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关键词

NAND FLASH_NAND器件

支持最大4KB页大小的NAND. DEEPSLEEPZ/GIO0引脚拉高.在确认启动是NAND后,首先RBL会初始化最高2KB的内存为堆栈并且关闭所以中断.然后RBL会读取NAND的ID信息,然后在RBL的代码里面的NAND ID 列表 NAND ID列表里面支持的NAND芯片. NAND Flash本身容易与坏块的特点而设计的.24块应该足以避免NAND Flash坏块的影响. 表1 NAND UBL描述符 一旦用户需要的启动设置配置好,RBL就会从0x0020第地址开始把UBL搬移到ARM内存.在从NAND读取UBL的过程中中,RBL会使用4位的硬件ECC对NAND Flash

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Nand vs eMMC

可以看到 eMMC 其实是在 Nand flash 的基础上封装了一个 Flash Controller,然后和 Host Processor 连接,而 NAND flash 是直接和 Host Processor 如果找一块 Nand 或者 eMMC 的电路板,还是比较容易区分它们的: ? ? 由于 Nand Flash 自身的特性,比较容易有坏块,而且有读写寿命限制,根据构造的不同(SLC、 MLC、 TLC),它的写寿命从 100000 次到 4000 次不等,所以我们在使用 Nand flash 可以看到,直接使用 Nand flash 的工作量还是比较大的。 而单纯的 Nand,读写速度就慢了很多,只有几十 MB 甚至几 MB。 如何选型 ? ? 上面这两幅图分别来自东芝和三星官网,它们是比较专业的 Nand 和 eMMC 生产商。

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    24.Linux-Nand Flash驱动(分析MTD层并制作NAND驱动)

    .接下来我们来参考自带的nand flash驱动,位于drivers/mtd/nand/s3c2410.c中 2.1 为什么nand在mtd目录下? ,来完成注册nandflash 3.上面probe()里的 nand_scan()扫描函数 位于/drivers/mtd/nand/nand_base.c  它会调用nand_scan()->nand_scan_ident ()->nand_get_flash_type()来获取flash存储器的类型 以及nand_scan()->nand_scan_ident()->nand_scan_tail()来构造mtd设备的成员 当我们不设置nand_chip的成员时,以下的成员就会被mtd自动设为默认值,代码位于: nand_scan()->nand_scan_ident()->nand_set_defaults() struct ()->nand_scan_ident()->nand_set_defaults()来设置为默认值. 6.接下来我们就来写nand flash块设备驱动 参考:  drivers/mtd/nand/at91

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    linux nand flash驱动编写

    很长一段时间,nand flash都是嵌入式的标配产品。nand flash价格便宜,存储量大,适用于很多的场景。现在很普及的ssd,上面的存储模块其实也是由一块一块nand flash构成的。 tests/ 2、nand在mtd下面,是作为一个单独目录保存的,这时应该查看nand下的Kconfig config MTD_NAND_S3C2410 tristate "NAND Flash config MTD_NAND_S3C2410_DEBUG bool "Samsung S3C NAND driver debug" depends on MTD_NAND_S3C2410 s3c24xx_nand_driver = { .probe = s3c24xx_nand_probe, .remove = s3c24xx_nand_remove, .suspend module_platform_driver(s3c24xx_nand_driver); 5、继续分析s3c24xx_nand_probe函数 s3c2410_nand_init_chip(info,

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    15.NAND FLASH驱动

    NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令 怎么传入命令? ); struct s3c2410_nand_info *info;//s3c2410 nand flash状态结构体 包括 nand 时钟 nand控制器等 struct s3c2410_nand_mtd ret) ret = nand_scan_tail(mtd);//尾部 return ret; } nand_scan会调用nand_scan()->nand_scan_ident()->nand_get_flash_type ()来获取flash存储器的类型 以及nand_scan()->nand_scan_ident()->nand_tail()来构造mtd设备的成员(实现对nand flash的读,写,擦除等) 6.nand_scan_ident struct nand_flash_dev nand_flash_ids[] = { #ifdef CONFIG_MTD_NAND_MUSEUM_IDS {"NAND 1MiB 5V 8-bit",

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    Optane+NAND方案势如破竹。

    NAND Flash,TLC、MLC、QLC,3D NAND的广大英雄里,你傲视一切如等闲;你在存储系统中运行起来之后,让整个系统犹如在九霄云间狂奔,无人能追赶得上。 1 Intel 3D NAND的背后 拥有核心技术并引领行业技术前沿 在3D NAND方面,Intel凭借强大的设计制造能力,采用设计门槛更高但是可靠性也更高的Floating Gate技术。 在下面的几个数据中心案例中,无一例外,利用Optane+NAND都可以大幅降低成本同时提升性能。 我们来看一下对比方案,对比技术是TLC的,而且都是英特尔的NAND。 然而NAND虽然非易失,但是其速度用来替代DRAM确实有些尴尬。Optane介质则刚好能解决这个问题。

