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Block RAM与Distributed RAM

Block RAM与Distributed RAM,简称为BRAM与DRAM, 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构: FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含 Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器,Distributed RAM需要使用SliceM,所以要占用CLB中的逻辑资源,而Block RAM是单独的存储单元 用户申请资源时,FPGA先提供Block RAM,当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。 Block RAM是单独的RAM资源,一定需要时钟,而Distributed RAM可以是组合逻辑,即给出地址马上给出数据,也可以加上register变成有时钟的RAM,而Block RAM一定是有时钟的 5、 在异步fifo ,用两种RAM可供选择,BRAM和DRAM,BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源,DRAM是拼接LUT构成。

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恶意EOS合约存在吞噬用户RAM的安全风险

在EOS智能合约执行过程中,需要消耗EOS节点的cpu和内存资源,这些资源按照交易发生时的CPU资源和RAM资源价格,支付给EOS节点,从前一段时间被爆炒的RAM价格就可以看到RAM的稀缺性。 漏洞危害 本次发现的漏洞,恰好会导致用户账户内的RAM可能被恶意消耗,引发直接财产损失。 恶意EOS合约存在吞噬用户RAM的安全风险,需要引起各大交易所、钱包、token空投方、DApp、用户等的警惕,避免遭受损失。 防御手段 相关项目方在做转账操作时可通过命令行 “cleos get code” 判断目标地址是否为合约地址,避免RAM被恶意吞噬导致损失。 另外在问题未解决之前,可以减少用来转账的账户持有的 RAM 数量,尽可能避免遭受损失。 如发现转账过程中RAM使用异常,可以第一时间联系我们:security@meitu.com。

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    FPGA block RAM和distributed RAM区别

    区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 1.物理上看,bram是fpga中定制的ram资源,dram就是用逻辑单元拼出来的。 2.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 3.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。 5.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高,就用BlockRAM。 否则,就可以用Distributed RAM

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    oblivious RAM

    在云存储场景中,用户需要查询某一个数据块的内容.为了保证数据隐私性,通常会对数据库中的数据进行加密.但是在执行查询请求的过程中,数据块的索引并不能加密,这就泄露了用户访问数据库元素的位置.这使得攻击者可以通过用户的访问模式 、兴趣爱好、社交范围等,例如,一个人查询某一类药物,可以推断他患有什么疾病.另一方面,在安全计算领域,当用户将隐私数据以加密方式存储在内存中,如果暴露了处理器对内存的访问模式,就可能泄露数据本身的信息[ 6,7].因此,在大数据与云计算等应用场景中,仅通过对数据本身的内容加密并不能完全的保护用户的隐私.对用户的访问模式的保护,也是目前重点的研究目标. ORAM基于RAM。ORAM是一种加密协议,它允许客户端将数据安全地存储在不受信任的服务器上。 RAM是一种重要的计算模拟方法.处理器通过对存储器的读写来实现程序的执行.上个世纪80年代,为了隐藏程序对内存的访问模式(处理器访问内存的操作序列和地址序列)来避免软件的逆向工程,Goldriche 等人在此基础上提出了

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    单口RAM

    单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线,因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时,需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM,只有一套地址总线,读和写是分开(至少不能在同一个周期内完成)。 下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。 module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk ) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]

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    Understanding RAM Timings

    RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency. CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to

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    ram和rom的区别_RAM和ROM各有什么特点

    4、DRAM(Dynamic RAM)动态RAM   5、DDR SDRAM (Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM   6、NOR FLASH DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。 手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的 NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。    用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

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    Utility之Ram Disk

    Ram Disk,顾名思义,就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了,比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储,都可以没有。 尤其VxWorks自己在运行时,本来就不依赖文件系统,因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着,别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。 Ram本来就不会很大,而且32位VxWorks的能够留给用户Ram也就3GB左右 有了Disk,它还只是一个Device,一般在使用时,还要在Disk上创建块设备,并将这个块设备格式化。

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    双口同步RAM

    下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。 module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:

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    Block RAM的基本结构

    以UltraScale芯片为例,每个Block RAM为36Kb,由两个独立的18Kb Block RAM构成,如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。 从图中可以看出,Block RAM本身会对输入控制信号(addr, we, en)和输入数据(din)进行寄存(这些寄存器是可选的且在Block RAM内部),同时对输出也可寄存(该寄存器也是可选的)。 采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时,可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位,输出寄存器是带有复位端口的,但仅支持同步高有效。 实验证明,只要按照该结构描述,所有的寄存器会映射到Block RAM架构中,不会消耗额外的寄存器。 ? 结论: -在使用Block RAM时,为便于时序收敛,最好使用Embedded Registers 上期内容: 查找表用作分布式RAM 下期内容: Block RAM的性能与功耗

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    ROM与RAM的区别

    ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。 DDR RAM(Double-Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM,和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。 NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

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    RAM刷新周期问题

    RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内(2ms),先让存储器读写,然后集中刷新,这样就存在死区问题,如果是存取周期为2us的话,这样对于64*64的存储矩阵来说,集中刷新为128us,死区时间也为

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    关于单片机的RAM

    一块RAM 分为了 堆 和 栈   名词而已,知道就可以了, ? 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 ? 解决办法 :  额,写好自己的程序吧!!!!!!!

