原文链接：https://www.elprocus.com/mosfet-as-a-switch-circuit-diagram-free-circuits/
MOSFET一直是大多数N沟道场效应管开关电路电源（SMPS）选择的晶体管技术。MOSFET用作主开关晶体管，并用作门控整流器来提高效率。本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET做了比较，以便选择最适合电源应用的开关。MOSFET一直是大多数开关电源（SMPS）首选的晶体管技术。当用作门控整流器时，MOSFET是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关。
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。
近日，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。
肖特基二极管是一种重要的半导体器件，在电子领域具有广泛的应用。它由肖特基结组成，具有优秀的电性能和尺寸小巧的特点。
在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
因为buck中，占空比一般比较小，所以上管的导通时间是比较短的，这就需要上管尽快的导通，以响应电流的需求。
📷 一、 硬件类 1、（单选题）BUCK 电路中，输入电压为 18V，输出电压为 9V, 则续流二极管的反向耐压值选取多少最合适： A.9V B.18V C.30V D.100V 2、在如下图所示的电路中，12V 是电源输入，CL 和 RL 为等效负载。当 12V 电源首次上电缓启动电路中 MOSFET 开启过程中，主要利用 MOSFET 哪个工作区的特性限制冲击电流？ A.截止区 B.饱和区 C.线性区 D.击穿区 📷 3、 SPI 通信根据极性 CPOL 和相位 CPHA 共有多少种工作模式（ ） A
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
在上一期，我们给大家讲述了DRAM的演进过程。DRAM和Cache缓存等，实际上都属于RAM，在计算机系统掉电后，DRAM中储存的内容会永久丢失。
今天和同事讨论起了公司用到的一个MOS管开关电路，针对其中的几个关键点做了比较系统的分析总结。
3月28日消息，在全球半导体市场“遇冷”的当下，原本仍存在结构性紧缺的车用半导体市场也开始出现了“客户砍单要求降价”的情况。
5V升压充电21V五节锂电池升压充电管理芯片 HU5911是一款工作于2.7V到6.5V的PFM升压型多节电池充电控制集成电路。 HU5911采用恒流和准恒压模式(Quasi-CVTM)对电池进行充电管理，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，控制电路和片外场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少，电路简单等优点。 当接通输入电源后，HU5911进入充电状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测电阻设置的上限时，片外N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时，片外N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当FB管脚电压第一次达到内部设置的1.205V(典型值)时，HU5911进入准恒压充电模式，以较小电流对电池充电。只有当FB管脚电压第二次达到1.205V时，充电过程才结束，片外N沟道MOSFET保持截止状态。当FB管脚电压下降到再充电阈值时，HU5911再次进入充电状态。HU5911最高工作频率可达1MHz，工作温度范围从－40℃到＋85℃。 当电池电压低于输入电压或电池短路时，HU5911在片外N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的共同作用下，用较小电流继续对电池充电，对电池起到保护作用。 其他功能包括CMOS状态指示输出端等。 HU5911采用8管脚的SOP8封装。
JY02是国内研制的无刷电机驱动芯片，相比于之前的DRV11873，少了集成的MOSFET，只能通过外部扩展MOSFET驱动芯片和功率管达到功率输出的目的，虽然在电路设计上增加了复杂度，但可以极大的提高电机驱动的输出功率，由于使用了外部的MOSFET，输出功率基本由功率MOSFET的驱动能力决定。JY02是硬件应用，不需要编写驱动固件，内部集成反电动势检测电路，支持’Y’形和三角形电机，支持过流检测、温度检测、欠压/过压检测等保护功能，并支持换相脉冲输出功能，用来检测转速。
机器人执行预先规划好的具体任务，比如组装线工作、手术援助、仓库提货/检索，甚至是排除地雷等危险任务。如今的机器人不仅能够处理高重复性的工作，还能完成在方向和动作上需要灵活性的复杂功能。随着技术的进步、速度与灵活性的提升、成本的降低，机器人将被逐渐广泛采用。低于人工的成本优势也让我们看到了机器人产业的曙光。此外，机器视觉、计算能力以及网络的进步也将推动机器人应用的普及。 这些高性能机器人的实现得益于以下几个方面的提升： 1.复杂的传感器； 2.实现实时决策与动作的计算能力与算法； 3.快速、精确进步机械动力实
