指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有 SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。
随着嵌入式技术的不断发展，嵌入式芯片的内存也越来越大。从最开始的51单片机，然后是STM32，现在逐渐的跑操作系统，例如Linux等等。这就需要嵌入式工程师掌握RAM相关的知识，如何利用好RAM是一个很大的难题，同时也是嵌入式必备的知识储备。下面就总结一下ram相关的概念。
在现代数字化时代，服务器的性能和能力变得越来越关键。随着数据处理和存储需求的不断增长，内存（RAM）在服务器性能中扮演着至关重要的角色。在过去的几十年里，内存技术经历了多次革命性的变革，其中包括DDR3、DDR4和DDR5等内存标准的推出。本文将深入探讨这三种内存标准，比较它们在性能、能效、适用场景等方面的差异，帮助您了解如何选择适合您服务器需求的内存。
一：SDRAM SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM的一些参数： （1）容量。SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示。例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit，表明该存储器芯片的容量为16 M字节。或12
如图是S3C2440是个片上系统，有GPIO控制器（接有GPIO管脚）,有串口控制器 (接有TXD RXD引脚)。
内存的关键指标包括内存大小，速度，较低的工作电压和更快的访问速度。DDR5支持8Gb至64Gb的内存，并结合了3200 MT / s至6400 MT / s的多种数据速率。DDR5的工作电压从DDR4的1.2V进一步降低到1.1V。
早期内存通过存储器总线和北桥相连，北桥通过前端总线与CPU通信。从Intel Nehalem起，北桥被集成到CPU内部，内存直接通过存储器总线和CPU相连。
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。
SDRAM凭借其极高的性价比，广泛应用于高速数据存储、实时图像处理等设计当中，但是相对于SRAM、FIFO等其他存储器件，SDRAM的控制相对复杂。虽说是复杂，但也不代表没办法实现，仔细梳理一下，发现SDRAM的控制其实也没这么难。本文就SDRAM的基本概念以及其工作流程做简要介绍。
本篇作为有关DDR的相关知识的第一篇，先给出DDR的前生SDRAM以及演变DDR/DDR2/DDR3等的总体概念与区别，后面会细分技术细节。文章参考互联网以及国外各大网站以及文献，水平有限，若有疏漏，还请谅解。注：本文首发易百纳技术社区，FPGA逻辑设计回顾（9）DDR的前世今生以及演变过程中的技术差异[1]
常见的SDRAM控制器代码都是基于连续突发读写模式的，在需要传输连续地址的大批量数据时十分方便。但是需要进行随机的地址读写时，突发读写的控制器便不方便使用。例如将SDRAM作为CPU的内存模块使用时，常常需要访问和修改随机地址的数据，故需要设计SDRAM随机读写控制器。
内存条，全称为Random-Access Memory（RAM），也称为随机存取存储器。它是电脑中用于暂时存储数据和程序以供CPU快速访问的部件。
我们利用局部性原理将计算机存储器组织成为存储器层次结构(memory hierarchy)。存储器层次结构由不同速度和容量的多级存储器构成。 如果存储器需要的数据存放在高层存储器中的某个块中，则称为一次命中。命中率是在高层次存储器中找到数据的存储访问比例，是存储器层次结构性能的重要衡量指标。
在上期，我们提到了，DRAM从FPM，EDO，EDO Burst，SDRAM一路进化，在SDRAM 133MHz时代，每片芯片(16bit)理论上可实现266MBps的吞吐性能。每内存通道64bit理论上最高(burst方式)可提供1066MBps吞吐性能，两个内存通道合计约2GBps。
S3C2440的CPU可以直接给SDRAM发送命令、给Nor Flash发送命令、给4K的片上SDRAM发送命令，但是不能直接给Nand Flsh发送命令
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JEDEC 发布了 LPDDR5 内存标准 JESD209-5B 的新修订版，按照这份新的标准，除了在性能和功率作了改进以外，还对 LPDDR5 进行了扩展，提出了名为 LPDDR5X 的内存扩展规格。 LPDDR5X传输速度可高达 8533MT/s（或者说等效 8533MHz），预期 LPDDR5 和 LPDDR5X 将同时在市场上推出，互为补充。
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该文摘要总结：本文介绍了汇编指令中的adr和ldr伪指令，以及它们在ARM体系结构中的使用。其中，adr为相对寻址指令，ldr为加载指令。通过实例讲解了这两种指令的使用方式和作用。
在裸板2440中,当我们使用nand启动时,2440会自动将前4k字节复制到内部sram中,如下图所示: 然而此时的SDRAM、nandflash的控制时序等都还没初始化,所以我们就只能使用前0~40
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上期我们介绍了针对SRAM降成本的方案——DRAM。DRAM的每bit只需要1个晶体管实现，大大降低了芯片面积，功耗和成本。
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ROM、PROM、EPROM、EEPROM、NAND flash、NOR flash
1、EPROM：（Electrically Programmable Read-Only-Memory）电可编程序只读存储器
本文档主要介绍，如何快速搭建起在STM32上运行的TouchGFX底层驱动和应用，以STM32H743为例。
同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。SDRAM的特点是需要定期进行刷新操作，这也要求SDRAM需要一个控制器来对SDRAM进行控制，更为详细的SDRAM的知识可以上网进行查找，这里不再做过多的阐述。
最近一直在使用H743这颗料，主频跑400M，很多外设在使用时都开了DMA，性能杠杠的，推荐大家多使用。如SDRAM， QSPI，SPI等，H743里面DMA比较多，也较复杂，有DMA2D，MDMA, BDMA，DMA1,DMA2等等，使用时候注意区分。
📚 文档目录 合集-数的二进制表示-定点运算-BCD 码-浮点数四则运算-内置存储器-Cache-外存-纠错-RAID-内存管理-总线-指令集: 特征- 指令集:寻址方式和指令格式 Memory 存储器由一定数量的单元构成，每个单元可以被唯一标识，每个单元都有存储一个数值的能力. 地址:单元的唯一标识符(采用二进制). 地址空间:可唯一标识的单元总数. 寻址能力: 存储在每个单元中的信息的位数 大多数存储器是字节可寻址的,执行科学计算的计算机通常是64位寻址的. 半导体存储器 主存中广泛地运用了半导体芯片.
