拷贝s3c2410_nand.c，修改宏定义支持SC32440 所以我们可以拷贝一份s3c2410_nand.c给2440使用2410的NandFlash位于drivers/mtd/nand/s3c2410
chunkBitmapStride * (blk - dev->internalStartBlock)); } //chunkbits和chunkBitmapStride是两个很有意思的东西，正是它们组成了整个nandflash...的位图架构，对于一块有32页的nandflash，这里的chunkBitmapStride是4，而chunkbits是8位的，这样刚好4*8=32,也就是每一个位对应了nandflash中一个page，...当然在系统挂载初始化的时候会为每一个块都分配，也就是说在首地址是chunkbits中的每一个位都对应了nandflash的一页，当然一个地址对应8页。
和tl335x-evm-s-nandflash-hdmi.dts，重新编译基础设备树时请使用此文件。...和tl335x-evm-s-nandflash-hdmi.dtb，请将其分别复制到系统启动卡rootfs分区以及rootfs-backup分区的boot目录下。...图 4请执行如下命令将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-s-nandflash.dtb文件。...tl335x-evm-s-nandflash.dtb支持LCD显示，如需使用HDMI显示，则将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-nandflash-hdmi.dtb文件即可。...Host# sudo rm tl335x-evm.dtbHost# sudo ln -s tl335x-evm-s-nandflash.dtb tl335x-evm.dtbHost# ls -l图 5使用替换了
return platform_driver_register(&s3c2410_nand_driver); } 在入口函数中,注册了一个platform平台设备驱动,也是说当与nandflash...sets->nr_chips : 1); //3.扫描nandflash ... ... s3c2410_nand_add_partition(info, nmtd, sets); //...5)通过add_mtd_partitions()来添加分区,创建MTD字符/块设备 5.1 mtd_info结构体介绍: 主要是实现对nandflash的read()、write()、read_oob...地址 */ void __iomem *IO_ADDR_W; /* 需要写入数据的nandflash地址 */ /* 从芯片中读一个字节 */...驱动 然后make uImage 编译内核 将新的nandflash驱动模块放入nfs文件系统目录中 7.2然后烧写内核,启动内核 如下图,发现内核启动时,卡住了,是因为我们使用的文件系统是存在nand
但是在具体使用时，发现板子上划分的内核分区只有2M，但是我编译出来的内核大于2M，于是将内核烧写到nandflash上面时会启动不成功。怎么办呢？查找资料后，找到了解决办法。...找到文件并且用VI打开后，在命令行模式用命令 /MTDPARTS_DEFAULT 找到以下内容 #define MTDPARTS_DEFAULT "mtdparts=nandflash0:256k@...打开文件后找到以下内容，红色部分就是nandflash的分区大小，可以根据需要修改 static struct mtd_partition smdk_default_nand_part[] = {
其常用功能如下： @擦写nandFlash @串口下载，SD卡下载 @设置CPU频率 @设置从SD卡，NandFlash启动 @加载引导Eboot Eboot：设置内核在NandFlash中的位置，内核复制到...在右下脚的Flash擦出中选择编程NandFlash， 块地址设为0，点击选择文件，选择kickstart.bin。点击编程。...这样我们就把kickstart.bin装载到了NandFlash的Block0。用同样的方法我们可以装载S1L，只是要将块地址改为1。 安装U-boot或Eboot: a....将u-boot.bin(eboot.nb0)写入到NANDFlash。 c....最后输入命令：aboot flash raw 0x83fc0000，设置从NANDFlash启动U-boot(Eboot）。
blk_bits++) n += hweight8(*blk_bits); return n; } //chunkbits和chunkBitmapStride是两个很有意思的东西，正是它们组成了整个nandflash...的位图架构，对于一块有32页的nandflash，这里的chunkBitmapStride是4，而chunkbits是8位的，这样刚好4*8=32,也就是每一个位对应了nandflash中一个page，...当然在系统挂载初始化的时候会为每一个块都分配，也就是说在首地址是chunkbits中的每一个位都对应了nandflash的一页，当然一个地址对应8页。
