Block RAM与Distributed RAM，简称为BRAM与DRAM， 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构： FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器，Distributed RAM需要使用SliceM，所以要占用CLB中的逻辑资源，而Block RAM是单独的存储单元...用户申请资源时，FPGA先提供Block RAM，当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。...Block RAM是单独的RAM资源，一定需要时钟，而Distributed RAM可以是组合逻辑，即给出地址马上给出数据，也可以加上register变成有时钟的RAM，而Block RAM一定是有时钟的...5、 在异步fifo ，用两种RAM可供选择，BRAM和DRAM，BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源，DRAM是拼接LUT构成。
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间，dram浪费LUT资源 1.物理上看，bram是fpga中定制的ram资源，dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。...5.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高，就用BlockRAM。...否则，就可以用Distributed RAM。
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线，因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时，需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM，只有一套地址总线，读和写是分开（至少不能在同一个周期内完成）。...下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。...module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input...we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk...) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency....CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory...clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM...RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge...Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
在RAM中，单端口RAM（Single-port RAM）和双端口RAM（Dual-port RAM）是两种常见的类型，双端口RAM又分为真双端口（True dual-port RAM）和伪双端口RAM...单端口RAM（Single-port RAM）： 输入只有一组数据线和一组地址线，读写共用地址线，输出只有一个端口。...伪双端口RAM可以提供并行读写操作，避免了传统单端口RAM的等待时间，因此有更快的访问速度和响应时间。...伪双端口RAM：AB可同时读写，但仅A写B读。 真双端口RAM：AB可同时读写，A可写可读，B可写可读。 图片 在功能上与伪双端口RAM与FIFO较为相似，两者有何区别？...ram_data[addr_a] =ram_data[addr_a]; ram_data[addr_b] =ram_data[addr_b]; end end endgenerate
2、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read – Only Memory) 电可擦可编程只读存储器 3、SRAM（Static RAM）静态RAM... 4、DRAM（Dynamic RAM）动态RAM 5、DDR SDRAM （Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 ...2、RAM有两大类： 一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，...DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
Ram Disk，顾名思义，就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了，比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储，都可以没有。...尤其VxWorks自己在运行时，本来就不依赖文件系统，因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着，别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。...Ram本来就不会很大，而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk，它还只是一个Device，一般在使用时，还要在Disk上创建块设备，并将这个块设备格式化。
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。...module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快。...DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM，和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。...在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM：只读存储器的总称。
以UltraScale芯片为例，每个Block RAM为36Kb，由两个独立的18Kb Block RAM构成，如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出，Block RAM本身会对输入控制信号（addr, we, en）和输入数据（din）进行寄存（这些寄存器是可选的且在Block RAM内部），同时对输出也可寄存（该寄存器也是可选的）。...采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时，可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位，输出寄存器是带有复位端口的，但仅支持同步高有效。...实验证明，只要按照该结构描述，所有的寄存器会映射到Block RAM架构中，不会消耗额外的寄存器。 ?...结论： -在使用Block RAM时，为便于时序收敛，最好使用Embedded Registers 上期内容： 查找表用作分布式RAM 下期内容： Block RAM的性能与功耗