我们知道，一些IC跟大功率MOSFET底部都有一个大焊盘，而这个焊盘一般都是为了给元器件散热的。所以一般遇到这种底部有大焊盘的情况下，就需要注意散热的问题了，说明这颗IC本身就有一定的热量产生。
http://www.elecfans.com/dianlutu/protect/2009102499242.html
数字电路是利用电源电压的高电平和低电平分别表示1和0，进而实现信息的表达。模拟信号：随时间连续变化的信号。处理模拟信号的电路就是模拟电路。数字信号：随时间不连续变化的信号，离散变化。处理数字信号的电路就是数字电路。
目前市面上的充电管理IC，都是按照充电电池的充电特性来设计的。充电电池根据充电介质不同，分为镍氢电池，锂电池等。由于锂电池没有记忆效应，所以目前在各种手持设备和便携式的电子产品中，都采用锂电池供电。 由于锂电池的充电特性。充电过程一般分为三个过程：
这个系列的文章是在本科学习模拟电路以及数字电路的时候学的，当时还是觉得挺懵的，现在本不是看这个的时候，但是遇到了，觉得在理解一遍未尝不可。 原文链接：Bipolar Junction and Field Effect Transistors (BJTs and FETs) [1]上篇文章链接：半导体基础知识（2）：PN结二极管和二极管特性[2]该教程介绍了两个对整个电气工程和人类生活产生重大影响的组件。
原文地址：http://www.dzkf.cn/html/zonghejishu/2009/0319/3706.html
AP8852 是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速 环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至60V）提供0.5A电流的高效率输出，可在 移动环境输入的条件下实现各种降压型电源变换的应用。0.1uA的关机静态电流适合电池供电场合的 应用。故障状态的保护包括逐周期电流限流保护和热关机保护。电路外围简单，封装采用SOT23-6L。
这是一个典型的美国故事，主人公过上了红酒牛排大 house 的生活，但又遇到了新的烦恼：后院里为鸟儿准备的食盘总是被松鼠光顾。
生产厂家：STMICROELECTRONICS 描述和应用：High voltage high/ low-side driver 驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 CD 型号参数：L6390DTR参数Brand NameSTMicroelectronics是否Rohs认证符合生命周期Active零件包装代码SOIC包装说明SOP, SOP16,.25针数16Reach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99HTS代码8542.39.00.
首先介绍了双极性晶体管（BJT）的工作原理，接着演示了晶体管的伏安（I-V）特性，电流增益（current gain）和输出电导（conductance）。高能注入和重掺杂带来的能带狭窄也会介绍到。解释了SiGe晶体管、度越时间、截止频率的基本概念。另外介绍一些BJT的晶体管模型，比如Ebers-Moll，smal-signal和charge control模型。每一个模型都有各自的应用范围。
SiC和GaN的未来在许多应用领域都很有希望，但最明显的是汽车电池管理，因为这些材料可以处理高电压。一旦器件表征和建模支持得到改善，成本将进一步下降，两种宽带隙材料有望进入更多的应用。
上图黄色部分电容即为boot电容，红色部分的介绍可以看历史素材的snubber电路。
数字电源控制核心对输入输出参数进行采集后，利用控制算法进行分析从而产生PWM控制信号，PWM信号将经过驱动电路的进行功率放大和隔离，随后接入功率开关器件从而完成电源的输出控制。本篇将主要针对电源的驱动电路进行讲解。
要说近些年最火热的是哪个行业？新能源汽车肯定榜上有名。在全球碳中和的背景下，新能源汽车行业快速增长，据EvTank数据，2021年全球新能源汽车销量可达750万辆，2025年预计将达到1800万辆，2030年将达4000万辆，未来10年的复合增长率将超过20%。
LM74500-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为实现低损耗反极性保护的解决方案。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至 -65V 的负电源电压的影响。LM74500-Q1 没有反向电流阻断功能，适用于对有可能将能量传输回输入电源的负载（如汽车车身控制模块电机负载）进行输入反向极性保护。
近日，深圳基本半导体有限公司宣布完成C4轮融资。该轮融资由新股东德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。
“缺芯”是近两年半导体产业的主旋律。由于功率半导体是电子装置中实现电能转换与电路控制的核心，因此下游应用广泛，加之疫情带来的供需错配，导致2021年全球功率半导体供不应求。
非同步DC-DC利用外部肖特基二极管调节电压，同步DC-DC用MOSFET代替肖特基二极管。
