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Block RAM与Distributed RAM

Block RAM与Distributed RAM,简称为BRAM与DRAM, 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构: FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含 Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器,Distributed RAM需要使用SliceM,所以要占用CLB中的逻辑资源,而Block RAM是单独的存储单元 用户申请资源时,FPGA先提供Block RAM,当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。 Block RAM是单独的RAM资源,一定需要时钟,而Distributed RAM可以是组合逻辑,即给出地址马上给出数据,也可以加上register变成有时钟的RAM,而Block RAM一定是有时钟的 5、 在异步fifo ,用两种RAM可供选择,BRAM和DRAM,BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源,DRAM是拼接LUT构成。

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FPGA block RAM和distributed RAM区别

区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 1.物理上看,bram是fpga中定制的ram资源,dram就是用逻辑单元拼出来的。 2.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 3.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。 5.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高,就用BlockRAM。 否则,就可以用Distributed RAM

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    oblivious RAM

    ORAM基于RAM。ORAM是一种加密协议,它允许客户端将数据安全地存储在不受信任的服务器上。 RAM是一种重要的计算模拟方法.处理器通过对存储器的读写来实现程序的执行.上个世纪80年代,为了隐藏程序对内存的访问模式(处理器访问内存的操作序列和地址序列)来避免软件的逆向工程,Goldriche 等人在此基础上提出了

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    单口RAM

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    Ram Disk,顾名思义,就是在Ram创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了,比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储,都可以没有。 尤其VxWorks自己在运行时,本来就不依赖文件系统,因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着,别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。 Ram本来就不会很大,而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk,它还只是一个Device,一般在使用时,还要在Disk上创建块设备,并将这个块设备格式化。

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    双口同步RAM

    下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。 module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:

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    ROM与RAM的区别

    ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。 另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快。 DDR RAM(Double-Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM,和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。 在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM:只读存储器的总称。

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    Block RAM的基本结构

    以UltraScale芯片为例,每个Block RAM为36Kb,由两个独立的18Kb Block RAM构成,如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。 从图中可以看出,Block RAM本身会对输入控制信号(addr, we, en)和输入数据(din)进行寄存(这些寄存器是可选的且在Block RAM内部),同时对输出也可寄存(该寄存器也是可选的)。 采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时,可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位,输出寄存器是带有复位端口的,但仅支持同步高有效。 实验证明,只要按照该结构描述,所有的寄存器会映射到Block RAM架构中,不会消耗额外的寄存器。 ? 结论: -在使用Block RAM时,为便于时序收敛,最好使用Embedded Registers 上期内容: 查找表用作分布式RAM 下期内容: Block RAM的性能与功耗

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    RAM刷新周期问题

    RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内(2ms),先让存储器读写,然后集中刷新,这样就存在死区问题,如果是存取周期为2us的话,这样对于64*64的存储矩阵来说,集中刷新为128us,死区时间也为

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    关于单片机的RAM

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    (1)单端口RAM 模式 单端口RAM的模型如图所示,只有一个时钟源CLK,WE为写使能信号,EN为单口RAM使能信号,SSR为清零信号,ADDR为地址信号,DI和DO分别为写入和读出数据信号。 ? 单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分,分别实现两个独立的单端口RAM。 需要注意的是,当要实现两个独立的单端口RAM模块时,首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。 (2)简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示,图中上边的端口只写,下边的端口只读,因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM(Pseudo Dual Port RAM)。 一般来讲,在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中,能达到的最宽数据位为36比特*512,但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM

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    (笔记)CPU & Memory, Part 1: RAM

    所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口(port) CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈: 为设备去访问RAM的瓶颈。 每个CPU访问自己的本地RAM。 ? 2.1 RAM Types 2.1.1 Static RAM 访问SRAM没有延迟,但SRAM贵,容量小。 ? Figure 2.4: 6-T Static RAM 电路图就不解释了。 2.2.1 Dynamic RAM ? Figure 2.5: 1-T Dynamic RAM 电路图就不解释了。 DRAM物理结构:若干RAM chip,RAM chip下有若干RAM cell,每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟(等待电容充放电),但DRAM便宜,容量大。

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    Android 手机到底需要多少RAM

    手机的RAM似乎每季度增加一次,那么手机到底实际需要多少RAM。 Android 内存管理 在Android上启动新应用程序时,Linux内核会创建一个新进程。进程是具有自己的虚拟地址空间(映射到物理内存)的执行单元。 如果进程需要更多的RAMRAM可用,则内核只需跟踪哪个进程正在使用哪些内存即可。 但是,当资源稀缺时,事情就会变得复杂。如果CPU繁忙,手头的工作仍会完成,但不会那么快。RAM不同。 当进程请求更多RAMRAM不可用时,内核将尝试通过交换释放一些RAM。如果找不到足够的RAM,则内核需要变得更加主动并开始淘汰进程。对于内核来说,这是一个奇怪的情况。 设备上使用的RAM量完全取决于您正在运行的应用程序。如果您喜欢Instagram和Candy Crush,但不喜欢其他东西,那么您将使用刚超过1GB的RAM