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    NAND FLASH_Flash下载

    然后RBL会读取NAND的ID信息,然后在RBL的代码里面的NAND ID 列表,从而得知更详细的NAND Flash的信息,例如页(page)大小等,对EMIF做好相应的配置。 DM368支持启动的NAND的ID信息可以在参考文档1(ARM子系统用户手册)里面找到。硬件选型时,请务必选择在NAND ID列表里面支持的NAND芯片。 在从NAND读取UBL的过程中中,RBL会使用4位的硬件ECC对NAND Flash上的数据进行检错和纠错。 如果你系统使用NAND启动,但NAND上的内容损坏了,如果你的板子上有SD卡接口,也可以改变启动方式,那你可以用SD卡先把系统启动起来,然后重新烧写NAND Flash上的内容。 刚才在介绍NAND Flash启动原理的时候,我们提到了RBL需要到NAND Flash上面搜索特殊数字标志。这个特殊数字标志就是由烧写NAND的CCS的工程写到Flash上的。

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    全面理解SSD和NAND Flash

    2、Flash的分类:NAND Flash和NOR Flash。 3、NAND Flash规则介绍。 2、Flash的分类   Flash又分NAND Flash和NOR Flash,NOR型存储内容以编码为主,其功能多与运算相关;NAND型主要功能是存储资料,如数码相机中所用的记忆卡。    现在大部分的SSD都是用来存储不易丢失的资料,所以SSD存储单元会选择NAND Flash芯片。这里我们讲的就是SSD中的NAND Flash芯片。 ),而且会定期对NAND Flash中的映射便进行更新。 NAND Flash的寿命类似“木桶原理”,取决于所有Block中的最小寿命。如果拼命对某一块进行擦除,NAND Flash的寿命将会被缩减到最小。

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    Nand Flash驱动程序分析

    /*Nand Flash驱动分析*/ /*首先: 市面上的开发板很多,Nand Flash差不多都一样。 ); //初始化硬件 s3c2410_nand_inithw(info); //初始化所有可能的芯片 s3c2410_nand_init_chip //nand 寻找设备 nand_scan_ident nand_verify_buf16 : nand_verify_buf; if (! 这样做的好处是把Nand Flash相关的操作都抽象出来,放在nand层。 使用nand_scan识别nand flash 5. 添加分区(这样就会将nand flash驱动加到内核中) */

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    NAND Flash基础知识简介

    NAND Flash是一种非易失存储介质(掉电后数据不会丢失),常见的U盘、TF卡/SD卡,以及大部分SSD(固态硬盘)都是由它组成的。 本文主要介绍其组成及工作原理。 为了表述方便,后面所说的Flash仅指NAND Flash。 一、Flash基本组成单元:SLC/MLC/TLC Flash的基本组成单元是浮栅晶体管,其状态可以用来指示二进制的0或1。 NAND Flash的寿命在很大程度上受所用存储单元类型影响,单个晶体管中存放的状态越多,容错性越差,寿命越短。 下面是一个示意图,我们由大到小拆解下: package是存储芯片,即拆解固态硬盘或者SD卡后看到的NAND Flash颗粒。 每个package包含一个或多个die。 三、The Flash Translation Layer 逻辑地址映射 在NAND Flash出现前,逻辑地址映射(Logical Block Mapping, 简称LBA)就存在了,它是为了对上层的文件系统屏蔽

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    hdu 5077 NAND(暴力打表)

    题目链接:hdu 5077 NAND 题目大意:Xiaoqiang要写一个编码程序,然后依据x1,x2,x3的值构造出8个字符。如今给定要求生成的8个字符。 代码内容仅仅能为NAND操作和return操作,操作的变量能够是常数。 解题思路:输入总共就256中情况,所以暴力剪枝打表,打表的代码手贱给删了。。。所以就将一下思路。 开一个s数组 表示变量,然后相应每一层每次两个变量进行NAND操作。 大致三个剪枝,dfs时候,变量出现同样就跳过。8个字符能够直接依据数的位运算计算;单前层出现同样的跳过。

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    全面理解SSD和NAND Flash

    2、Flash的分类:NAND Flash和NOR Flash。 3、NAND Flash规则介绍。 现在大部分的SSD都是用来存储不易丢失的资料,所以SSD存储单元会选择NAND Flash芯片。这里我们讲的就是SSD中的NAND Flash芯片。 ),而且会定期对NAND Flash中的映射便进行更新。 NAND Flash的寿命类似“木桶原理”,取决于所有Block中的最小寿命。如果拼命对某一块进行擦除,NAND Flash的寿命将会被缩减到最小。 是基于NAND Flash中一个Block的概念。

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    NAND FLASH 和NOR FLASH的区别

    NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。 由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。 应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块。 由于对NAND闪存的操作都是以块和页为单位的,所以在向NAND闪存进行大量数据的读写时,NAND的速度要快于NOR闪存。

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    镁光256Gb NAND Flash芯片介绍

    NAND Flash中的数据。 NAND Flash操作命令 NAND Flash的操作通过一系列的命令来完成。 在NAND Flash控制器的软件中需要将这些最底层的命令封装成NAND Flash操作库。 读命令 对于读操作,NAND Flash提供了多种模式。 在NAND Flash的内部,有一个data cache寄存器,通过该寄存器可以将数据读取操作分成两个阶段:一个是从page cache寄存器向NAND Flash控制器传输数据;另一个是从NAND Flash 写(编程)命令 普通的写命令允许NAND Flash控制器将数据写入NAND Flash中的page cache寄存器,并且将数据从page cache寄存器中写入到NAND Flash介质中。

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    NAND Flash底层原理,SLC MLC TLC比较

    NAND-Flash 的存储原理   固态硬盘最小单元的基本架构如下: ?    (1)写入数据   在 NAND-Flash 中,当我们需要写入数据时,会在图中的控制闸(Control Gate)施加高电压,然后允许源极(Source)与汲极(Drain)间的 N信道(N-Channel

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    NAND闪存中的隐私数据销毁方案(CS Security)

    我们提出用于有效破坏NAND闪存中的隐私数据的方案。通常,即使从NAND闪存中丢弃了隐私数据,也很有可能将数据保留在无效块中。这是由于NAND闪存的编程操作和擦除操作的特殊性引起的管理问题。 我们是否有可能从现有的NAND闪存中删除隐私数据的义务?本文就是对这个问题的答案。 所提出的隐私数据销毁方案可以很容易地应用到使用NAND闪存的许多存储设备和数据中心。 destroying privacy data in a NAND flash memory. Is it possible to apply the obligation to delete privacy data from existing NAND flash memory?

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    FATFS中的NAND FLASH的簇和扇区

    最近使用FATFS读写NANDFLASH,研究了一下小型文件系统的中的簇和扇区的具体含义,簇是文件系统使用的单位,扇区是物理介质(FLASH)使用的单位。

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    为什么闪存被叫做NAND闪存(还有NOR闪存)?它跟与非门NAND(或非门NOR)有何关联?

    NAND FLASH,NAND为NOT AND(与非)之意,而NOR为NOT OR(或非)之意,该名称的命名是与两种FLAHS的架构有关的,如图所示: 两种Flash的架构对比 NAND FLASH 所以 NOR 型的闪存存储器实现按位随机访问,而NAND 只能同时对多个存储单元同时访问。 对于 NOR FLASH,如果任意一个存储单元被相应的字线选中打开,那么对应的位线将变为 0,正是由于这种和 NOR 门电路相似的逻辑关系,使得这种结构的闪存被称为 NOR 型闪存,而 NAND FLASH 需要使一个位线上的所有存储单元都为 1,才能使得位线为 0,和 NAND 门电路相似的逻辑,故称之为NAND型闪存。

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    傲腾会是NAND的接班人么?

    作为第一个大规模商用的、最有希望接续NAND的下一代存储介质,最近这两三年Intel在傲腾上的投入不可谓不大。Intel甚至在2020年10月宣布出售NAND业务产品线。 原本NAND主打的就是性能,冲着高性能,大家才去容忍NAND的低容量高成本。 NAND介质照这样发展下去,会不会有商用的HLC恐怕都要两说了。 实际上,NAND目前已经开始与机械硬盘正面交锋了。机械硬盘除了性能,在容量、耐久度、成本上,NAND目前望尘莫及。 比如,NAND的出现填补了RAM和HDD之间的性能落差,而在RAM和NAND之间,仍然有较大的性能落差,尤其是随着大数据业务增长,对于这种细化的性能分级又有了大量的刚需。 ? ,最终让傲腾的性能表现远超普通NAND SSD。

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    Nand Flash驱动(实现初始化以及读操作)

    本节来学习裸机下的Nand Flash驱动,本节学完后,再来学习Linux下如何使用Nand Flash驱动 Linux中的Nand Flash驱动,链接如下: (分析MTD层以及制作Nand Flash Nand Flash芯片硬件引脚图: ? Flash只有8位I/O脚,所以NFCMMD/ NFADDR/ NFDATA三个寄存器值都是unsigend char型 */ 1.3 nand_init()函数初始化 void nand_init 如上图,例如:当要reset复位nand flash时 1)      使能片选nand_select(); 2)      发送0X00复位命令nand_cmd(0x00); 3)      等待RnB 状态是否就绪 nand_wait_idle(); 4)      取消片选 nand_deselect(); 2.3Nand Flash读数据时序图: ?

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