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伪形态高电子迁移率晶体管(pHEMT)是单片微波集成电路(MMIC)设计人员和晶圆厂用来开发和制造微波集成电路的一种技术。pHEMT因其卓越的宽带性能特性,包括...
全文来自Skyworks网站文章,标题做了改动。用同一个CMOS Die来实现ET电源调制和射频功率放大,是有突破的尝试。
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TA 很懒,什么都没有留下╮(╯_╰)╭