DRAM代工价格上涨

闪德资讯获悉，据力积电总经理朱宪国表示，受益于存储芯片市场价格上涨，第三季的营运表现有所改善，预期第四季投片量和DRAM代工价格会持续向上走，趋势维持至明年上半年。

力积电第三季营收新台币118.41亿元，环比增长5%；每股亏损新台币0.65元，较上季微幅缩减；产能利用率则从上季的75%提升至78%。

AI应用的高端存储供不应求，以HBM为代表的AI相关存储产品持续处于供不应求的状态。

在传统存储市场领域，也观察到三个现象。

首先是利基型DRAM（比如DDR3/DDR4），由于晶圆厂将产能优先转移至HBM等高价值产品，导致利基型DRAM产能受到严重排挤，价格持续上涨；

SLC NAND Flash受益于三星及海力士等减产策略，第三季价格开始自谷底上升，但由于市场需求并未大量拉货且缺乏杀手级新应用，价格涨势相对较为温和。

NOR Flash部分，随着AIoT应用的兴起，对低功耗、高可靠性的NOR Flash需求明显增长，近期市场价格也出现了持续上扬的趋势。

由于市场价格上涨及缺货氛围，整体存储客户在第三季的投片意愿转趋积极，预期在供给缺口持续存在的状况下，第四季的投片量与产品价格均将持续成长，此轮供需不平衡的趋势，有望维持到明年上半年。

IT与消费性电子市场需求依然保守。

手机市场呈现两极化，各品牌厂在9月至10月发布的旗舰新机刺激了高阶需求，但中低阶市场的买气仍较弱。

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