IBM科学家发表观点文章评述三维相变存储器技术

面对现代信息社会中与日俱增的庞大数据量，半导体存储器技术的发展显得至关重要。闪存（Flash）作为现阶段最广泛应用的非易失存储器技术，和易失性的DRAM内存相比，在读取速度和耐久性上仍有较大差距。因此，通过将非易失性的“存储级内存”（Storage Class Memory，简称SCM）引入到先进的架构中，存储芯片的整体性能有望得到很大程度的提升。在多种非易失存储技术中，相变存储器（PCM）由于其在速度、耐久性和集成密度上优势，是适合用作SCM的最佳选择之一。

近日，美国IBM公司的Nanbo Gong（龚南博）博士在Science  China: Information Sciences上发表一篇观点（Perspective）文章，综合评述了基于多值存储单元（MLC）的三维相变存储器技术的研究现状和前景。文章的主要内容包括：

多值存储单元PCM的1T1R交叉阵列

基于双向阈值开关（OTS）选择器的三维阵列拓展

基于MLC的三维PCM阵列的挑战

OTS-PCM发展前沿：免验证的写入模式

这篇观点文章回顾了多值PCM存储从基础的1T1R阵列，到基于OTS选择器的三维集成的发展过程，提出了面临的主要挑战，并展望了领域的未来发展趋势。文章综合评述了现阶段先进且有强大应用前景的MLC三维PCM，对了解SCM存储器的国际前沿技术有较大帮助。