本节介绍一个米联客DDR3读写测试的工程，把一些难以理解的代码进行了注释，如果哪里有问题的话，感谢大家指出，最后对波形进行分析。...一、DDR3读写测试代码 前面的内容基本不需要看，重点在后面的assign赋值语句与两个状态机模块。...(device_temp), .sys_rst (locked) ); //以下是读写测试...CMD_WRITE =3'd0; parameter [2:0]CMD_READ =3'd1; //parameter TEST_DATA_RANGE=24'd16777215;//全地址测试...parameter TEST_DATA_RANGE=24'd2000;//部分测试 (*mark_debug="true"*) wire init_calib_complete; (*mark_debug
DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。...主板终结电阻控制电压与ODT在写入数据时的比较 主板终结电阻控制电压与ODT在读取数据时的比较 出于兼容性的考虑，DDR2标准在制定之初似乎显得有些缩手缩脚，这也直接导致其各方面表现比起DDR没有长足进步...新一代的DDR3采用了ODT（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。...在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装。DDRIII内存用了0.08微米制造工艺制造，将工作在1.5V的电压下。
基于XCZU21DR-2FFVD1156E开发，本文介绍对PL DDR4的读写操作，代码全部经过上板测试。...error_flag, //读写错误标志 output reg led //读写测试结果指示灯...led <= 1'b0; end else begin if(~error_flag) //读写测试正确...led <= 1'b1; //led灯常亮 else begin //读写测试错误...以上代码经过上板测试通过。 本文完。
这篇文章我们讲一下Virtex7上DDR3的测试例程，Vivado也提供了一个DDR的example，但却是纯Verilog代码，比较复杂，这里我们把DDR3的MIG的IP Core挂在Microblaze...下，用很简单的程序就可以进行DDR3的测试。...但这个工程只是一个简单的测试用例，实际应用中不会这么用的，因此传输效率太低。 新建工程，FPGA选型为xc7v690tffg-1761。 1...._addr, output [2:0]ddr3_ba, output ddr3_cas_n, output [0:0]ddr3_ck_n, output [0:0]ddr3_ck_p,...[7:0]ddr3_dqs_n, inout [7:0]ddr3_dqs_p, output [0:0]ddr3_odt, output ddr3_ras_n, output ddr3
而测试仪主要的原理是用程序重复测试内存芯片的每个数据位引脚，看有没有击穿或短路的数据位引脚，还有就是芯片的时钟引脚、地址引脚。...所以用万用 表测试芯片时也可用测试仪的方法来测，只要红笔对地（1脚），黑笔测量排阴阻的阻值，就是内存芯片数据位的阻值来判断是哪个芯片坏了，正常的话每个数据位 阻值相同。...但还是没有测试仪那么直观，用这种方法可测量DDR内存芯片的好坏。 二、 用测试仪测量内存芯片方法 根据使用说明书，测量的内存在2A、2B这里，指单组和双组的意思。...测量时会循环测试每一组中的每一个芯片的数据位脚。一般测了3次—5次没坏就是好的。好的芯片为：PASS。坏的芯片就显示出坏 的数据位引脚。 1、 开机跳不进测试，一般有：芯片短路、PCB板短路。...2、 内存测试仪不测试SPD芯片，SPD芯片可有可无 3、 金手指烧了的话也不能测试，必须把芯片拆下换到好的PCB板上试芯片好坏 有关内存延时： CAS延时，有时也称为CL或CAS，是RAM必须等待直到它可以再次读取或写入的最小时钟数
经常有人会说支持DDR2的主板存在偷工减料的现象。事实上这是由于DDR2内存中使用了一项新的ODT技术，它可以在提高内存信号稳定性的基础上节省不少电器元件(个人想法：ODT会增加功耗的阿)。...但是目前DDR2内存的工作频率太高了，这种主板终结的方法并不能有效的阻止干扰信号。若硬要采用主板终结的方法得到纯净的DDR2时钟信号会花费巨额的制造成本。...从DDR2内存开始内部集成了终结电阻器，主板上的终结电路被移植到了内存芯片中。在内存芯片工作时系统会把终结电阻器屏蔽，而对于暂时不工作的内存芯片则打开终结电阻器以减少信号的反射。...由此DDR2内存控制器可以通过ODT同时管理所有内存引脚的信号终结。并且阻抗值也可以有多种选择。如0Ω、50Ω、75Ω、150Ω等等。并且内存控制器可以根据系统内干扰信号的强度自动调整阻值的大小。...这也使得进一步提高DDR2内存的工作频率成为可能。 版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。
ODT的功能描述： DDR的直流标准 图片 版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。
