一、MOSFET介绍 今天和同事讨论起了公司用到的一个MOS管开关电路，针对其中的几个关键点做了比较系统的分析总结。 ?...半导体）通过特殊工艺制成 和三极管（电流控制电流型器件）相比，MOS管（电压控制电流型器件）具有栅极驱动基本不需要电流，损耗小、噪声低、抗辐射能力强、输入阻抗高、结构简单、便于集成和热稳定性好等优点 MOSFET...可以被制造成P沟道和N沟道两大类，每一类又分为增强型或者耗尽型，所以MOSFET有四种：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET 在栅-源电压
由于MOSFET的尺寸非常小，因此MOSFET既可以是核心也可以是集成电路，可以在单个芯片中进行设计和制造。MOSFET器件的引入带来了电子开关领域的变化。 1 什么是MOSFET？...MOSFET通常被认为是晶体管，并且在模拟和数字电路中都使用。这是MOSFET的基本介绍。该设备的一般结构如下： ?...MOSFET方框图 P沟道MOSFET P沟道MOSFET具有位于源极端子和漏极端子之间的P沟道区域。它是一个四端子设备，其端子分别为栅极，漏极，源极和主体。...但是，当将MOSFET用作感性负载或容性负载的开关时，则MOSFET器件需要保护。 如果在不保护MOSFET的情况下，则可能导致器件损坏。...什么是MOSFET开关效率？ 在将MOSFET用作开关器件时的主要限制是该器件能够提供的增强的漏极电流值。这意味着RDS处于导通状态是决定MOSFET开关能力的关键参数。
gfs表示正向跨导，反映的是栅极电压对漏源电流控制的能力，gfs过小会导致MOSFET关断速度降低，关断能力减弱，过大会导致关断过快，EMI特性差，同时伴随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。...这两项参数对MOSFET关断时间略有影响，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响。...开关速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高。 IS 、ISM这些参数如果过小，会有电流击穿风险。
电路符号篇 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 📷 实物篇 📷 📷 📷 📷 ...
一、基本描述 MP2315 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 3A 连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。
相对于传统的硅基MOSFET来说，SiC MOSFET得益于SiC材料的加持，具有更低的导通电阻、更低的开关损耗、更高的击穿电场强度和高温稳定性，可以使电机驱动系统具有更高的效率、更高的功率密度，并且拥有更长的使用寿命...而更高效的1200V SiC MOSFET正是电动汽车800V高压平台必不可少的关键器件。 对于SiC MOSFET来说，导通电阻是一项重要的性能指标，反映了器件在导通状态下的损耗和效率。...在1200V的工作电压下，SiC MOSFET通常具备更低的导通电阻，可以实现更高的功率密度和更低的能量损耗。...虽然目前一些国际大厂的SiC MOSFET的导通电阻可以控制在1200V/3mΩ以下，但是国产SiC MOSFET厂商由于起步相对较晚，目前导通电阻水平多数都还是在1200V/10mΩ以上。...显然，昕感科技的1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片已经达到了业界领先的水平。
12月19日消息，意法半导体（ST）今日宣布，再度扩展碳化硅（SiC）产品线，推出了五款新一代SiC MOSFET 功率模组，其涵盖多种不同额定功率，且支持电动汽车电驱系统的常用运作电压。
MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。...▲ MOSFET种类与电路符号 有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。...IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。...IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。...另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
继《3D视觉电子元件——电阻，电容，电感》的第二个视频，这次是关于二极管、三级管、MOSFET，很精彩的动画，特别是对N、P区杂质掺杂技术原理的诠释引进了“四脚怪”的概念，关于空穴、电子之间的游离关系...MOSFET http://mpvideo.qpic.cn/tjg_3561825764_50000_66e31939a7064f49bc0c44deae6d5411.f10002.mp4?
