SliceM中含有Distributed RAM资源，而SliceL中不包含DRAM资源： ? Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器，Distributed RAM需要使用SliceM，所以要占用CLB中的逻辑资源，而Block RAM是单独的存储单元 用户申请资源时，FPGA先提供Block RAM，当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。 Block RAM是单独的RAM资源，一定需要时钟，而Distributed RAM可以是组合逻辑，即给出地址马上给出数据，也可以加上register变成有时钟的RAM，而Block RAM一定是有时钟的 5、 在异步fifo ，用两种RAM可供选择，BRAM和DRAM，BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源，DRAM是拼接LUT构成。
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间，dram浪费LUT资源 1.物理上看，bram是fpga中定制的ram资源，dram就是用逻辑单元拼出来的。 2.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 3.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。 但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 5.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 否则，就可以用Distributed RAM。
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ORAM基于RAM。ORAM是一种加密协议，它允许客户端将数据安全地存储在不受信任的服务器上。 RAM是一种重要的计算模拟方法.处理器通过对存储器的读写来实现程序的执行.上个世纪80年代,为了隐藏程序对内存的访问模式（处理器访问内存的操作序列和地址序列）来避免软件的逆向工程,Goldriche 等人在此基础上提出了
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线，因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时，需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM，只有一套地址总线，读和写是分开（至少不能在同一个周期内完成）。 下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。 module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk ) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency. CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
在RAM中，单端口RAM（Single-port RAM）和双端口RAM（Dual-port RAM）是两种常见的类型，双端口RAM又分为真双端口（True dual-port RAM）和伪双端口RAM 单端口RAM（Single-port RAM）： 输入只有一组数据线和一组地址线，读写共用地址线，输出只有一个端口。 伪双端口RAM可以提供并行读写操作，避免了传统单端口RAM的等待时间，因此有更快的访问速度和响应时间。 伪双端口RAM：AB可同时读写，但仅A写B读。 真双端口RAM：AB可同时读写，A可写可读，B可写可读。 图片 在功能上与伪双端口RAM与FIFO较为相似，两者有何区别？ ram_data[addr_a] =ram_data[addr_a]; ram_data[addr_b] =ram_data[addr_b]; end end endgenerate
http://mpvideo.qpic.cn/0bf2xeas6aabemam65wlqrpvdoodf64qclya.f10002.mp4?dis_k=65f...
4、DRAM（Dynamic RAM）动态RAM 5、DDR SDRAM （Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH ，同步是指 Memory工作需要同步时钟 9、DOC Disk On Chip 特点： 1) 32Pin DIP单芯片大容量FLASH存储器，容量8M~1G字节，盛博系列核心模块可直接支持 2) 内置TureFFS仿真系统实现全硬盘仿真，如硬盘一样读写 3) 非易失性固态盘，掉电数据不丢失，低功耗 4) 支持多种操作系统（DOS、WINDOWS、QNX 6、软件支持: 当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。 除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。
Ram Disk，顾名思义，就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了，比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储，都可以没有。 尤其VxWorks自己在运行时，本来就不依赖文件系统，因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着，别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。 Ram本来就不会很大，而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk，它还只是一个Device，一般在使用时，还要在Disk上创建块设备，并将这个块设备格式化。
昨天群内有朋友问，智能合约内是否可以实现帮用户购买ram或者帮用户抵押资源（cpu及net），以及如何来实现这个功能。今天我们一起来看下这个问题。 文章的内容分为以下两个部分： buyram及delegatebw的实现 合约内实现替用户购买ram及抵押资源 1、buyram及delegatebw的实现 我们知道在执行buyram的时候是分为两种情况的 2、合约内实现替用户购买ram及抵押资源 为用户抵押资源是可以解除质押，最终是不消耗我们的token的，但是为用户购买ram却是消耗合约开发者自己的token的，我们假设一种情况如下，用户支付我们10 以及质押资源便可实现了。 当然购买和质押实现之后，我们也可以实现卖出ram以及解除质押资源，感兴趣的话可以去尝试下。
