自旋电子器件制造工艺获新突破

文章来源：企鹅号 - 财联社

【自旋电子器件制造工艺获新突破】财联社3月24日电，美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小。研究论文发表在最近的《先进功能材料》上。