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社区首页 >专栏 >GD25F64FSIGR,8MB DTR 高速 SPI NOR,硬件 ECC 加持的宽温工业级闪存

GD25F64FSIGR,8MB DTR 高速 SPI NOR,硬件 ECC 加持的宽温工业级闪存

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立年电子
发布2026-06-17 11:50:03
发布2026-06-17 11:50:03
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GD25F64FSIGR
GD25F64FSIGR

型号介绍 GD25F64FSIGR 是一款工业级高速DTR型SPI NOR Flash存储芯片,也是嵌入式工控、物联网、车载电子领域通用性极强的8MB容量存储器件,依托专属优化的电气性能与定制化功能设计,适配严苛工业工况,成为中端固件存储、程序启动的优选存储芯片。这款芯片适配行业通用3.3V供电系统,工作电压区间覆盖2.7V至3.6V,适配绝大多数嵌入式主控电源电路,无需额外增设稳压电路;芯片定级为工业宽温规格,可稳定在-40℃到105℃高低温环境中长期运行,无惧户外低温、设备机箱高温、密闭工控舱温升等恶劣工况,区别于常规商业级Flash耐温短板。同时芯片功耗管控表现优异,常态待机电流仅9μA,深度掉电休眠模式下电流低于2μA,兼顾设备长效低功耗待机、电池供电类设备功耗管控需求。读写时序层面,它搭载STR单沿、DTR双倍速率双读取模式,支持1-1-1、1-2-2、1-4-4多路SPI以及QPI四线通信模式,搭配DQS同步时序校准,最高等效读取带宽可达104MB/s,相比传统普通SPI Flash读取效率大幅提升;沿用行业标准存储架构,256Byte页编程、4K扇区擦除、64K块擦除标准操作,编程、擦除时序稳定可控,适配常规固件分区读写逻辑。

主要特性 擦写寿命≥10 万次,常温数据保存 20 年 内置硬件 ECC、CRC 数据纠错,高温环境数据更稳定 自带 OTP 一次性可编程加密区,可存储密钥、设备序列号 WP 硬件引脚 + 寄存器双重分区写保护,防止固件误擦除 工作电压:2.7~3.6V,标准 3.3V 供电 工业宽温:-40℃ ~ +105℃ 低功耗:待机约 9μA,深度休眠电流<2μA

应用领域 工业控制器、PLC、数据采集网关(宽温需求) 网络设备:路由器、交换机、光猫固件存储 智能家电、大功率 IoT 设备、光伏逆变器 车载后装电子、显示屏驱动板(-40~105℃耐受) 嵌入式 Linux 设备,需要高速启动镜像加载

相关型号 CGH55015F2 CGH55030F2 CGH27015F CGHV27015S EDA4F2775P170FB30 EDA4F2975P170FB30 AD9361BBCZ MAX3079EESD MACS-007801-0M1RM0 ZED-X20P-00B ZED-F20P-00B GD25F64FSIGR GD25Q64ESIGR GD25Q64EWJGR GD25Q64EWIGR

原创声明:本文系作者授权腾讯云开发者社区发表,未经许可,不得转载。

如有侵权,请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除。

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