Insecure Hashes 'django.contrib.auth.hashers.CryptPasswordHasher', # Insecure Hashes ) 但Django默认生成的密码策略往往会带上...md5_xxx, pbkdf2_xxx，同其他系统整合的时候，一般是没有这些前缀的，这就需要我们自定义一个密码策略。...下面介绍下如何定义一个简单的 md5(md5(password, salt)) 密码策略。...settings.py 中: 1 2 3 PASSWORD_HASHERS = ( 'ownmd5.hashers.OwnMD5PasswordHasher', ) 这样，默认的user及auth模块都会采用自定义的
序言 有些时候我们并不希望进行全面的扫描和检测，仅需要针对某些漏洞进行安全扫描和检测，或者只进行端口资产的扫描，这种情况下就非常需要能够自定义的创建合适的扫描和检测的策略，并且支持反复使用。...，在工作中确实提供了蛮多便利的，这周就给大家介绍下nessus的自定义扫描策略的创建和使用方法。...0x01 首先需要创建一个策略，点击Policies进入策略创建栏目，点击New Policy开始配置策略。 ? ?...0x02 然后会看到如下页面，这个和上周的高级扫描的配置是一样的，但是要注意上方的Policy Library，这个是说明当前我们正在配置策略库，配置完成后会在扫描栏目中多出一个自定义的扫描策略，在创建扫描任务时提供选择...小总结 以上便是NESSUS的自定义策略的创建方法了，NESSUS的自定义策略是一个很赞的功能，在工作中的资产收集，漏洞扫描和检测还是在SRC漏洞挖掘等方面，都帮助我获取到了许多非常有意思的信息，为漏洞挖掘提供蛮多挖掘思路
RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内（2ms），先让存储器读写，然后集中刷新，这样就存在死区问题，如果是存取周期为2us的话，这样对于64*64的存储矩阵来说，集中刷新为128us，死区时间也为
前面我们已经弄好了用户角色这块内容，接下来就是我们的授权策略。在asp.net core中提供了自定义的授权策略方案，我们可以按照需求自定义我们的权限过滤。...然后通过重写HandleRequirementAsync进行授权策略的校验。...PermissionAuthorizationPolicyProvider 这里除了AuthorizationHandler，还需要实现一个PermissionAuthorizationPolicyProvider，用于在匹配到我们自定义...就这样我们完成了我们自定义的授权策略配置。
上篇我们使用Eureka默认的负载均衡解决了消费方调用服务方硬编码的问题，不过呢，因为是使用的默认负载均衡的策略，所以这次我们就搞一搞事情，来自定义一下它的策略。...搞这个策略呢有两种实现方式 1 ◆ 通过代码自定义 ◆ 通过代码的方式自定义负责均衡策略时需要注意的是，注意避免SpringBoot的包扫描，因为自定义的规则必须在Eureka的规则实例化以后再实例化才会生效...3.想使用哪种负载均衡策略就new哪一种就ok 4.TestRule为自定义的规则： package cn.org.config.domain; import com.netflix.loadbalancer.ILoadBalancer...1.自定义一个注解 public @interface ExcludeFromComponentScan { } 2.类使用刚才自定义的注解标示 @Configuration @ExcludeFromComponentScan...: ribbon: NFLoadBalancerRuleClassName: com.netflix.loadbalancer.WeightedResponseTimeRule 当然，自定义负载均衡策略只需要选择代码或配置文件自定义其中的一种就可以了
设计中如果大量使用Block RAM，可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。...以32Kx32bit RAM为例，目标芯片为UltraScale，通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度，如下图所示。 ?...；若级联高度为8，同一时间有4个Block RAM处于激活状态。...还有一个综合属性ram_decomp，可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例，采用如下图所示的四种实现方式。...结论： -使用大深度的RAM时，可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式，以获得性能与功耗的折中 上期内容： Block RAM的基本结构 下期内容： UltraRAM
所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口（port） CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈： 为设备去访问RAM的瓶颈。...每个CPU访问自己的本地RAM。 ?...2.1 RAM Types 2.1.1 Static RAM 访问SRAM没有延迟，但SRAM贵，容量小。 ? Figure 2.4: 6-T Static RAM 电路图就不解释了。...2.2.1 Dynamic RAM ? Figure 2.5: 1-T Dynamic RAM 电路图就不解释了。...DRAM物理结构：若干RAM chip，RAM chip下有若干RAM cell，每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟（等待电容充放电），但DRAM便宜，容量大。
手机的RAM似乎每季度增加一次，那么手机到底实际需要多少RAM。...如果进程需要更多的RAM且RAM可用，则内核只需跟踪哪个进程正在使用哪些内存即可。 但是，当资源稀缺时，事情就会变得复杂。如果CPU繁忙，手头的工作仍会完成，但不会那么快。RAM不同。...当进程请求更多RAM且RAM不可用时，内核将尝试通过交换释放一些RAM。如果找不到足够的RAM，则内核需要变得更加主动并开始淘汰进程。对于内核来说，这是一个奇怪的情况。...“标准”应用程序使用130MB至400MB的RAM。...设备上使用的RAM量完全取决于您正在运行的应用程序。如果您喜欢Instagram和Candy Crush，但不喜欢其他东西，那么您将使用刚超过1GB的RAM。
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!
（1）单端口RAM 模式 单端口RAM的模型如图所示，只有一个时钟源CLK，WE为写使能信号，EN为单口RAM使能信号，SSR为清零信号，ADDR为地址信号，DI和DO分别为写入和读出数据信号。...单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分，分别实现两个独立的单端口RAM。...需要注意的是，当要实现两个独立的单端口RAM模块时，首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。...（2）简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示，图中上边的端口只写，下边的端口只读，因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM（Pseudo Dual Port RAM）。...一般来讲，在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中，能达到的最宽数据位为36比特*512，但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。
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