今天分享一个资料--Xilinx MIG Ultrascale DDR4/DDR3 Hardware Debug Guide....这个guide讲了DDR4/DDR3调试中可能会碰到哪些问题，哪些信号可以作为我们调试时使用。
DDR5内存颗粒概述根据鸿怡电子IC测试座工程师介绍：DDR5（Double Data Rate 5 Synchronous Dynamic Random Access Memory）是第五代同步动态随机存取内存...DDR5内存颗粒在这方面展现出卓越的扩展能力。根据鸿怡电子IC测试座工程师介绍：与DDR4相比，DDR5内存颗粒支持更高的单颗容量，最大单条内存模组容量可以达到128GB甚至更高。...在使用DDR5内存测试治具对DDR5-10600、DDR5-9000 CL38和DDR5-7800 CL36 CAMM2超频内存进行测试时，需要符合以下测试要求，并了解该测试治具有哪些优势：测试要求电气特性测试...ANDK DDR5内存测试治具的优势高精度测试：ANDK治具有高精度的测试探针，可以捕捉到微小的电气信号变化，确保测试结果的准确性。先进的测试算法和自动化测试流程，减少人为误差。...根据鸿怡电子IC测试座工程师介绍：使用ANDK的DDR5内存测试治具进行DDR5超频内存测试，不仅能够确保测试的全面性和精确性，还能通过高效的自动化流程和强大的数据分析功能，为工程师提供可靠的测试结果和优化建议
MPSoC的DDR控制器的数据通道上集成了 AXI performance monitors (APM)。...在每个单板的device tree里，会支持DDR的APM。比如，在VCU TRD里，为DDR的APM定义了下面字段。...perf_monitor_cci = "/amba/perf-monitor@fd490000"; perf_monitor_lpd = "/amba/perf-monitor@ffa10000"; 单板Linux...使用apm_main.elf，可以查询APM监视到的DDR带宽利用情况。 root@vcu_trd:~# chmod +x apm_main.elf root@vcu_trd:~# ....每个DDR port对应的硬件模块，请参考ug1085的Figure 17-1。port 4连接到了HP 1/HP 2。port 5连接到了HP 3。 ?
4.5 ddr+串口联合测试 4.5.1总体设计 DDR端的数据通过AXI总线进行数据传输。...在前面章节介绍了DDR数据读写模块的设计（aq_axi_master），本章节中便对这个axi的读写模块进行测试。...在测试中，先向ddr的某个地址中写入数据，然后再将该地址的数据读取出来，通过串口将此数据发送到电脑端，以此验证ddr数据的读写是否正确。...4.5.5测试结果 将经过综合，布局布线后，生成的比特流文件下载到开发板中，打开串口终端，连接到FPGA的串口。可以看到数据以1秒8字节的速度在不断的接收。...证明ddr的数据读写过程无误。 ?
很多朋友都问刚买的DDR3是不是真的啊，买的是1600的怎么看工作在1066频率下之类的问题。。。我来开个贴统一回答下内存问题吧。。...首先现在很多DDR3主板BIOS默认是533档内存，也就是DDR3 1066内存来确保最大兼容性，所以即使你买的是1600的也会默认工作在1066频率下，那我们如何设置呢，下面来看我的图吧(配置是550
DDR5 内存带来了许多关键的性能提升，以及新的设计挑战。计算系统架构师、设计人员和购买人员都想知道 DDR5 与 DDR4 有什么新功能，以及他们如何充分利用新一代内存。...本文内容： DDR5 与 DDR4 有什么变化？ DDR5 面临哪些设计挑战？ DDR5 内存接口芯片组如何利用 DDR5 for DIMM 的优势？...性能：DDR5 与 DDR4 DRAM 有什么变化？ 从 DDR4 到 DDR5 DIMM 过渡中的七个最重要的技术指标改进如下表 1 所示。...表 1.DDR5 的变化和相对于 DDR4 DIMM 的优势 1. DDR5 可扩展至 8.4 GT/s 您永远无法拥有“足够”的内存带宽，而 DDR5 有助于满足对速度的永不满足的需求。...DDR5 与 DDR4 通道架构 DDR5 的另一个重大变化是新的 DIMM 通道架构，这是我们列表中的第四位。DDR4 DIMM 具有 72 位总线，由 64 个数据位和 8 个 ECC 位组成。
电子测量企业 Keysight Technologies 近日推出了业界第一个完整的 DDR5 DRAM 测试与验证系统“N6475A DDR5 Tx”，为新一代内存的研发打开了方便之门。...这套系统包括 Keysight N6475A DDR5 Tx 兼容测试软件、M8040A 64 Gbaud 高性能比特误码率测试仪 (BERT) 和 Infiniium UXR 系列实时示波器两种硬件，...可对 DDR5 内存进行抖动、电子、时序、波形、眼图方面的测试，包括 DDR5 芯片、数据缓冲、寄存器芯片的发射器物理层。...程序会自动将测试结果与 DDR5 标准规范的兼容标准进行对比，展示产品是否通过每一项测试。...在此之前，DDR5 产品的开发者们必须自己设计软件，或者手动执行所有测试、分析，现在有了 Keysight 的这套完整测试与验证系统，可以大大加速 DDR5 内存的研发、优化。 ? ? ? ?