这几个分区通过配置文件已在flash地址上是写好了,位于 u-boot-1.1.6/include/configs/100ask24x0.h： #define MTDIDS_DEFAULT "nand0=nandflash0..." #define MTDPARTS_DEFAULT "mtdparts=nandflash0:256k@0(bootloader)," \ "128k...kernel)," \ "-(root)" 在100ask24x0.h里定义了一个MTDPARTS_DEFAULT宏定义， “mtdparts=nandflash0...:”表示mtdparts分区位于nandflash上 "256k@0(bootloader),"表示从0开始共256kb是bootloader分区 "128k(params),"表示接下来128kb...//设置offset=0X00060000 opts.quiet = quiet; ret = nand_read_opts(nand, &opts); //nand_read_opts():读取nandflash
写使能(低电平使能) nRE:读使能（低电平使能） nWP:写保护(protect) (1:不保护,0:只能读不能写)，默认接高电平. 1.编写nand_init()函数 1.1设置通信时序 图1（nandflash...图2（nandflash时序图）: ?...tALS=15nS tWP是WE（写信号）维持时间, tWP=15nS tALH是等待命令写入成功的时间, tALH=5nS tCLH是等待地址写入成功的时间, tCLH=5nS 图3(2440-nandflash...首先查看2440芯片手册里nandflash时序图,如上图,可以看出需要设置TACLS，TWRPH0和TWRPH1，这三个参数 TACLS:属于等待WE(写信号)就绪的时间,对比图2得出TACLS= tCLS...如上图,其中 A10~A0对应页大小(列),由于nandflash每页2048B，所以只用到A10~A0 A28~A11对应页目录(行),表示共有2048块*64(每块有64页)个目录 例如，4097
0xff (接下来就会一直是program模式,执行reset模式便可以退出) 2.2该NOR有两种规范, jedec, cfi(common flash interface) jedec 就是和nandflash...所以没有接A20 3.接下来便来分析如何写norflash驱动 3.1 先来回忆下之前的nandflsh驱动: nandflsh驱动会放在内核的mtd设备中,而mtd设备知道如何通过命令/地址/数据来操作nandflash...,所以我们之前的nandflash驱动只实现了硬件相关的操作(构造mtd_info,nand_chip结构体、启动nand控制器等) 同样地,norflash驱动也是放在内核的mtd设备中,mtd设备也知道对...physmap.c 进入它的init函数: 发现注册了两个platform平台设备驱动,进入physmap_flash结构体中: 发现3个未定义的变量: CONFIG_MTD_PHYSMAP_BANKWIDTH: nandflash...的字节位宽 CONFIG_MTD_PHYSMAP_START:nandflash的物理基地址 CONFIG_MTD_PHYSMAP_LEN: nandflash的容量长度 这3个变量是通过linux的menuconfig
最近使用FATFS读写NANDFLASH，研究了一下小型文件系统的中的簇和扇区的具体含义，簇是文件系统使用的单位，扇区是物理介质（FLASH）使用的单位。...比如SD卡需要查询支持的扇区大小并通过命令设置，nandflash需要根据自己使用的均衡算法定。
由于时序非常复杂，所以一般CPU最好集成NAND控制器，另外由于Nand flash没有挂接在地址总线上，所以如果想用Nand flash作为系统的启动盘，就需要CPU具备特殊的功能，比如s3c2440在被选择为NandFlash...启动方式时会在上电时自动读取NandFlash的4k数据到地址0的SRAM中。...如果CPU不具备这种特殊功能，用户不能直接运行NandFlash上的代码，因为使用Nand Flash必须要各种初始化，复杂逻辑。...这个问题在Flash存储关键文件时是致命的，所以在使用NandFlash时建议同时使用EDC/ECC等校验算法。”...NANDFLASH只是不适合做XIP,但并不是不能做XIP“ 要一段CODE能够正确的运行,要保证它的CODE是连续的,正确的.由于一些电气特性的原因,NOR FLASH能够做到这一点,不存在坏道或坏块
数据写入flash中 nRE:读使能,和we类似 nWP:写保护(protect) (1:不保护,0:只能读不能写)，默认接高电平. 1.编写nand_init()函数 1.1设置通信时序 图1（nandflash...时序表）: 图2（nandflash时序图）: 通过图2和图1可以看出: tCS是等待芯片使能CE的时间, tCS=20nS tCLS和tALS是等待WE（写信号）结束的时间, tCLS=tALS=...15nS tWP是WE（写信号）维持时间, tWP=15nS tALH是等待命令写入成功的时间, tALH=5nS tCLH是等待地址写入成功的时间, tCLH=5nS 图3(2440-nandflash...时序图): 首先查看2440芯片手册里nandflash时序图,如上图,可以看出需要设置TACLS，TWRPH0和TWRPH1，这三个参数 TACLS:属于等待WE(写信号)就绪的时间,对比图2得出TACLS...int *)0X4E000000); //配置寄存器(用来设置时序) #define NFCONT *((unsigend int *)0X4E000000); //控制寄存器(用来使能nandflash
