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复旦开创第三类存储技术,写入速度比U盘快1万倍 | 黑科技

第三类存储技术,不仅可以实现“内存级”的数据读写速度,还可以按需定制存储器的数据存储周期。 近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。 据张卫介绍,目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,如计算机内存,数据写入仅需几纳秒左右,但断电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,如U盘,数据写入需要几微秒到几十微秒,但无需额外能量可保存10年左右。 为了研发出两种性能可兼得的新

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