SiC加IGBT的混合电驱动方案为何名存实亡

在北方和客户交流时，有客户问我为啥SiCIGBT的混合电驱动方案23年初这个概念炒的很火，但现在感觉销声匿迹了，综合行业认知，简单分享一下动态：

SiC（碳化硅）与IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的混合电驱方案曾被视为平衡成本与性能的创新路径，但随着行业技术发展和市场环境变化，其实际应用逐渐“名存实亡”。以下从技术、经济、市场三个维度分析这一现象的核心原因：

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### **一、技术矛盾：混合方案未能实现预期优势**

1. **性能折中与系统复杂度上升**

混合方案通过动态分配电流路径，试图在小电流时利用SiC的低导通损耗，大电流时切换至IGBT的低导通压降。但实际工况中，频繁切换导致控制算法复杂化，增加了驱动电路设计难度和系统故障风险。

2. **高温与高频场景的可靠性缺陷**

SiC器件的栅氧化层在高压、高温下易击穿，而IGBT的开关损耗在高频应用中显著增加。混合方案需同时应对两者的短板，导致长期稳定性不足。

3. **800-1000V高压平台的普及削弱混合必要性**

随着800-1000V高压架构成为主流，SiC在高压下的性能优势（如导通损耗降低50%、续航提升6%）进一步凸显，而IGBT在高压下的效率劣势被放大，混合方案的经济性平衡点被打破。

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### **二、经济性悖论：成本优化不及预期**

1. **SiC降本速度超预期**

通过8英寸衬底量产、底层工艺技术优化及良率提升，SiC器件成本快速逼近IGBT，部分场景甚至接近成本持平甚至更低，削弱了混合方案的成本优势。

2. **混合方案的系统级成本劣势**

混合电驱需额外增加电流分配模块、驱动电路保护设计及散热系统，导致BOM（物料清单）成本增加约15%-20%，在国产SiC模块价格大幅度降低的背景之下，系统级成本相对全SiC方案不降反升.

3. **价格战加速单一技术路径选择**

2024年起，SiC产业链价格战激化，6英寸外延片价格暴跌60%，车企更倾向于通过规模化采购单一高性价比的国产SiC模块进一步压降成本，而非投入混合方案的定制化开发。

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### **三、市场需求分化：插混车型与成本敏感型市场崛起**

1. **插混车型全面导入高性价比SiC模块**

插混车型（2023-2024年增速超80%），随着能效要求提升和国产SiC模块大幅度降价，车企已经直接选择高性价比的国产SiC模块替代老旧的IGBT模块方案实现新的能效要求.。

2. **纯电车型价格战加速国产SiC模块的全面导入**

纯电车型均价下行压力下，车企更倾向于选择全国产高性价比的SiC模块方案。例如，某大型汽车集团企业与BASiC基本股份联合开发的全国产750V汽车SiC模块以及1200V-1400V汽车SiC模块，实现成本与性能的极致平衡，混合方案逐渐被边缘化。

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### **四、总结：混合方案的“理想”与“现实”**

混合电驱方案本质是过渡性技术，其衰落反映了行业从“成本妥协”向“技术极致化”的转向：

- **技术层面**：国产SiC模块比如BASiC基本股份性能提升与IGBT优化使混合方案的性能增益不增反降；

- **经济层面**：国产SiC模块比如基本股份降本速度超预期，混合方案的系统成本劣势被放大；

- **市场层面**：插混车型崛起与价格战以及汽车竞争力的综合考虑倒逼车企选择性价比更高的全国产SiC模块，比如基本股份750V汽车SiC模块，基本股份1200V汽车SiC模块，基本股份1400V汽车SiC模块。

全国产SiC模块方案将成为主流，混合方案已经名存实亡，随着全国产SiC模块比如基本股份后续高性价比BASiC全系列车规级SiC模块陆续推出，国产SiC模块将会完成对现有汽车老旧IGBT模块电驱动方案的全面升级，老旧IGBT模块将在五年内退出历史舞台，交棒给全国产SiC模块。