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    (笔记)CPU & Memory, Part 1: RAM

    所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口(port) CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈: 为设备去访问RAM的瓶颈。 每个CPU访问自己的本地RAM。 ? 2.1 RAM Types 2.1.1 Static RAM 访问SRAM没有延迟,但SRAM贵,容量小。 ? Figure 2.4: 6-T Static RAM 电路图就不解释了。 2.2.1 Dynamic RAM ? Figure 2.5: 1-T Dynamic RAM 电路图就不解释了。 DRAM物理结构:若干RAM chip,RAM chip下有若干RAM cell,每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟(等待电容充放电),但DRAM便宜,容量大。

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    Android 手机到底需要多少RAM

    手机的RAM似乎每季度增加一次,那么手机到底实际需要多少RAM。 如果LMK/ULMK太频繁,则可能会影响整体用户体验。在最坏的情况下,每次您离开一个应用程序以启动另一个应用程序时,先前的应用程序都会被杀死,从而为新应用程序让路。这是严重的内存不足情况。 只要被删除的应用程序是“旧的”,用户甚至可能不会注意到它已从内存中删除。 市面上的app 大致可以分为三类。 “标准”应用程序使用130MB至400MB的RAM。 因此普通用户可能很难分辨6GB设备和8GB设备之间的区别。 超过8GB 超过8GB后,将浪费多余的RAM.4GB是可行的,6GB/8GB是比较好的配置。10GB/12GB/16GB是愚蠢的。 这些仅是硬件数据好看,这会增加价格,给用户带来的好处很小或没有。

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    RAM的Verilog HDL调用

    (1)单端口RAM 模式 单端口RAM的模型如图所示,只有一个时钟源CLK,WE为写使能信号,EN为单口RAM使能信号,SSR为清零信号,ADDR为地址信号,DI和DO分别为写入和读出数据信号。 单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分,分别实现两个独立的单端口RAM。 需要注意的是,当要实现两个独立的单端口RAM模块时,首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。 (2)简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示,图中上边的端口只写,下边的端口只读,因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM(Pseudo Dual Port RAM)。 一般来讲,在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中,能达到的最宽数据位为36比特*512,但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM

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    加载RAM磁盘编译Xcode项目

    Step 2 在~/Library/Developer/Xcode/DerivedData.上部署安装2 GB大小的RAM磁盘。 1024 / 512): C代码 收藏代码 hdid -nomount ram://4194304 此行命令后将会输出RAM磁盘的驱动名字:/dev/diskN(N为数字)。 这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。 : //4194304 此行命令后将会输出RAM磁盘的驱动名字:/dev/diskN(N为数字)。 这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。

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    Block RAM的性能与功耗

    设计中如果大量使用Block RAM,可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。 以32Kx32bit RAM为例,目标芯片为UltraScale,通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度,如下图所示。 ? ;若级联高度为8,同一时间有4个Block RAM处于激活状态。 还有一个综合属性ram_decomp,可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例,采用如下图所示的四种实现方式。 结论: -使用大深度的RAM时,可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式,以获得性能与功耗的折中 上期内容: Block RAM的基本结构 下期内容: UltraRAM

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    手撕distributed ram类型同步FIFO

    同步fifo设计的核心在于full与empty信号的控制,今天看网上发布的部分verilog代码,虽然可以完成读写操作,但是存在部分问题,就是最后一个数据的读取...

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    Android性能优化调试(1): 可用RAM

    随着硬件配置的不断提升,RAM的大小从之前的几百兆提升到了现在的几十G的情况,特别是在消费级智能手机上,最大的运行内存几乎每年都能刷新最高值。 同时针对低RAM的设备,Google也早就推出了Android Go的系统,去除了很多不必要的功能,使得低RAM的设备也能运行流畅。如何查看可用存储在Android中,查看剩余存储的大小有很多种方式。 Android会让free的RAM尽可能的小,使得尽可能多的应用能够常驻,这样在启动应用的时候速度会更快,用户体验会更好。 在可分配RAM不够的时候或者触发kswapd阈值的时候,kswapd会负责回收缓存页来确保RAM,当kswapd回收还是无法满足时候,还会触发LMK来杀死常驻进程来获取内存。 屏幕分辨率对可用存储的影响非常的大,高分辨率意味着系统中用的是更高清的图片资源,自然会占用更多的RAM

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