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    分享STM32 FLASH 擦除(以及防止误擦除程序代码)、写入

    编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2 stm32库版本:我用的是3.5.0 一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料。   对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程:   FLASH解锁   清除相关标志位   擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便)   写入FLASH   锁定FLASH 实例: #define FLASH_PAGE_SIZE ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小 #define WRITE_START_ADDR ((uint32_t)0x08008000)//写入的起始地址 #define WRITE_END_ADDR ((uint32_t)0x0800C000)//结束地址 uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除计数,写入地址 uint32_t Data = 0x3210ABCD;//要写入的数据 uint32_t NbrOfPage = 0x00;//记录要擦除的页数 volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成标志*/ void main() { /*解锁FLASH*/  FLASH_Unlock(); /*计算需要擦除FLASH页的个数 */  NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE; /* 清除所有挂起标志位 */   FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); /* 擦除FLASH 页*/  for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)    {    FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));    } /* 写入FLASH */  Address = WRITE_START_ADDR;  while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))    {    FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);    Address = Address + 4;    } /* 锁定FLASH */  FLASH_Lock(); } 二、FLASH 擦除(以及防止误擦除程序代码) 1、擦除函数 FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)只要()里面的数是flash第xx页中对应的任何一个地址!就是擦除xx页全部内容! 防止误擦除有用程序代码的方法 方法一:首先要计算程序代码有多少,把FLASH存取地址设置在程序代码以外的地方,这样就不会破坏用户程序。原则上从0x0800 0000 + 0x1000 以后的FLASH空间都可以作为存储使用。如果代码量占了 0x3000, 那么存储在 0x0800 0000+ 0x4000 以后的空间就不会破坏程序了。 方法二:先在程序中定义一个const 类型的常量数组,并指定其存储位置(方便找到写入、读取位置),这样编译器就会分配你指定的空间将常量数组存入FLASH中。当你做擦除。读写操作时,只要在这个常量数组所在的地址范围就好。   const uint8_t table[10] __at(0x08010000) = {0x55} ;   MDK3.03A开始就支持关键字 __at() 。   需要加#include <absacc.h> 方法三:在程序中定义一个const 类型的常量数组,无需指定其存储位置。只要定义一个32位的变量存储这个数组的FLASH区地址就行。   uint32_t address;//STM32的地址是32位的   const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};   address = (uint32_t) imageBuffer;/*用强制类型转换的方式,可以把FLASH中存储的imageBuffer[1024]的地址读到RAM中的变量address 里,方便找到写入、读取位

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