特性: 1.内置功率 MOSFET; 2.使用小巧的电容和电感; 3.1.3MHz 固定的开关频率; 4.内部补偿; 5.内部软启动; 6.工作的输入电压低至 2.5V,输出电压高至 22V; 7.5V 输入电源、高达 300mA 的情况下可产生 12V 电压; 8.UVLO、热关断; 9.内部电流限制; 10.采用 TSOT23-5 封装;
典型应用:
D1作用:当内部 MOSFET 关闭时,输出整流二极管为电感提供电流;
为了减少由于二极管正向电压和恢复时间所造成的损耗,使用肖特基二极管。选择最大反向电压额定值大于最大输出电压的二极管。在大多数应用中,对于少于 20V 的输出电压,建议选择 MBR0520(0.5A 20V)。这个二极管用于少于 500mA 的负载电流。 对于40V以下的应用,可以选择1N5819(1A 40V);
Vout=(R1/R2 +1)*1.25