Parallel NandFlash同样采用了Parallel接口通信协议，NandFlash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、MLC、TLC。...这使NandFlash很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。...其主要用来数据存储，大部分的U盘都是使用 NandFlash，当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash使用厂家通过软件进行完善。...(6)eMMCFlash eMMC采用统一的MMC标准接口，自身集成MMCController，存储单元与NandFlash相同。...eMMC相当于NandFlash+主控IC，对外的接口协议与SD、TF卡一样，主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
serverip=192.168.0.11 netmask=255.255.255.0 stdin=serial stdout=serial stderr=serial mtdids=nand0=nandflash0...mtdparts=mtdparts=nandflash0:256k@0(bootloader),128k(params),2m(kernel),-(root) partition=nand0,0...拷贝至工作目录 在串口终端中依次输入： tftp 0x30008000 uImage_4.3 nand erase kernel nand write 0x30008000 kernel 烧写YAFFS至NandFlash...erase root nand write.yaffs 0x30008000 root $(filesize) # $(filesize) 是 fs_mini.yaffs2 的大小 烧写JFFS至NandFlash...JFFS文件系统 nfs 0x30008000 192.168.0.20:/work/nfs_root/fs_mini.jffs2 #将根文件系统下载到sdram 0x30008000 烧写JFFS至NandFlash
12.04.4 LTS 32位, 这里使用 32 位操作系统 编译 Android 的 2.3.4 源码; -- 嵌入式开发板 : arm11 S3C6410 飞凌ok-6410A 256M 内存 1G NandFlash...编译 u-boot 开发板介绍 : 本人使用的开发板是 arm11 S3C6410 飞凌ok-6410A 256M 内存 1G NandFlash 嵌入式开发板; (1) 解压文件到指定目录 解压文件...擦除 Eboot (该步骤之后回归 Ubuntu 系统操作) (1) 擦除原因 擦除 NandFlash 必要性 : -- 预装 WinCE 系统 : 开发板出厂默认烧写的是 WinCE 系统; --...擦除 NandFlash 过程 : -- 连接开发板 : 使用 USB 转串口线连接开发板 与 电脑; -- 运行 minicom 程序 : 使用 sudo minicom 运行 终端程序; --...向 NandFlash 中烧写 Android 系统 SD 卡启动后会自动向 NandFlash 中烧写系统 : 下面是 烧写的过程 ; U-Boot 1.1.6 (Oct 9 2012 - 13:20
（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页） 由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。
比如，代码存储在NANDFLASH，由于NANDFLASH并不能运行代码，所以需要重定位代码到内部的SRAM。...关于NANDFLASH和NORFLASH可以看这篇文章S3C2440从NAND Flash启动和NOR FLASH启动的问题 3. B（BL）执行过程分析 下图为B(BL）指令的格式。
七、基于cortex-a8的s5pc100bootloader启动过程分析 s5pc100支持两种启动方式，分别为USB启动方式和NandFlash启动方式： 1....S5PC100 Nandflash启动过程 [1] A8 reset, 执行IROM中的程序 [2] iROM中的程序根据S5PC100的配置管脚(SW1开关4，拨到靠4那边)，判断从哪里启动(Nandflash...) [3] iROM中的程序驱动Nandflash [4] iROM中的程序会拷贝Nandflash前16k到iRAM [5] 前16k的程序(BootLoader前半部分)初始化SDRAM，然后拷贝完整的...烧写u-boot.bin到nandflash的0地址 nand erase 0(起始地址) 40000(大小) 擦出nandflash 0 - 256k...切换开发板的启动方式到nandflash 1. 关闭开发板 2. 把SW1的开关4拨到4的那边 3.
在100ask24x0.h中已经写死，如下： /*分区位于nandflash0上，从0到256k为bootloader；接下来的128k为存放环境变量的params；接下来2m为kernel；剩下的为root...*/ #define MTDPARTS_DEFAULT "mtdparts=nandflash0:256k@0(bootloader)," \ "
领取专属 10元无门槛券
手把手带您无忧上云
云服务器
即时通信 IM
ICP备案
对象存储
实时音视频