我们用Visual Studio来开发程序时，可以选择编译Debug版本，也可以选择编译Release版本。Debug版本为调试版本，Release版本为对外发布版本。
傲腾（Optane）是Intel在存储器方面的重量级产品。其采用3D Xpoint存储非易失介质来存储数据。3D Xpoint的一大特点就是延迟更加接近SDRAM，而寿命方面大大高于NAND Flash，而容量密度则介于SDRAM和NAND Flash之间。这种特性决定了傲腾天生就是在SDRAM和Flash甚至HDD之间做缓存的好料。
DIMM：Dual-Inline-Memory-Modules,即双列直插式存储模块。168个引脚，64位。
教程不断更新中：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=98429 第7章 emWin6.x的裸机方式移植（STM32H7之RGB接口）
GD32F450I开发板上配了一个OV2640摄像头，其最大像素尺寸可设置为1600*1200，板子上的RGB-LCD液晶屏的尺寸为480*272，本篇来测试摄像头在整个屏幕上的显示效果。
本期教程跟大家讲解emWin6.x新版GUIBuilder工具AppWizard。掌握AppWizard比较容易，大家很快就可以上手，仅需注意使用上的一些坑即可。
NAND FLASH本身是连接到了控制器上而不是系统总线上。CPU运行机制为：CPU启动后是要取指令执行的，如果是SROM、NOR FLASH 等之类的，CPU 通过地址线发个地址就可以取得指令并执行，NAND FLASH不行，因为NAND FLASH 是管脚复用，它有自己的一套时序，这样CPU无法取得可以执行的代码，也就不能初始化系统了。
本文主要介绍了如何制作一个简单的U-Boot启动加载程序。首先介绍了U-Boot的架构和主要功能，然后详细描述了如何制作U-Boot的启动加载程序。最后，给出了一个示例代码和相关的工具链。
最近AIoT应用大赛正在火热展开，看到许多参赛选手对于NXP工程及IDE接触较少，在此我就以移植一个SDK工程为例，给大家简单介绍移植的过程以及一些注意事项。
一，CPU主频： 这是一个最受新手关注的指标，指的就是CPU内核工作的时钟频率（CPU Clock Speed）。通常所说的某款CPU是多少兆赫兹的，而这个多少兆赫兹就是“CPU的主频”。在学校经常听见一些人问，XXX网吧的CPU2.66G！XXX网吧的才2G，有人用2.66G的赛扬与2.0G-2.66G的P4比，这是无知的表现，和他们争是无意义的：）。主频虽与CPU速度有关系，但确对不是绝对的正比关系，因为CPU的运算速度还要看CPU流水线（流水线下面介绍）的各方面性能指标（缓存、指令集，CPU位数等）。因此主频不代表CPU的整体性能，但提高主频对于提高CPU运算速度却是至关重要的。主频的计算公式为：主频＝外频*倍频。
本期教程跟大家讲解emWin6.x新版GUIBuilder工具AppWizard的中文显示方法。
Unbuffered DIMM，定位于桌面市场，指地址和控制信号没有经过缓冲器，没有做任何时序调整（缓冲器延迟是有的）,直接到达DIMM上的RAM芯片。而Registered内存模组则对地址和控制信号等进行寄存，在下一个时钟到来时再触发输出。
该文介绍了如何通过修改配置、开启ICAHE等方法来加快内核启动速度，并给出了具体的代码示例。
编译测试: 1.将写好的uboot复制到linux下面 2.make编译,然后将错误的地方修改,生成boot.bin (编译出错的解决方案:http://www.cnblogs.com/lifexy/
IDLE 状态到WRITE 状态： 1) 在IDLE 状态需要先给ACT 命令激活某一行，此时处于Row Active 状态； 2) 在Row Active 状态之后，给Write 命令则会进入WRITE 状态； 3) 在WRITE 状态后，再给一次Write 命令，就可以继续写入数据。 WRITE 状态到IDLE 状态： 1) 在WRITE 状态给PRE 命令，则SDRAM 将跳出WRITE 状态进入Precharge状态； 2) 在Precharge 状态后，就会自动进入IDLE 状态了。
位置无关码 即该段代码无论放在内存的哪个地址，都能正确运行。究其原因，是因为代码里没有使用绝对地址，都是相对地址。 位置相关码 即它的地址与代码处于的位置相关，是绝对地址 BL :带链接分支跳转指令
其他的相关系统也可以，建议使用上面已经验证过的系统，同时该网站上提供了很多win95的系统的游戏，可以下载试玩。
教程不断更新中：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=98429 第22章 emWin6.x的GIF图片显示 本期主要讲emW
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