MOSFET用作主开关晶体管，并用作门控整流器来提高效率。本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET做了比较，以便选择最适合电源应用的开关。...在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主N沟道场效应管开关电路。...N沟道场效应管开关电路N沟道MOSFET在栅-源极端子上施加适当阈值的正电压时导通；P沟道MOSFET通过施加给定的负的栅-源极电压导通。 MOSFET的栅控决定了它们在SMPS转换器中的应用。...5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。...更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=（Eon Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。...MOSFET Selection and Considerations The preferred high-side MOSFET emphasizes low gate charge so that...Unlike the low-side MOSFET, which has the drain -source voltage clamped by its body diode during turn...off, the high-side MOSFET turns off with a VDS of approximately VIN- VOUT, plus the spike across it....The preferred low-side MOSFET emphasizes low r DS(ON) when fully saturated to minimize conduction loss
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求...Active Cell 开关单元 – SiC MOSFET的核心 开关单元是SiC MOSFET中一个非常重要的部分。...M3e的cell pitch值和目前的沟槽结构的SiC MOSFET pitch值相当，这表明安森美在平面结构的SiC MOSFET发展优化到了一个相当高的水平。...当然一个MOSFET的性能不仅仅看Rsp，还要考虑开关损耗。...SiC MOSFET的设计和制造有一个概念。
而在进行MOSFET的选择时，因为MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。...MOSFET.在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。...当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。...在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显着变化。...所引起的, 通常在MOSFET G脚有一個10K落地, 產生低阻, 再加上Ciss電容效應, 要讓MOSFET誤觸發機率不高, 至於Mosfet 關斷, 試看你的操作頻率, 通常驅動端 Low Active
据中国台湾“经济日报”报导，包括宝马（BMW）、吉利等汽车大厂近期针对电源管理芯片、MOSFET（金氧半场效晶体体）、微控制器（MCU）等原本需求旺盛的芯片大砍单，并要求供应商降价。...前两年全球汽车芯片大缺货，车用MOSFET在过去18个月一路供不应求，当时几乎全球主要供应商都将生产线全力对准车用产品，排挤非车用MOSFET产出，导致价格一路飙涨，众多车用MOSFET厂也跟着业绩大涨...如今车用MOSFET供应不再吃紧，价格承压，相关厂商恐将面临冲击。 据经济日报报导称，台系汽车芯片厂商硅力、富鼎、华新丽华集团旗下新唐可能都将受到影响。...获得鸿海投资的富鼎目前为台湾在MOSFET产业中规格最齐全的代表厂商，并跟随鸿海集团扩大车用布局脚步，在车用产品上，除了已有可量产1,200V高压IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模组之外，碳化硅应用亦完成...600V肖特基二极管（SBD）、900V及1,200V高压MOSFET开发及投产。
JY02是国内研制的无刷电机驱动芯片，相比于之前的DRV11873，少了集成的MOSFET，只能通过外部扩展MOSFET驱动芯片和功率管达到功率输出的目的，虽然在电路设计上增加了复杂度，但可以极大的提高电机驱动的输出功率...，由于使用了外部的MOSFET，输出功率基本由功率MOSFET的驱动能力决定。
一、MOSFET介绍 今天和同事讨论起了公司用到的一个MOS管开关电路，针对其中的几个关键点做了比较系统的分析总结。...半导体）通过特殊工艺制成 和三极管（电流控制电流型器件）相比，MOS管（电压控制电流型器件）具有栅极驱动基本不需要电流，损耗小、噪声低、抗辐射能力强、输入阻抗高、结构简单、便于集成和热稳定性好等优点 MOSFET...可以被制造成P沟道和N沟道两大类，每一类又分为增强型或者耗尽型，所以MOSFET有四种：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET 在栅-源电压
当接通输入电源后，HU5911进入充电状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测电阻设置的上限时，片外N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池中。...当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时，片外N沟道MOSFET再次导通，如此循环。...只有当FB管脚电压第二次达到1.205V时，充电过程才结束，片外N沟道MOSFET保持截止状态。当FB管脚电压下降到再充电阈值时，HU5911再次进入充电状态。...当电池电压低于输入电压或电池短路时，HU5911在片外N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的共同作用下，用较小电流继续对电池充电，对电池起到保护作用。 其他功能包括CMOS状态指示输出端等。
当 12V 电源首次上电缓启动电路中 MOSFET 开启过程中，主要利用 MOSFET 哪个工作区的特性限制冲击电流？...传导干扰 5、关于 MOSFET，下列描述错误的是（ ） A. MOSFET 为场效应管； B. MOSFET 的栅极驱动须串联电阻以避免振荡 C....MOSFET 的工作区包括可变电阻区、饱和区、截止区 D. MOSFET 的导通电阻不随驱动电压的变化而变化 6、（多选题）以下对于电容的说法正确的是（ ） A. 钽电容击穿表现为短路 B.
我们知道，一些IC跟大功率MOSFET底部都有一个大焊盘，而这个焊盘一般都是为了给元器件散热的。所以一般遇到这种底部有大焊盘的情况下，就需要注意散热的问题了，说明这颗IC本身就有一定的热量产生。...为了改善MOSFET的散热，在MOSFET的焊盘上打过孔 注意：在这里大焊盘的过孔处理时，最好均匀布孔，保证焊盘是均匀受热的 为了改善IC的散热，在IC的底焊盘上打过孔 当然，上面是违反我们的DRC
比较理想的方案是用MOSFET作为切换和保护开关。MOSFET具有毫欧级的导电阻，它所引起的压降几乎可以忽略。当电池电压过低时也可以利用MOSFET切断供电通路，保护电池。...LTC4360 用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4360 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。...LTC4361 用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。...该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。...一个停机引脚负责提供用于使能和停用 MOSFET 以及将器件置于一种低电流停机状态的外部控制。一个故障输出可提供被拉至低电平的 GATE 引脚状态。
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