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。 module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。 另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快。 DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM，和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。 在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM：只读存储器的总称。
以UltraScale芯片为例，每个Block RAM为36Kb，由两个独立的18Kb Block RAM构成，如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。 从图中可以看出，Block RAM本身会对输入控制信号（addr, we, en）和输入数据（din）进行寄存（这些寄存器是可选的且在Block RAM内部），同时对输出也可寄存（该寄存器也是可选的）。 采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时，可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位，输出寄存器是带有复位端口的，但仅支持同步高有效。 实验证明，只要按照该结构描述，所有的寄存器会映射到Block RAM架构中，不会消耗额外的寄存器。 ? 结论： -在使用Block RAM时，为便于时序收敛，最好使用Embedded Registers 上期内容： 查找表用作分布式RAM 下期内容： Block RAM的性能与功耗
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大家好，我是零一，最近看到Node官方提交了一条commit ，并且已经合入 master分支 ，如下图所示： 由此可见，Node18可能会支持一个非常 nice 的功能，那就是 支持 import 远程HTTPS资源和本地的HTTP资源，啥意思？ URL的协议不被支持时，会报该错误，例如 ftp: Error [ERR_UNSUPPORTED_ESM_URL_SCHEME]: Only URLs with a scheme in: file, data .opts }); } 总结 这个功能还是很香的，谁用谁知道，但目前有一些缺点： 实验性功能，可能还会改动，而且使用需要加参数 --experimental-network-imports 本地只支持 http，一旦涉及到 https 就很淡疼 该功能的代码实现就限制死了只支持 http: 和 https:，其它一概不支持 希望本文对你们有所帮助~ 我是零一，分享技术，不止前端，我们下期见~
RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内（2ms），先让存储器读写，然后集中刷新，这样就存在死区问题，如果是存取周期为2us的话，这样对于64*64的存储矩阵来说，集中刷新为128us，死区时间也为
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, ? 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 ? 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!
所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口（port） CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈： 为设备去访问RAM的瓶颈。 每个CPU访问自己的本地RAM。 ? 2.1 RAM Types 2.1.1 Static RAM 访问SRAM没有延迟，但SRAM贵，容量小。 ? Figure 2.4: 6-T Static RAM 电路图就不解释了。 2.2.1 Dynamic RAM ? Figure 2.5: 1-T Dynamic RAM 电路图就不解释了。 DRAM物理结构：若干RAM chip，RAM chip下有若干RAM cell，每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟（等待电容充放电），但DRAM便宜，容量大。
手机的RAM似乎每季度增加一次，那么手机到底实际需要多少RAM。 Linux内核管理该进程所需的资源，包括在CPU上运行的时间，数据的输入和输出（通过网络或通过文件系统）以及物理内存（RAM）。 当资源丰富时，内核的工作很容易。 如果进程需要更多的RAM且RAM可用，则内核只需跟踪哪个进程正在使用哪些内存即可。 但是，当资源稀缺时，事情就会变得复杂。如果CPU繁忙，手头的工作仍会完成，但不会那么快。RAM不同。 当进程请求更多RAM且RAM不可用时，内核将尝试通过交换释放一些RAM。如果找不到足够的RAM，则内核需要变得更加主动并开始淘汰进程。对于内核来说，这是一个奇怪的情况。 设备上使用的RAM量完全取决于您正在运行的应用程序。如果您喜欢Instagram和Candy Crush，但不喜欢其他东西，那么您将使用刚超过1GB的RAM。
单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分，分别实现两个独立的单端口RAM。 这种简单双端口RAM 模式也支持同时的读写操作。 块RAM 支持不同的端口宽度设置，允许读端口宽度与写端口宽度不同。这一特性有着广泛地应用，例如：不同总线宽度的并串转换器等。 （3）真正双端口RAM 模式 真正双端口RAM模型如下图所示，图中上边的端口A和下边的端口B都支持读写操作，WEA、WEB信号为高时进行写操作，低为读操作。 同时它支持两个端口读写操作的任何组合：两个同时读操作、两个端口同时写操作或者在两个不同的时钟下一个端口执行写操作，另一个端口执行读操作。 真正双端口RAM模式在很多应用中可以增加存储带宽。 真正双端口RAM模式支持处理器和DMA控制器同时访问，这个特性避免了采用仲裁的麻烦，同时极大地提高了系统的带宽。
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