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迈向 3D 内存:三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发

IT之家 5 月 21 日消息,综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道,三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2VCT DRAM 原型。

目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上:

一种是 4F2VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶体管) DRAM;另一种是 VS-CAT(Vertical Stacked-Cell Array Transistor,垂直堆叠单元阵列晶体管) DRAM。

前者主要是在 DRAM 单元结构上向 z 方向发展,后者则是类似 3D NAND 一样堆叠多层 DRAM。

▲ 图源 Semiconductor Engineering

市面现有的 DRAM 内存采用 6F2 结构,换用 4F2结构可缩减约 30% 面积,提高存储密度,不过也对 DRAM 材料提出了更高的要求。

除通过堆叠提升容量外,VS-CAT DRAM 还能降低电流干扰。三星电子预计其将采用存储单元和外围逻辑单元分离的双晶圆结构,因为延续传统的单晶圆设计会带来严重的面积开销。

在分别完成存储单元晶圆和逻辑单元晶圆的生产后,需要进行晶圆对晶圆(W2W)混合键合,才能得到 VS-CAT DRAM 成品,这一过程类似于长江存储在 3D 闪存中使用的 Xtacking 技术。

目前三星电子已在内部实现了 16 层堆叠的 VS-CAT DRAM,美光方面处于 8 层堆叠的水平。

三星电子还在会议上探讨了将 BSPDN 背面供电技术用于 3D DRAM 内存的可能性,Lee Siwoo 认为该技术有助于于未来对单个内存 bank 的精细供电调节。

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  • 原文链接https://page.om.qq.com/page/OUqdzpi8PYrWadit2uvtMiHw0
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