为什么ARM Cortex M3 MCU中的内存有不同的内存区？

ARM Cortex M3 MCU中的内存有不同的内存区是为了满足不同的存储需求和优化系统性能。以下是不同的内存区及其作用：

1. 代码存储区（Flash存储器）：用于存储程序代码和只读数据。Flash存储器是非易失性存储器，它可以在断电后保持数据。在MCU启动时，代码存储区中的程序会被加载到处理器的指令缓存中执行。
2. 数据存储区（RAM）：用于存储程序运行时的变量和数据。RAM是易失性存储器，它的数据在断电后会丢失。数据存储区可以分为多个不同的区域，如堆和栈。堆用于动态分配内存，栈用于存储函数调用和局部变量。
3. 系统存储区（System Memory）：用于存储系统启动和运行所需的数据和代码。系统存储区包括中断向量表、启动代码和系统配置信息等。这些数据和代码在MCU启动时会被加载到相应的寄存器和存储器中，以便系统正常运行。
4. 外设存储区（Peripheral Memory）：用于存储外设的寄存器和控制信息。外设存储区包括各种外设的寄存器映射，如串口、定时器、GPIO等。通过访问外设存储区，可以对外设进行配置和控制。

不同的内存区具有不同的特性和用途，合理地使用和管理这些内存区可以提高系统的性能和效率。例如，将频繁访问的代码和数据存储在快速访问的Flash存储器中，可以加快程序的执行速度；将临时变量和函数调用的返回地址存储在栈中，可以方便地进行函数调用和返回。

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