高效红外光电二极管：基于锗材料的1.55µm响应性提升35％

不仅在响应性方面优于现有的锗光电二极管，而且优于商用的砷化铟镓光电二极管

（映维网Nweon 2025年01月03日）对于AR/VR等领域，探测红外光至关重要，而这意味着提高红外传感器（如光电二极管）的效率将带来重大增益。

芬兰阿尔托大学的研究人员就开发了一种1.55µm响应性提高了35%的新型红外光电二极管。重要的是，这种新组件可以采用当前的生产技术制造，所以非常实用。

阿尔托大学教授赫勒·萨文（Hele Savin）表示：“从想法到概念验证，我们共投入了8年时间。”

所述的新型红外光电二极管主要是用锗代替砷化铟镓。锗光电二极管更便宜，并且已经与半导体制造工艺完全兼容。但一直以来，锗光电二极管在捕获红外光方面表现不佳。

现在，萨文的团队成功地制造出了可以捕获到几乎所有照射红外光的锗光电二极管。

团队指出：“实现的高性能是通过结合数种新方法实现：利用表面纳米结构消除光学损耗，并以两种不同的方式最大限度地减少电损耗。”

测试表明，概念验证型光电二极管不仅在响应性方面优于现有的锗光电二极管，而且优于商用的砷化铟镓光电二极管。这项新技术可以非常有效地捕获红外光子，并可在非常宽的波长范围内工作。

相关论文：Near-infrared germanium PIN-photodiodes with >1A/W responsivity

https://www.nature.com/articles/s41377-024-01670-4

不仅只是这样，这种新组件可以采用当前的生产技术制造，所以研究人员希望它们可以直接集成到一系列的技术之中。