DRAM 的存储单元(超单元)以二元阵列排列而不是线性排列,这样可以节省管脚。请求某个超单元先发送行,此时会将行缓存到内部行缓冲区;然后发送列,此时将该行该列的超单元数据返回给请求者。传统的 DRAM 会将剩余的数据丢掉,而 FPM DRAM会缓存整行。这两种DRAM早就已经停产了,现在主流是 DDR3/4 SDRAM。
可擦写编程器 EEPROM 掉电数据不丢失,主要用于存储数据,如闪存(U盘)
一般的程序都具有良好的局部性,即访问的数据都是在一个较密集的区间内,这样可以提高访问效率。但局部性也导致容易受到栈溢出攻击。印象中新版本的 Linux 内核有降低局部性,防止栈溢出攻击的策略。