这段时间刚开始接触Matlab中的Simulink仿真，我就结合自己的专业，利用Simulink进行了无刷直流电机的仿真，因为Simulink工具箱里面有很多可用的模块，所以建模过程变得非常简单。
硬件工程师应该都用过buck，一些buck芯片会有类似下面的自举电容，有时还会串联一个电阻。
翻开厚厚的《深入理解计算机系统》(Computer Systems:A Programmer’s Perspective)，在第4章终于揭开了CPU的真面目。原来，它是由大量的触发器和寄存器构成的。而构建寄存器和触发器的基本单元，则是中学物理课学过的一个概念——晶体管。
General DescriptionThe AP8660 is a current mode boost DC-DC converter. Its PWM circuitry with built-in 0.25Ωpower MOSFET make this regulator highly power efficient. The internal compensation network also minimizes as much as 6 external component counts. The non-inverting input of error amplifier connects to a 0.6V precision reference voltage and internal soft-start function can reduce the inrush current.The AP8660 is available in the SOT23-6L package and provides space-saving PCB for the application fields.Features Adjustable Output up to 24V Internal Fixed PWM frequency: 1.0MHz Precision Feedback Reference Voltage: 0.6V (±2%) Internal 0.25Ω, 2A, 26V Power MOSFET Shutdown Current: 0.1μA Over Voltage Protection Over Temperature Protection Adjustable Over Current Protection: 0.5A ~ 2.5A Package: SOT23-6LApplications Chargers LCD Displays Digital Cameras Handheld Devices Portable Products
JFET是结栅场效应晶体管。普通晶体管是电流控制器件，需要电流进行偏置，而 JFET 是电压控制器件。与 MOSFET 一样，正如我们在之前的教程中所见，JFET 具有三个端子Gate、Drain 和 Source。
本文介绍了非同步Buck-Boost和同步Buck-Boost拓扑下的大电流路径。
MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。
原理图是我们设计，构建和排除电路故障的地图。了解如何阅读和遵循原理图是任何电子工程师的重要技能。
FS2462是泛海微自主开发的5A降压型同步整流芯片，是国内首家大电流同步5A芯片，内部集成极低RDS内阻20豪欧金属氧化物半导体场效应晶体管的(MOSFET)。输入工作电压宽至4.75V到21V，输出电压1.0V可调至20V。5A的连续负载电流输出可保证系统各状态下稳定运行。其效率高达95%，满足各系统日益增强的节能和持久工作的求。内部振荡频率500KHz ,以保证对系统其它部分的EMI干扰最小。该芯片还具有软启动和逐周期过流保护、短路保护及过温保护功能。 FS2462采用标准SOP-8(Exposed Pad)封装，充分考虑大电流负载的散热问题。将IC所产生的热量从芯片内部传导至引线框架，并通过底部的散热片到达PCB板铜面提高散热性能极大的保证了芯片大电流状态下的稳定性。
集成电路是由硅晶圆（wafer）切割出来的芯片（die）组成的。每个晶圆可以切割出数百个芯片。
概述： FS2116A是一颗电流控制模式升压转化器，脉波宽度调变(PWM)，內置 15mΩ/10A/14V MOSFET，能做大功率高转换效率，周边元件少节省空间，适合用在行动装置，宽工作电压2.7V~12V，单节与双节锂电池都能使用，精准反馈电压 1.2V(±2%)，过电流保护通过外部电阻调整，电流控制模式让暂态响应与系统稳定性佳，轻载进入省电模式(Skip Mode)，达到轻载高效率，封装为 SOP-8L(EP)。 特性 ➢ 工作电压范围 2.7V~12V ➢ 可调输出电压最高 13V ➢ 固定工作频率 400kHz ➢ VFB 反馈电压1.2V(±2%) ➢ 內置 15mΩ,10A,14V MOSFET ➢ 关机耗电流最大 ➢ 过温保护 150℃ ➢ 內置软启动 ➢ 可调过电流保护 2A~10A ➢ 封装 SOP-8L(EP) 应用范围 ➢ 快充移动电源 ➢ 蓝牙音箱 ➢ 手持式产品 ➢ 充电器 ➢ 电子烟
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