跑分新技术：QLC固态硬盘的“掉速”过程将不止一次

提起SLC缓存，很多朋友是又爱又恨。正是在SLC缓存的帮助下，TLC固态硬盘才能获得优秀的爆发写入性能。

但同样也是由于SLC缓存的存在，几乎所有TLC固态硬盘都面临着缓存用完后“掉速”的问题。

缓存在容量和性能之间的矛盾于QLC闪存中更为严峻。在前不久的FMS2019闪存峰会上，群联介绍了为QLC闪存设计的动态编程模式，主控可根据情况选择SLC缓存、MLC缓存甚至是TLC缓存：反正这些模式都比QLC写入要快，只是大家要做好固态硬盘性能多变而古怪的准备了。

3D QLC的综合性能会比前几年的2D平面TLC更差一些。由于3D QLC需要多步编程才能完成写入，即便用上4 Plane/die设计写入速度依然令人捉急，数据缓存技术必不可少。

但理论上QLC能提供比TLC多33%的存储空间，对于提升存储容量很有帮助，未来一段时间里TLC打高端性能、QLC比超大容量的定位已经基本确立。

寿命方面，群联给出的消息是3D QLC大约会提供1000次擦写循环，读取干扰限制小于3000次，也就是说它比较容易遇到早期TLC固态硬盘读取掉速的问题，需要固件进行定期的数据搬运与刷新来维持。