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我国首个自主开发180纳米成套硅光工艺研发成功

央广网重庆6月7日消息(记者吴新伟)重庆高新区昨披露,位于西部(重庆)科学城西永微电园的联合微电子中心,面向全球发布了我国首个自主开发的180纳米成套硅光工艺设计工具,并建成国内首个硅光芯片全流程封装测试实验室。

这标志着重庆已具备硅光领域全流程自主工艺制造能力,并开始向全球提供硅光芯片流片服务和光电设计自动化设计服务。

硅光是以光子和电子为信息载体的硅基光电子大规模集成技术,能够大大提高集成芯片的性能,是大数据、人工智能、未来移动通信等新兴产业的基础性支撑技术,可广泛应用于大数据中心、5G、物联网等产业。

硅光芯片是通过标准半导体工艺将硅光材料和器件集成在一起的集成光路,主要由调制器、探测器、无源波导器件等组成,它可以将多种光器件集成在同一硅基衬底上。

联合微电子中心介绍,5G时代,对数据传输的要求越来越高,传统的电芯片在信号传输模式上遇到带宽、功耗、延时等一系列瓶颈问题。此次开发的180纳米成套硅光工艺,可将光的极高带宽、超快速率和高抗干扰特性,以及微电子技术在大规模集成、低成本等方面的优势进行结合,形成一个完整的、具有综合功能的新型大规模光电集成芯片。

比利时皇家科学院院士、根特大学教授罗尔·巴茨表示,此次联合微电子中心发布的180纳米成套硅光工艺,标志着该公司具备硅光领域全流程自主工艺制造能力,是硅光领域的一大进步。

联合微电子中心表示,中心于2018年挂牌成立,计划用3至5年时间建成光电融合高科技领域的国家级创新平台。

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20200607A0AA0900?refer=cp_1026
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