我国发明的“量子闪存”技术成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构 首次在室温环境下清晰观测到单电子的非易失性存储行为

【我国发明的“量子闪存”技术成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构 首次在室温环境下清晰观测到单电子的非易失性存储行为】财联社7月17日电，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森研究团队北京时间7月17日凌晨在《科学》（Science）发表重磅成果，他们发明的“量子闪存”（Quantum Flash）技术，成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，首次在室温（27℃）环境下清晰观测到了单电子的非易失性存储行为，这不仅彻底打破了“单电子存储”无法实现的传统认知，开创了单电子量子存储的全新理论体系，更为AI时代算力革命奠定关键理论基础。该研究将电荷存储的信息密度提升至理论极限，实现了“一电子一比特”，也为面向人工通用智能（AGI）需求的高密度存储器研发提供了新的技术基础。目前，团队已系统性地打通了从底层材料、器件创新到高端芯片集成与应用的全链条：“破晓”实现存取速度突破，“归壹”解决密度极限，“长缨”完成了与现有CMOS硅工艺兼容的原型芯片验证。