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    加载RAM磁盘编译Xcode项目

    C代码 收藏代码 cd ~/Library/Developer/Xcode/DerivedData 创建2 GB的RAM磁盘(size的计算公式 size = 需要分配的空间(M) * 1024 * 这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。 创建虚拟磁盘后, 并不是直接占用掉所有分配的空间, 而是根据虚拟磁盘中的文件总大小来逐渐占用内存. 注:如果创建的虚拟磁盘已满, 会导致编译的失败. 这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。 创建虚拟磁盘后, 并不是直接占用掉所有分配的空间, 而是根据虚拟磁盘中的文件总大小来逐渐占用内存. 注:如果创建的虚拟磁盘已满, 会导致编译的失败.

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    Block RAM的性能与功耗

    设计中如果大量使用Block RAM,可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。 以32Kx32bit RAM为例,目标芯片为UltraScale,通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度,如下图所示。 ? ;若级联高度为8,同一时间有4个Block RAM处于激活状态。 还有一个综合属性ram_decomp,可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例,采用如下图所示的四种实现方式。 结论: -使用大深度的RAM时,可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式,以获得性能与功耗的折中 上期内容: Block RAM的基本结构 下期内容: UltraRAM

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    手撕distributed ram类型同步FIFO

    同步fifo设计的核心在于full与empty信号的控制,今天看网上发布的部分verilog代码,虽然可以完成读写操作,但是存在部分问题,就是最后一个数据的读取...

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    一个双端口RAM能配置成两个独立的单端口RAM

    在FPGA设计中可能会出现对单端口RAM需求较大的情况。尽管Xilinx提供了将BRAM配置为单端口RAM的IP Core,但从资源角度来看,可能会造成浪费。 例如,需要2个512x18的单端口RAM,若直接采用单端口RAM的配置方式,1个512x18的单端口RAM将占用1个18Kb的BRAM,这意味着将要消耗2个18Kb的BRAM。 二者地址空间没有重叠,因此互相独立,从而形成了两个独立的512x18即9Kb的单端口RAM。此外,端口A和端口B的位宽可以不一致(但不是随意的),如上图的右半区域所示。 仍将BRAM配置为双端口RAM,其中端口A为1024x18,端口B为2048x9。 二者地址空间依然没有重叠,仍相互独立,从而形成了两个独立的9Kb的单端口RAM。 思考一下: 对于URAM是否可以这么配置?

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    Android性能优化调试(1): 可用RAM

    随着硬件配置的不断提升,RAM的大小从之前的几百兆提升到了现在的几十G的情况,特别是在消费级智能手机上,最大的运行内存几乎每年都能刷新最高值。 同时针对低RAM的设备,Google也早就推出了Android Go的系统,去除了很多不必要的功能,使得低RAM的设备也能运行流畅。如何查看可用存储在Android中,查看剩余存储的大小有很多种方式。 Android会让free的RAM尽可能的小,使得尽可能多的应用能够常驻,这样在启动应用的时候速度会更快,用户体验会更好。 在可分配RAM不够的时候或者触发kswapd阈值的时候,kswapd会负责回收缓存页来确保RAM,当kswapd回收还是无法满足时候,还会触发LMK来杀死常驻进程来获取内存。 屏幕分辨率对可用存储的影响非常的大,高分辨率意味着系统中用的是更高清的图片资源,自然会占用更多的RAM

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    查找表用作分布式RAM

    SLICEM中的查找表可用作分布式RAM。如果把FPGA比作大海,LUT就像一个个小的岛屿分布在这片大海上,或许这就是分布式RAM的名称由来。 以UltraScale Plus芯片为例,一个6输入查找表可实现深度为64宽度为1的单端口RAM。同一个SLICEM中的8个LUT可级联构成512深度的RAM。 从逻辑级数的角度看,一个深度为128,宽度为1的单端口RAM,需要消耗2个LUT,1个F7MUX,如下图所示,其逻辑级数为1。 分布式RAM的优势在于轻便灵活。对于一些需要存储较少数据(通常不超过10Kb)的场合,例如,存储FIR滤波器的系数或者缓存中间处理过程中的数据,可获得比Block RAM更好的性能。 以深度为128,宽度为4的RAM为例,在Virtex-7,速度等级为-2的芯片上,分别采用Block RAM和分布式RAM,其结果如下图所示(图片来源ug949, v2015.3, table 5-10

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