DDR3 1333与DDR3 1600比较 问：看中了intel平台，就是不知道这择SNB还是这择IVB。内存搭配也犹豫，究竟是DDR3 1333好还是DDR3 1600好？ ...答：目前来看，DDR3 1600内存的性价比更好一些。以4GB为例，仅比DDR3 1333内存贵了一二十元而已，所以你就无需纠结，直接选DDR3 1600就OK了。...后来，看到今年《电脑报》第42期硬件DIY有对Sandy Bridge i7 3960X的对比测试，用的是华硕Rampage Ⅲ Formula，芯片组和Rampage Ⅱ Extteme完全一样，但支持...刷新内存SPD可提高兼容性 问：买了两条DDR3 1600内存，插在AMD 880G主板上，但兼容性不太好，频率在1600MHz下就会死机，如何才能提高内存兼容性呢？
本文对 Xilinx v7中提供的 DDR3 控制器 IP 核模块进行例化，实现基本的 DDR3读写操作。并使用在线逻辑分析仪查看有规律变化的 DDR3 数据读写时序。...1.DDR3控制器IP接口时序 DDR3 控制器 IP 核用于衔接 DDR3 芯片和 FPGA 的用户逻辑，DDR3 控制器与 FPGA 用户逻辑之间有一套简单易用的接口，以下为User Interface...先说 app_wdf_end，DDR3 实际读写的 Burst =8，举例来说，DDR3 的数据位宽为 16bit， Burst 为 8，就是说每次对 DDR3 执行读写，必须是连续的 8*16bit...代码块 该工程实例的模块层次： ● ddr.v 模块是工程顶层模块，例化子模块并申明端口。 ● clk_wiz_0.v 模块例化 PLL IP 核，产生 DDR3 的时钟。...●DDR ip 模块例化 DDR3 控制器 IP 核。 ● data_source.v 模块产生 DDR3 的读写控制命令，实现 DDR3 控制器和 DDR3 芯片的读 写测试功能。
4、寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。...DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。...从外观上去看，DDR3内存与我们平时熟悉的DDR2没有太大的改变，如果没有特别留意的话不容易从外观上区分开来。下面我们来看一看DDR3内存与DDR2内存在外观设计上有什么不同之处。 ?...DDR/DDR2/DDR3内存三代同堂 首先是金手指缺口位置作了更改，金手指方面，SDRAM时代是两个缺口位置，升代至DDR时就改成了一们缺口位置，这个缺口位置最大的作用就是避免内存不会插错方向。...）；而DDR3的缺口位置肯定要与DDR和DDR2不同，好在DDR3的缺口位置比例远离50%，53.88mm的距离仅占整个长度约41%，用户可以较明显地区分出内存的方向来。
通过以上的DBI介绍，其实DBI主要是对硬件有较大的优化，功耗跟信号完整性都有，不过主要还是信号完整性。
本文使用 IP 核自动生成的 DDR3 仿真测试激励对 DDR3 的 IP 核进行仿真。如图所示，打开路径..........\DDR3_test\DDR3_test.srcs\sources_1\ip\mig_7series_DDR3\ mig_7series_DDR3\example_design\sim下的 sim文件夹...，这个文件夹下存放着 DDR3 仿真测试激励。...这里的 4个源码文件是 DDR3 芯片的仿真模型。 ? 找到如下路径，添加 example_top.v 源码文件，该文件为 DDR3 的测试实例顶层文件。 ? ?...init_calib_complete表示初始化校准完成，信号拉高后校准完成，校准完成之前对DDR的读写可能失败。 ? 以下为DDR基本接口信号： ? 以上就是DDR3的 IP 核仿真教程。
不如再翻翻DDR3 IP 核配置？） ?...下图为DDR的各种接口； column和row地址是在ddr3_addr里面复用的，column一般是10bit宽度，row一般是14-16bit宽度； ddr3_ba是选bank的，一般是3bit宽度...下图为DDR3例化实体 只需要改动下面几个参数（具体后边介绍）： .app_addr (app_addr), .app_cmd...这两套系统在时序上对齐，就可以成功将数据写入DDR； ?...其实，两系统不对齐也是ok的，如下图，1是严格对齐，2和3说明早写入和晚写入也是ok的；具体可以参考：DDR3读写数据 ? 读数据时序图 ?
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