,实现 DDR3 控制器和 DDR3 芯片的读 写测试功能。
通过以上的DBI介绍,其实DBI主要是对硬件有较大的优化,功耗跟信号完整性都有,不过主要还是信号完整性。
_addr (ddr3_addr), .ddr3_ba (ddr3_ba), .ddr3_...cas_n (ddr3_cas_n), .ddr3_ck_n (ddr3_ck_n), .ddr3..._ck_p (ddr3_ck_p), .ddr3_cke (ddr3_cke), .ddr3..._dq (ddr3_dq), .ddr3_dqs_n (ddr3_dqs_n), .ddr3...), .ddr3_dm (ddr3_dm), .ddr3_odt (ddr3_odt),
在过去的几十年里,内存技术经历了多次革命性的变革,其中包括DDR3、DDR4和DDR5等内存标准的推出。...在开始介绍DDR3、DDR4和DDR5之前,先谈下DDR SDRAM。 DDR SDRAM作为一种内存技术,以其高速的数据传输能力和先进的同步工作方式在计算机领域广泛应用。...良好的能效 相较于传统的SDRAM,DDR SDRAM在同样的数据传输速率下,能够实现更高的性能,同时消耗较低的能量。这有助于减少系统的能源消耗。 下面我们开始介绍DDR3、DDR4、DDR5....DDR3、DDR4、DDR5对比 参数 DDR3 DDR4 DDR5 发布日期 2007年 2014年 2021年 时钟频率 800MHz - 2133MHz 2133MHz - 3200MHz 4800MHz...、DDR4、DDR5对比表格图 | 建议保存收藏!
本文使用 IP 核自动生成的 DDR3 仿真测试激励对 DDR3 的 IP 核进行仿真。如图所示,打开路径..........\DDR3_test\DDR3_test.srcs\sources_1\ip\mig_7series_DDR3\ mig_7series_DDR3\example_design\sim下的 sim文件夹...,这个文件夹下存放着 DDR3 仿真测试激励。...这里的 4个源码文件是 DDR3 芯片的仿真模型。 ? 找到如下路径,添加 example_top.v 源码文件,该文件为 DDR3 的测试实例顶层文件。 ? ?...init_calib_complete表示初始化校准完成,信号拉高后校准完成,校准完成之前对DDR的读写可能失败。 ? 以下为DDR基本接口信号: ? 以上就是DDR3的 IP 核仿真教程。
不如再翻翻DDR3 IP 核配置?) ?...下图为DDR的各种接口; column和row地址是在ddr3_addr里面复用的,column一般是10bit宽度,row一般是14-16bit宽度; ddr3_ba是选bank的,一般是3bit宽度...下图为DDR3例化实体 只需要改动下面几个参数(具体后边介绍): .app_addr (app_addr), .app_cmd...这两套系统在时序上对齐,就可以成功将数据写入DDR; ?...其实,两系统不对齐也是ok的,如下图,1是严格对齐,2和3说明早写入和晚写入也是ok的;具体可以参考:DDR3读写数据 ? 读数据时序图 ?
从DDR的技术说起,DDR采用时钟脉冲上升、下降沿各传一次数据,1个时钟信号可以传输2倍于SDRAM的数据,所以又称为双倍速率SDRAM。它的倍增系数就是2。 ...DDR2仍然采用时钟脉冲上升、下降支各传一次数据的技术(不是传2次),但是一次预读4bit数据,是DDR一次预读2bit的2倍,因此,它的倍增系数是2X2=4。 ...DDR3作为DDR2的升级版,最重要的改变是一次预读8bit,是DDR2的2倍,DDR的4倍,所以,它的倍增系数是2X2X2=8。...同时DDR3内存的时钟频率提高到了存储单元核心的4倍。也就是说DDR3-800内存的核心频率只有100MHz,其I/O频率为400MHz,有效数据传输频率则为800MHz。 ...从SDRAM-DDR时代,数据总线位宽时钟没有改变,都为64bit,但是采用双通道技术,可以获得64X2=128bit的位宽。
在很多关于DDR3的博文和介绍中都没有将清楚。在查阅了很多资料并仔细阅读DDR3的官方标准(JESD79-3A)之后,总算有点了头绪,下面来整理整理。 1、首先ODT是什么?...ODT(On-Die Termination),是从DDR2 SDRAM时代开始新增的功能。其允许用户通过读写MR1寄存器,来控制DDR3 SDRAM中内部的终端电阻的连接或者断开。...之前的DDR,终端电阻做在板子上,但是因为种种原因,效果不是太好,到了DDR2,把终端电阻做到了DDR颗粒内部,也就称为On Die Termination,Die上的终端电阻,Die是硅片的意思,这里也就是...DDR颗粒。...这也使得进一步提高DDR2内存的工作频率成为可能。
8500S=1066 10600S=1333 12800S=1600 常见内存参数: PC2100是DDR 266内存 PC2700是DDR 333内存 PC3200是DDR 400内存 PC2-4200...是DDRII 533内存 PC2-4300是DDRII 533内存 PC2-5300是DDRII 667内存 PC2-6400是DDRII 800内存 PC3-8500是DDR3 1066内存 PC3...-10600是DDR3 1333内存 PC3-12800是DDR3 1600内存 PC3L-12800是DDR3 1600 低电压内存,向下兼容1333和1066
1.DDR3 IP 概述 本文对 Xilinx V7 XC7VX485T-FFG1927 Vivado 中提供的 DDR3 控制器 IP 核模块进行例化,实现基本的 DDR3读写操作。...通过 IP 核自动生成的测试脚本实例实现对 DDR3 IP 核的仿真。DDR3控制器IP核内部模块及其与FPGA逻辑、DDR3芯片的接口框图如图1所示。...用户接口模块用于连接 FPGA 内部逻辑;存储器控制器模块实现 DDR3 的主要读写时序和数据缓存交互;初始化和校准模块实现 DDR3 芯片的上电初始化配置以及时序校准;物理层模块则实现和 DDR3 芯片的接口...DDR3 控制器 IP 核 2.DDR3 IP核配置 点击 Flow Navigator 面板下的“Project Manager -->IP Catalog”。 ?...● DDR3 存储器型号(Memory Part)为 MT41K128M16XX-15E,这是 STAR 板载 DDR3 存储器的实际型号(XX 表示任何字符均可)。
一般来说,在系统上电之后,ASIC/FPGA/处理器中的 DDR 控制器会被从复位状态中释放,自动执行上电与初始化序列。...ZQ 校准 ZQ Calibration 图-4 ZQCL ZQ 校准的概念与 DDR 数据信号线 DQ 的电路有关。...图-9 DDR3(SSTL)v.s....DDR4(POD),来自 Micron datasheet 根据上图可以发现,在 DDR3 中接收方使用 Vdd/2 作为判决电平,判断信号为 0 或者为 1,上图中 DDR3 的接收实际上是一个分压电路...DRAM 本身是个很“呆” 的器件,很多事情都需要 DDR 控制器来完成,为什么这么说呢。
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